電力電子技術(shù)試卷3b及答案-展示頁

【摘要】天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院2020——2020學(xué)年第（二）學(xué)期期末考試《電力電子技術(shù)》試卷A班級(jí)：電氣，電子專業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------

2024-11-04 21:44

[工學(xué)]電力電子技術(shù)試卷b答案-展示頁

【摘要】電力電子技術(shù)B卷答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)一、填空（每空1分，36分）1、請(qǐng)?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱：電力晶體管GTR；可關(guān)斷晶閘管GTO；功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET；絕緣柵雙極型晶體管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率、觸發(fā)

2025-01-17 20:13

電力電子技術(shù)試題及答案-展示頁

【摘要】1《電力電子技術(shù)》期末標(biāo)準(zhǔn)試卷（A）（2022—2022學(xué)年第上學(xué)期）題號(hào)一二三四五總分得分一、填空題(每小空1分，共13分)1．正弦脈寬調(diào)制（SPWM）技術(shù)運(yùn)用于電壓型逆變電路中，當(dāng)改變__

2025-01-16 23:16

電力電子技術(shù)試卷-展示頁

【摘要】1一、填空題（共20小題，每題1分，共20分）1、在PWM整流電路的控制方法中，如果引入了交流電流反饋稱為________。2、對(duì)用晶閘管組成的整流電路常用的控制方式是________。3、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于__

2025-01-15 17:18

電力電子技術(shù)試卷-展示頁

【摘要】裝訂線專業(yè)班級(jí)：

2024-07-29 01:09

電力電子技術(shù)試卷-展示頁

【摘要】1一、填空題（共20小題，每題1分，共20分）1、在PWM整流電路的控制方法中，如果引入了交流電流反饋稱為________。2、對(duì)用晶閘管組成的整流電路常用的控制方式是________。3、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于__

2025-01-16 22:08

電力電子技術(shù)試卷及答案-第五章-展示頁

【摘要】電力電子技術(shù)試題(第五章)一、填空題1、整流是把電變換為電的過程；逆變是把電變換為電的過程。1、交流、直流；直流、交流。2、逆變電路分為逆變電路和逆變電路兩種。2、有源、無源。3、逆變角β與控制角α之間的關(guān)系為。3、α=π－β4、逆變

2025-06-09 07:18

電力電子技術(shù)試卷及答案-第二章-展示頁

【摘要】電力電子技術(shù)試題(第二章)一、填空題1、觸發(fā)電路送出的觸發(fā)脈沖信號(hào)必須與晶閘管陽極電壓，保證在管子陽極電壓每個(gè)正半周內(nèi)以相同的被觸發(fā)，才能得到穩(wěn)定的直流電壓。1、同步、時(shí)刻。2、晶體管觸發(fā)電路的同步電壓一般有同步電壓和電壓。2、正弦波、鋸齒波。3、正弦波觸發(fā)電路的同步移相一般都是采用

2025-06-09 07:23

電力電子技術(shù)第1章答案-展示頁

【摘要】第1章電力電子器件習(xí)題答案?關(guān)斷的條件是什么?答:晶閘管導(dǎo)通的條件:①應(yīng)在晶閘管的陽極與陰極之間加上正向電壓。②②應(yīng)在晶閘管的門極與陰極之間也加上正向電壓和電流。晶閘管關(guān)斷的條件:要關(guān)斷晶閘管,必須使其陽極電流減小到一定數(shù)值以下,或在陽極和陰極加反向電壓。?答:因?yàn)榫чl管在導(dǎo)通瞬間,電流集中在門極附近,隨著時(shí)間的推移,導(dǎo)通區(qū)才逐漸擴(kuò)大,直到全部結(jié)面

2025-06-27 13:42

電力電子技術(shù)答案-展示頁

【摘要】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比，電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力？答：，使得硅片中通過電流的有效面積增大，顯著提高了二極管的通流能力。，也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體，由于摻雜濃度低，低摻雜N區(qū)就可

2025-07-02 20:09

電力電子技術(shù)試題及答案庫-展示頁

【摘要】電力電子技術(shù)試題1、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱：電力晶體管GTR；可關(guān)斷晶閘管GTO；功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET；絕緣柵雙極型晶體管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率

2024-11-19 18:17

電力電子技術(shù)試卷及答案-第四章-展示頁

【摘要】電力電子技術(shù)試題（第四章）一、填空題1、GTO的全稱是，圖形符號(hào)為；GTR的全稱是，圖形符號(hào)為；P-MOSFET的全稱是，圖形符號(hào)為；IGBT的全稱是，圖形符號(hào)為。33、門極可關(guān)斷晶閘管、大功率晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣門極

2025-06-09 07:20

電力電子技術(shù)試卷及答案-第三章-展示頁

【摘要】電力電子技術(shù)試題(第三章)一、填空題1、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為KS50—7的，其中KS表示該器件的名稱為，50表示，7表示。1、雙向晶閘管、額定電流50A、額定電壓100V。2、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為KN100/50—7，其中KN表示該器件的名稱為

2024-11-02 15:48

數(shù)字電子技術(shù)試卷a(后附答案)-展示頁

【摘要】誠信應(yīng)考,考試作弊將帶來嚴(yán)重后果！?華南理工大學(xué)期末考試《數(shù)字電子技術(shù)》試卷A注意事項(xiàng)：1.考前請(qǐng)將密封線內(nèi)填寫清楚；?????????2.所有答案請(qǐng)直接答在試卷上(或答題紙上)；???????

2025-07-03 21:26

電力電子技術(shù)課后習(xí)題答案[1]-展示頁

【摘要】電力電子技術(shù)習(xí)題集標(biāo)*的習(xí)題是課本上沒有的，作為習(xí)題的擴(kuò)展習(xí)題一*試說明什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)及其作用。答：當(dāng)PN結(jié)通過正向大電流時(shí)，大量空穴被注入基區(qū)（通常是N型材料），基區(qū)的空穴濃度（少子）大幅度增加，這些載流子來不及和基區(qū)的電子中和就到達(dá)負(fù)極。為了維持基區(qū)半導(dǎo)體的電中性，基區(qū)的多子（電子）濃度也要相應(yīng)大幅度增加。這就意味著，在大注入的條件下原始基片的電阻率實(shí)際上大大

2025-07-06 16:13

電力電子技術(shù)試卷1a及答案(留存版)

電力電子技術(shù)試卷1a及答案-文庫吧

電力電子技術(shù)試卷1a及答案-wenkub

電力電子技術(shù)試卷1a及答案(已修改)