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300mw太陽能晶硅片項目可研報告-展示頁

2025-06-07 22:04本頁面
  

【正文】 硅熔體的溫度穩(wěn)定之后,將籽晶慢慢浸入硅熔體中,然后將籽晶快速向上提升,使長成的籽晶的直徑縮小到一定的大小,產(chǎn)生零位錯的晶體,這樣,長完細頸之后,降低溫度與拉速,使得晶體的直徑漸漸增長到所要大小。 拉晶:加溫將原料溶化,按控制程序拉制單晶。 裝爐:將配好的原料裝入爐內(nèi)、抽真空和充氬氣?!∨淞希焊鶕?jù)拉單晶的電阻率要求,按重量比例配置原料。 清洗:用氫氟酸、硝酸(或中性清洗液)等除去原料表面的雜質(zhì)?!∵x料:將多晶硅、頭尾料、堝底料按類分選?!〖夹g(shù)來源本項目生產(chǎn)技術(shù)為XXX公司自有技術(shù)?!‘a(chǎn)品及技術(shù)方案本項目主要考慮高性能的單晶硅生產(chǎn)工藝,最終產(chǎn)品為單晶硅。表1-1 總投資估算表序號項目名稱估算投資(萬元)占投資比例1建筑工程費48052 %2設(shè)備購置費79551 %3設(shè)備安裝費1575 %4工具器具費394 %5工程建設(shè)其它費用3153 %6預(yù)備費用4006 %7建設(shè)期利息2229 %8鋪底流動資金6206 %9合計145166 % 資金籌措(1)固定資產(chǎn)投資投資籌措本項目固定資產(chǎn)投資138959萬元,其中XXX公司現(xiàn)金出資20000萬元(含流動資金出資部分),YYY公司現(xiàn)金出資40000萬元,承建公司貸款70000萬元,%,其余資金由YYY公司自籌。 流動資金估算流動資金詳細法計算,根據(jù)本項目情況及規(guī)模,鋪底流動資金按達產(chǎn)年平均流動資金的30%計,為6206萬元?!〗ㄔO(shè)期利息本項目建設(shè)投資申請銀行貸款70000萬元,%計算。設(shè)備調(diào)試及試運轉(zhuǎn)費:按照工藝設(shè)備費2%計算。人員培訓(xùn)費:包括生產(chǎn)人員及管理人員的培訓(xùn)費及提前進廠費。設(shè)計費,據(jù)《工程勘察設(shè)計收費標準》(2002年修訂本)進行計算。建設(shè)單位管理費:包括建設(shè)單位開辦費及建設(shè)單位經(jīng)費,按建安工程費的1%計取。參考同類型建設(shè)項目并適當考慮建設(shè)當?shù)卦靸r水平進行估算?!〗ㄖこ藤M用包括新建生產(chǎn)廠房及其配套設(shè)施,包含內(nèi)部的潔凈室裝修、給排水系統(tǒng)、暖通空調(diào)系統(tǒng)、氣體動力系統(tǒng)、供配電系統(tǒng)、電氣照明系統(tǒng)、消防系統(tǒng)、自控系統(tǒng)、通信網(wǎng)絡(luò)等機電工程。銀行手續(xù)費及外貿(mào)手續(xù)費按2%計算,%計算,%計算。 總投資估算依據(jù)國家發(fā)展改革委及建設(shè)部共同發(fā)布的《建設(shè)項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)》(第三版)《投資項目可行性研究指南》(試用版)《工程勘察設(shè)計收費標準》(2002年修訂本)擬建項目各單項工程的建設(shè)內(nèi)容及工程量外匯匯率:按中國人民銀行公布的外匯牌價,實際發(fā)生按中國人民銀行當日牌價結(jié)算 設(shè)備費用引進生產(chǎn)用工藝設(shè)備:為到岸價,其價格參考外商報價數(shù)據(jù)進行綜合比較后估算的,進口設(shè)備價格中含必要的備品備件。 .1 建設(shè)內(nèi)容及規(guī)模本項目新征建設(shè)用地面積約280畝,按照年產(chǎn)300兆瓦高效單晶硅拉棒、切片的產(chǎn)能建設(shè)生產(chǎn)廠房和配套設(shè)施,配置生產(chǎn)和動力設(shè)備,總建筑面積115415平方米。 