【摘要】第二章邏輯門電路Chapter2LogicGateCircuits概述分立元件門電路雙極型集成門電路MOS型門電路第二章邏輯門電路《數(shù)字電子技術》半導體器件的開關特性TTL電路于CMOS電路的接口§概述概述《數(shù)字電子技術》1、
2025-05-25 17:32
【摘要】第二章邏輯代數(shù)基礎概述三種基本邏輯1.與邏輯:當決定一事件的所有條件都具備時,事件才發(fā)生的邏輯關系。功能表滅滅滅亮斷斷斷合合斷合合與邏輯關系開關A開關B燈L電源ABY真值表(Truthtable
2025-01-08 09:25
【摘要】第二章基本放大電路本章重點和考點:。。、FET三種組態(tài)的特點。本章教學時數(shù): 10學時 第二章基本放大電路放大電路示意圖圖第二章基本放大電路一、放大倍數(shù) 表示放大器的放大能力根據(jù)放大電路輸入信號的條件和對輸出信號的要求,放大器可分為四種類型,所以有四種放大倍數(shù)的定
2025-01-11 03:55
【摘要】電力電子技術試題(第五章)一、填空題1、整流是把電變換為電的過程;逆變是把電變換為電的過程。1、交流、直流;直流、交流。2、逆變電路分為逆變電路和逆變電路兩種。2、有源、無源。3、逆變角β與控制角α之間的關系為。3、α=π-β4、逆變
2025-06-09 07:18
【摘要】第二章邏輯代數(shù)基礎數(shù)字信號取值:數(shù)字信號位數(shù):0和1不表示數(shù)值的大小,沒有數(shù)值的概念,僅表示兩種截然不同的邏輯狀態(tài)0和1兩種。即用二迚制表示。1位二迚制表示2種狀態(tài);n位二迚制表示2n種狀態(tài),取2n≥N例:燈的開關--2種取值———1位二迚制數(shù)人的性別--
2025-01-06 17:50
【摘要】第二章信號調(diào)理電路信號調(diào)理電路是測控系統(tǒng)及新型傳感器的重要組成部分,其功能是將傳感器輸出的信號變換成易于被后續(xù)單元處理的信號。信號調(diào)理電路依據(jù)所采用傳感器的類型而形式多樣,完整的調(diào)理電路由具有各種功能的基本單元電路組合構成。前置測量電路基本電路1.反相放大器
2025-05-09 05:14
【摘要】2022年3月第七章半導體三極管及交流放大電路半導體三極管7-1基本交流放大電路7-2微變等效電路分析法7-3本章內(nèi)容分壓式偏置電路7-4射級輸出器7-5頻率特性及多級放大器7-6放大器中的負反饋7-71.共射級放大電路的靜態(tài)分析3.微變等效電路分析法?重點:2.共射級放
2025-05-09 01:56
【摘要】電力電子技術試題(第四章)一、填空題1、GTO的全稱是,圖形符號為;GTR的全稱是,圖形符號為;P-MOSFET的全稱是,圖形符號為;IGBT的全稱是,圖形符號為。33、門極可關斷晶閘管、大功率晶體管、功率場效應管、絕緣門極
2025-06-09 07:20
【摘要】電力電子技術試題(第三章)一、填空題1、某半導體器件的型號為KS50—7的,其中KS表示該器件的名稱為,50表示,7表示。1、雙向晶閘管、額定電流50A、額定電壓100V。2、某半導體器件的型號為KN100/50—7,其中KN表示該器件的名稱為
2024-11-02 15:48
【摘要】第三篇第二章習題,設T1、T2管的參數(shù)完全相同。問:(1)T1、T2和R組成什么電路?(2)IC2與IREF有什么關系?寫出IC2的表達式。,已知晶體管的b=80,rbe=2kW。(1)求輸入電阻Ri和輸出電阻Ro;(2)求差模電壓放大倍數(shù)。,設T1、T2管特性對稱,b1=b2=100,VBE=,且rbb′=200W,其余參數(shù)如
2025-04-04 05:14
【摘要】天津冶金職業(yè)技術學院2020——2020學年第(二)學期期末考試《電力電子技術》試卷A班級:電氣,電子專業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------
2024-11-04 21:44
【摘要】天津冶金職業(yè)技術學院2020——2020學年第(二)學期期末考試《電力電子技術》試卷B班級:電氣,電子專業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------
【摘要】天津冶金職業(yè)技術學院2022——2022學年第(二)學期期末考試《電力電子技術》試卷A班級:電氣,電子專業(yè)姓名-題號一二三四五合計得分一、填空(每空1分,36分)1、請在正確的空格內(nèi)標出
2025-01-16 22:09
【摘要】電力電子技術B卷答案及評分標準一、填空(每空1分,36分)1、請在正確的空格內(nèi)標出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關斷晶閘管GTO;功率場效應晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動功率、觸發(fā)
2025-01-17 20:13