節(jié)能新材料之半導(dǎo)體照明介紹-展示頁
2025-05-23 03:46本頁面
【正文】 出新的照明產(chǎn)業(yè)，為通用照明應(yīng)用打下基礎(chǔ)，等等。預(yù)計(jì)，2005年GaN基器件的市場規(guī)模將擴(kuò)大至US$30億，GaN基器件所用的Ａl2O3襯底的市場規(guī)模將擴(kuò)大至US$5億。據(jù)權(quán)威專家的預(yù)計(jì)，GaN基LED及其所用的Ａl2O3襯底在國際市場上的市場成長期將達(dá)到50年之久。 1994年，日本的Nicha公司在GaN/Ａl2O3上取得突破，1995年，GaN器件第一次實(shí)現(xiàn)商品化。 氮化物襯底材料與半導(dǎo)體照明的應(yīng)用前景 GaN是直接帶隙的材料，其光躍遷幾率比間接帶隙的高一個(gè)數(shù)量級。自支撐同質(zhì)外延襯底的研制對發(fā)展自主知識產(chǎn)權(quán)的氮化物半導(dǎo)體激光器、大功率高亮度半導(dǎo)體照明用LED，以及高功率微波器件等是很重要的。評價(jià)襯底材料要綜合考慮襯底與外延膜的晶格匹配、襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配、襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配、材料制備的難易程度及成本的高低的因素。 GaN、AlN、InN及其合金等材，是作為新材料的GaN系材料。世界各國現(xiàn)在又投入了大量的人力、財(cái)力和物力，以期望取得GaN基高功率器件的突破，并且居于此領(lǐng)域的制高點(diǎn)。節(jié)能新材料之半導(dǎo)體照明介紹作者：日期：節(jié)能新材料之半導(dǎo)體照明氮化物襯底材料 氮化物襯底材料的研究與開發(fā)增大字體復(fù)位寬帶隙的GaN基半導(dǎo)體在短波長發(fā)光二極管、激光器和紫外探測器，以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應(yīng)用前景；對環(huán)保，其還是很適合于環(huán)保的材料體系。半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展分類所示的若干主要階段，其每個(gè)階段均能形成富有特色的產(chǎn)業(yè)鏈?！暗镆r底材料與半導(dǎo)體照明的應(yīng)用前景”文稿介紹了氮化物襯底材料與半導(dǎo)體照明的應(yīng)用前景的部分內(nèi)容。對襯底材料進(jìn)行評價(jià)要就襯底材料綜合考慮其因素，尋找到更加合適的襯底是發(fā)展GaN基技術(shù)的重要目標(biāo)。InN的外延襯底材料就現(xiàn)在來講有廣泛應(yīng)用的?！暗镆r底材料的評價(jià)因素及研究與開發(fā)”文稿介紹了氮化物襯底材料的評價(jià)因素及研究與開發(fā)的部分內(nèi)容。因此，寬帶隙的GaN基半導(dǎo)體在短波長發(fā)光二極管、激光器和紫外探測器，以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應(yīng)用前景；對環(huán)保，其還是很適合于環(huán)保的材料體系。1998年，GaN基發(fā)光二極管LED市場規(guī)模為US$，2000年，市場規(guī)模擴(kuò)大至US$13億。GaN基LED及其所用的Ａl2O3襯底具有獨(dú)特的優(yōu)異物化性能，并且具有長久耐用性。 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展分類所示的若干主要階段，其每個(gè)階段均能形成富有特色的產(chǎn)業(yè)鏈： （1）第一階段 第一階段（特種照明時(shí)代，2005年之前），其中有：儀器儀表指示；金色顯示、室內(nèi)外廣告；交通燈、信號燈、標(biāo)致燈、汽車燈；室內(nèi)長明燈、吊頂燈、變色燈、草坪燈；城市景觀美化的建筑輪廓燈、橋梁、高速公路、隧道導(dǎo)引路燈，等等。（3）第三階段第三階段（通用照明時(shí)代，2010年之后），包括以上二個(gè)階段的應(yīng)用，并且還全面進(jìn)入通用照明市場，占有30~50%的市場份額。高功率藍(lán)色發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)和全波段InNGaN等，將會(huì)引發(fā)新的、更加大的商機(jī)，例如，光存儲(chǔ)、光通訊等。因此，GaN材料及器件發(fā)展，需要尋找到與GaN匹配的襯底材料，進(jìn)一步提高外延膜的質(zhì)量。應(yīng)用協(xié)變襯底可以將晶格和熱失配的缺陷局限在襯底上，并且為開辟新的材料體系打下基礎(chǔ)。預(yù)計(jì)，在今后的10~20年中，大尺寸的、協(xié)變襯底的制備技術(shù)將獲得突破，并且廣泛應(yīng)用于大失配異質(zhì)結(jié)材料生長及其相聯(lián)系的光電子器件制造。 氮化物襯底材料的評價(jià)因素及研究與開發(fā)GaN、AlN、InN及其合金等材料，是作為新材料的GaN系材料。 一、評價(jià)襯底材
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