投資估算及投資規(guī)模本項目投資總額為145166萬元,其中建設(shè)投資138959萬元,建設(shè)期利息2229萬元,鋪底流動資金6206萬元,其中建設(shè)投資長期貸款70000萬元,流動資金30%貸款,其余資金由企業(yè)自籌。XXXXXXXXXXXX公司年產(chǎn)14000萬片高效單晶硅片項目項目申請報告編制單位:二〇一〇年八月目 錄 第一章 申報單位及項目概況 1 項目申報單位概況 1 投資估算及投資規(guī)模 1 主要數(shù)據(jù)和技術(shù)經(jīng)濟指標 17第二章 戰(zhàn)略規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)政策及行業(yè)準入 19 擬建項目與相關(guān)規(guī)劃的關(guān)系 19 擬建項目與相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的關(guān)系 19 擬建項目與相關(guān)行業(yè)準入標準的關(guān)系 19第三章 建設(shè)用地分析 20 項目選址及用地方案 20 土地利用合理性分析 20第四章 資源開發(fā)及綜合利用 25 資源耗用 25 物料供應(yīng) 25第五章 節(jié)約能源 27 編制依據(jù) 27 能源消耗 27 節(jié)能措施 27 節(jié)能效益 33 主要結(jié)論 33第六章 環(huán)境和生態(tài)影響分析 34 編制依據(jù) 34 場址環(huán)境條件 34 生產(chǎn)工藝簡述 34 污染物及其治理措施 35 環(huán)境保護管理機構(gòu) 40 環(huán)境保護設(shè)施的投資 41 項目對風(fēng)景名勝古跡和人類文化遺產(chǎn)的影響及保護措施 41第七章 社會和經(jīng)濟影響分析 42 有利于改善我國城市的投資環(huán)境,促進參與世界經(jīng)濟分工的國際性城市的形成 42 以本項目為契機,大力推動區(qū)域工業(yè)的集約化大生產(chǎn) 42 拉動地方就業(yè)與經(jīng)濟增長,增加政府財政收入 42附錄A 市場需求 44 國際市場概況 44 國內(nèi)市場概況 51 本輪經(jīng)濟危機對太陽能電池市場的影響分析 54附錄B 經(jīng)濟分析 57 生產(chǎn)規(guī)模 57 項目計算期 57 成本 57 財務(wù)評價 58 經(jīng)濟分析主要結(jié)果 60 綜合經(jīng)濟評價 61附錄C 組織機構(gòu)、勞動定員和人員培訓(xùn) 62 組織機構(gòu) 62 勞動定員 62 人員培訓(xùn) 62附錄D 項目進度計劃 64 項目進度計劃 64附錄E 公共產(chǎn)品及服務(wù)價格 65 公共產(chǎn)品 65 服務(wù)價格 65附表:表B1 總投資估算表表B2 流動資金估算表表B3 項目總投資使用計劃與資金籌措表表B4 總成本費用估算表表B5 利潤與利潤分配表表B6 項目投資現(xiàn)金流量表表B7 項目資本金現(xiàn)金流量表表B8 借款還本付息計劃表表B9 財務(wù)計劃現(xiàn)金流量表表B10 資產(chǎn)負債表表B11 固定資產(chǎn)折舊費估算表表B12 無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表表B13 營業(yè)收入、營業(yè)稅金及附加和增值稅估算表附件:附件1 總平面布置圖第一章 申報單位及項目概況 項目申報單位概況 承辦單位基本情況公司名稱: 項目名稱: 年產(chǎn)14000萬片高效單晶硅片項目企業(yè)性質(zhì): 注冊資本: 注冊地址: 經(jīng)營期限:  公司基本情況XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX公司本次在安徽省合肥市雙鳳縣雙鳳開發(fā)區(qū),新征785畝工業(yè)用地。