【摘要】第3章CMOS反相器的分析與設(shè)計第3章CMOS反相器的分析與設(shè)計?CMOS反相器的結(jié)構(gòu)和基本特性?CMOS反相器的直流特性?CMOS反相器的瞬態(tài)特性?CMOS反相器的設(shè)計2CMOS反相器的結(jié)構(gòu)和基本特性?NMOS管的襯底接地,PMOS管的襯底接VDD。?輸入端——柵極
2025-01-27 02:29
2025-01-26 03:52
【摘要】第七章MOS反相器第一部分MOS晶體管的工作原理第二部分MOS反相器1、在雙極型工藝下ECL/CML:EmitterCoupledLogic/CurrentModeLogic射極耦合邏輯/電流型開關(guān)邏輯TTL:TransistorTransistorLogic
2025-01-23 04:25
【摘要】集成電路設(shè)計導(dǎo)論云南大學(xué)信息學(xué)院電子工程系梁竹關(guān)第一部分理論課第一章緒言1.1集成電路的發(fā)展1.2集成電路分類1.3集成電路設(shè)計第二章MOS晶體管2.1MOS晶體管結(jié)構(gòu)2.2MOS晶體管工作原理2.3MOS晶體管的電流電壓關(guān)系
2025-05-14 18:16
【摘要】開關(guān)功率MOS管lMOSFET分為P溝道增強型、P溝道耗盡型和N溝道增強型、N溝道耗盡型4種類型。增強型MOS具有應(yīng)用方便的“常閉”特性(即驅(qū)動信號為零時,輸出電流等于零)。在開關(guān)電源中使用的MOS管幾乎全是N溝道增強型器件。lMOS管主要具備較大的安全工作區(qū)、良好的散熱穩(wěn)定性和非??斓拈_關(guān)速度。DateMOS管主要工作特性
2025-05-08 02:03
【摘要】MOS存儲器一.存儲器的分類ROM(readonlymemory)(1).固定式只讀存儲器(掩膜編程ROM)(maskprogrammedROM);(2).可編程只讀存儲PROM(programmedROM);如熔絲型,一旦編程完畢,就不能改.以上兩類都是不揮發(fā)性的,斷
2025-01-23 04:15
【摘要】本章(běnzhānɡ)學(xué)習(xí)目標,掌握脈沖的概念及矩形脈沖波的常用(chánɡyònɡ)參數(shù)。,掌握RC微分電路和RC積分電路的組成(zǔchénɡ)形式、工作條件、工作原理及功能。,理解RC脈沖分壓...
2024-11-17 00:10
【摘要】MOS集成電路設(shè)計?、NMOS電路?電阻NMOS反相器MOS集成電路設(shè)計?NMOS反相器及版圖(E/ENMOS)?NMOS反相器及版圖(E/DNMOS)?NMOS與非門電路?NMOS或非門電路及版圖NMOS與或非門電路及版圖?CMOS反向器CMOS電
2025-05-07 22:22
【摘要】2022/2/111半導(dǎo)體器件物理劉艷紅155247556802022/2/112教材?MOS器件原理?納米CMOS器件?甘學(xué)溫黃如劉曉彥張興編著?科學(xué)出版社20222022/2/113成績?平時小考試:30?平時作業(yè):20
2025-01-23 07:18
【摘要】2022/6/21實際MOS的平帶電壓及C-V特性2022/6/22功函數(shù)差的影響2022/6/23qVoxq?s????smsmFBfpgmsoxsfpgoxmVEVqEV??????????????????????????????
【摘要】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學(xué)院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠遠小于少子擴散長度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
2025-01-23 10:46
【摘要】集成電路課程設(shè)計報告基于TannerPro軟件的反相器設(shè)計與仿真姓名:溫炳林班級:09電科一班學(xué)號:指導(dǎo)老師:王建日期:~華
2024-08-24 15:18
【摘要】MOS場效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的分類MOS場效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-01-23 04:31
【摘要】結(jié)型場效應(yīng)管場效管應(yīng)用原理MOS場效應(yīng)管第三章場效應(yīng)管概述場效應(yīng)管是另一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件。它體積小、工藝簡單,器件特性便于控制,是目前制造大規(guī)模集成電路的主要有源器件。場效應(yīng)管與三極管主要區(qū)別:?場效應(yīng)管輸入電阻遠大于三極管輸入電阻。?場效應(yīng)管是單極型器件(三極管是雙極型器件)。
2025-08-03 18:53
【摘要】集成電路專業(yè)學(xué)年論文論文題目:CMOS反相器原理圖版圖設(shè)計與仿真摘要門電路是構(gòu)成各種復(fù)雜數(shù)字電路的基本邏輯單元,掌握各種門電路的邏輯功能和電氣特性,對于正確使用數(shù)字集成電路是十分必要的。MOS門電路:以MOS管作為開關(guān)元件構(gòu)成的門電路。MOS門電路,尤其是CMOS門電路具有制造工藝簡單、集成度高、抗干擾能力強、功耗低、價格便宜等優(yōu)點,得到了十分迅速的發(fā)展。所謂CMOS
2025-07-01 18:34