mos管緩啟動電路分析-展示頁
2025-07-04 22:18本頁面
【正文】 工程師通常基于柵極電荷理解MOSFET的開通的過程，如圖1所示此圖在MOSFET數(shù)據(jù)表中可以查到 圖1 AOT460柵極電荷特性 MOSFET的D和S極加電壓為VDD，當(dāng)驅(qū)動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時(shí)，輸入電容Ciss充電，G和S極電壓Vgs線性上升并到達(dá)門檻電壓VGS(th)，Vgs上升到VGS(th)之前漏極電流Id≈0A，沒有漏極電流流過，Vds的電壓保持VDD不變 當(dāng)Vgs到達(dá)VGS(th)時(shí)，漏極開始流過電流Id，然后Vgs繼續(xù)上升，Id也逐漸上升，Vds仍然保持VDD當(dāng)Vgs到達(dá)米勒平臺電壓VGS(pl)時(shí)，Id也上升到負(fù)載電流最大值ID，Vds的電壓開始從VDD下降米勒平臺期間，Id電流維持ID，Vds電壓不斷降低 米勒平臺結(jié)束時(shí)刻，Id電流仍然維持ID，Vds電壓降低到一個(gè)較低的值米勒平臺結(jié)束后，Id電流仍然維持ID，Vds電壓繼續(xù)降低，但此時(shí)降低的斜率很小，因此降低的幅度也很小，最后穩(wěn)定在Vds=IdRds(on)因此通?？梢哉J(rèn)為米勒平臺結(jié)束后MOSFET基本上已經(jīng)導(dǎo)通 對于上述的過程，理解難點(diǎn)在于為什么在米勒平臺區(qū)，Vgs的電壓恒定？驅(qū)動電路仍然對柵極提供驅(qū)動電流，仍然對柵極電容充電，為什么柵極的電壓不上升？而且柵極電荷特性對于形象的理解MOSFET的開通過程并不直觀因此，下面將基于漏極導(dǎo)通特性理解MOSFET開通過程 MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖2所示MOSFET與三極管一樣，當(dāng)MOSFET應(yīng)用于放大電路時(shí)，通常要使用此曲線研究其放大特性只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數(shù)，而MOSFET使用柵極電壓、漏極電流和跨導(dǎo) 圖2 AOT460的漏極導(dǎo)通特性 三極管有三個(gè)工作區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)，MOSFET對應(yīng)是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)注意：MOSFET恒流區(qū)有時(shí)也稱飽和區(qū)或放大區(qū)當(dāng)驅(qū)動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時(shí)，Vgs的電壓逐漸升高時(shí)，MOSFET的開通軌跡ABC
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