其中一期工程用地280畝,年產(chǎn)單晶硅棒2100噸、單晶硅片14000萬片(配套電池產(chǎn)能300兆瓦/年);一期項目總投資145166萬元,新建總建筑面積115415平方米,購買工藝及輔助設(shè)備儀器752臺(套)。項目達產(chǎn)后,平均年銷售額234577萬元,%,%?!⊥顿Y規(guī)模和資金籌措 總投資估算項目總投資估算145166萬元,投資范圍包括生產(chǎn)設(shè)備購置及安裝費,動力設(shè)備購置及安裝費,建筑工程費用,其它工程和費用,預(yù)備費,建設(shè)期貸款利息、鋪底流動資金等,見總投資估算表(附表B1)。本項目按免征關(guān)稅及進口環(huán)節(jié)增值稅計。國內(nèi)工藝設(shè)備:%,%計算。根據(jù)不同建筑單獨估算。 其他費用 工具器具費:%計算。前期工作費用:包括咨詢費用、調(diào)研費用、可研報告編制費、評審費、地質(zhì)勘探費等。項目評估費用:包括編制環(huán)境影響報告、職業(yè)安全衛(wèi)生評價、能源評價、水資源評估等費用。土地購置費:本項目購置土地280畝,按照8萬元/畝,共2240萬元。 預(yù)備費基本預(yù)備費:按工程費用及其它工程費用的3%計算。根據(jù)《方法與參數(shù)》從建設(shè)起點算起借款當年按半年計息,建設(shè)期利息共計2229萬元。 總投資估算結(jié)果本項目總投資為145166萬元,詳見總投資估算表。(2)流動資金籌措本項目流動資金20688萬元(其中鋪底流動資金6206萬元),流動資金30%貸款,%,其余由XXX公司自籌。單晶硅用于制造太陽電池片生產(chǎn)用的硅片。 生產(chǎn)工藝選料清洗測試斷頭尾拆爐拉晶配料裝爐入庫圖1-1 單晶硅棒生產(chǎn)工藝流程圖硅棒準備圓棒切方硅片清洗烘干硅片脫膠、取樣線鋸切片晶棒粘接滾磨準方棒腐蝕或超聲清洗成品測試入庫 圖1-2 單晶硅片生產(chǎn)工藝流程圖— 工藝簡介長完細頸和肩部之后,借著拉速與溫度的不斷調(diào)整,可使晶棒直徑誤差維持在正負2mm之間,這段直徑固定的部分稱為等徑部分,單晶硅片取自于等徑部分?!‘a(chǎn)品目標市場本項目產(chǎn)品全部內(nèi)銷?!≈饕O(shè)備和儀器本項目共需購置工藝及輔助設(shè)備儀器752臺(套),共計78763萬元元。詳細設(shè)備清單如下:表1-2 單晶硅片進口工藝設(shè)備儀器表 序號設(shè)備名稱數(shù)量制造廠家及型號單價(萬元)總價(萬元)1開方機15HCTE800SSQ 2切片機40PV800S 3切片機56MWM442DM 4全自動硅片分選機5  5非接觸電阻率測試儀5  6傅立葉紅外光普儀3  7紅外探傷儀5  8平面厚度儀10   合計139    表1-3 單晶硅片國產(chǎn)工藝設(shè)備儀器表序號設(shè)備名稱數(shù)量制造廠家及型號單價(萬元)總價(萬元)1打磨機75  2硅料清槽20  3泡料槽60  4氣相光普分析儀2  5單晶爐288  6單晶帶鋸截斷機25  7電阻率測試儀6  8型號測試儀6  9單晶少子壽命儀3  10晶相顯微鏡3  11倒角機5  12單晶輥磨機10  13廢線切割機5  14砂漿攪拌桶35  15超聲波清洗機10  16硅塊脫膠槽10  17平板電爐10  18全自動脫膠機5  19全自動硅片清洗機10  20全自動插片機10  21型號測試儀5  22平面厚度儀10   合計613     配套工程設(shè)計方案 總平面布置本項目785畝規(guī)劃用地采用一次規(guī)劃,分期實施的原則建設(shè)。在一期工程用地內(nèi)設(shè)置2個出入口,分別位于用地的東側(cè)淮南北 路和西側(cè)規(guī)劃道路上,東側(cè)入口為人員入口,西側(cè)入口為貨物入口,與二期用地銜接。變電站及動力設(shè)施位于一期用地西北角,與市政供電線路和廠區(qū)負荷中心較近;三個單晶廠房位于用地東北角,與洗料廠房相臨,有利于物料傳輸;切片廠房及倉庫位于用地西南角,使用物料運輸;綜合樓等相關(guān)生活設(shè)施位于用地西南角,與生產(chǎn)設(shè)施相對隔離;廢水處理區(qū)位于一期用地西北側(cè)的二期用地內(nèi),離主要廢水排放點(洗料廠房和切片廠房)較近,便于廢水就近排放和綜合治理。 洗晶車間(1棟)洗晶車間為單層鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)建筑。除生產(chǎn)區(qū)外,還布置有生產(chǎn)管理、更衣,以及生產(chǎn)配套的空調(diào)機房、車間變配電等。除生產(chǎn)區(qū)外,還布置有生產(chǎn)管理、更衣,以及生產(chǎn)配套的空調(diào)機房、車間變配電等?!〗ㄖ?wù)系統(tǒng)— 空調(diào)及采暖系統(tǒng)單晶廠房生產(chǎn)區(qū)、硅料處理車間、切片廠房、綜合樓、各建筑的輔助辦公室等區(qū)域設(shè)置空調(diào),溫濕度要求為:15~36℃,系統(tǒng)采用新風(fēng)機組+誘導(dǎo)風(fēng)機(使氣流均勻)?!±鋬鏊到y(tǒng)在動力廠房內(nèi)設(shè)置低溫(6/12℃)水冷離心式冷凍機組,使用R134a冷媒為空調(diào)系統(tǒng)、冷卻水系統(tǒng)等設(shè)施提供冷源?!∽詠硭到y(tǒng)生活用水:2600人38升/生產(chǎn)用自來水:24h/d純水站補水:6m3/h 24h/d冷卻水補水:%8649m3/h24h/d洗滌塔補水:采用純水站RO濃縮水,不消耗自來水消耗量最大使用量約:170 m3/h新鮮水年消耗量約:160萬m3/a場區(qū)內(nèi)設(shè)置生產(chǎn)消防水池和冷卻水池,供消防及生產(chǎn)使用?!∠老到y(tǒng) 消火栓給水系統(tǒng)室內(nèi)外消火栓給水采用獨立的臨時高壓系統(tǒng),由消防蓄水池、電消火栓加壓電泵、高位消防水箱、消火栓管網(wǎng)和室內(nèi)外消火栓組成。除消防水箱設(shè)在最高處屋面上,其余設(shè)備均設(shè)于地下水泵房內(nèi)?;鹚ū媒M兩路出水至室外環(huán)狀消防管路,環(huán)網(wǎng)上均勻設(shè)置室外消火栓?!」に嚪?wù)系統(tǒng)— 工藝設(shè)備冷卻水系統(tǒng)工藝設(shè)備冷卻水供給生產(chǎn)設(shè)備冷卻用,流量8649m3/h,單晶爐進水溫度23~29℃, 切片機進水溫度6~7℃和12~13℃。100kWcm),工藝設(shè)備冷卻水系統(tǒng)采用板式水水換熱器,水泵為變頻水泵。項目消耗量4300m3/h, MPa,壓力露點-40176。經(jīng)過濾器過濾后的空氣經(jīng)空壓機壓縮后進入儲氣罐,再經(jīng)預(yù)過濾器、無熱再生干燥器干燥后進入終端過濾器,干燥凈化后的壓縮空氣經(jīng)主配管送至生產(chǎn)廠房CDA分配系統(tǒng)?!鍤庀到y(tǒng)單晶爐使用氬氣作保護氣,最大量1800m3/h,平時用量1400m3/h。液氬低溫槽車到接卸區(qū)后,接通貯罐與槽車的汽液相管,利用槽車的自身壓力將低溫液氬卸至貯罐。使用時,利用貯罐的壓力將液氬送入氣化器自然氣化,通過氬氣總管輸送至主機房?!〖兯到y(tǒng)生產(chǎn)中多晶硅料的清洗、硅片的清洗,生產(chǎn)工具、器具、石英制品清洗等使用純水。純水系統(tǒng)分成前處理和后處理兩部分,均設(shè)置在動力廠房內(nèi)。RO水同時作為工藝冷卻水和機
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