mosfet的閾電壓ppt課件-展示頁
2025-05-14 18:16本頁面
【正文】 分析，即認(rèn)為襯底表面下耗盡區(qū)及溝道內(nèi)的空間電荷完全由柵極與襯底之間的電壓產(chǎn)生的橫向電場所決定，而與漏極電壓產(chǎn)生的縱向電場無關(guān)。MOSFET 的閾電壓 定義： 使柵下的硅表面處開始發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)的柵電壓稱為閾電壓 （或 開啟電壓 ），記為 VT 。 定義： 當(dāng)硅表面處的少子濃度達(dá)到或超過體內(nèi)的平衡多子濃度時(shí)，稱為表面發(fā)生了 強(qiáng)反型 。 MOS 結(jié)構(gòu)的閾電壓 P 型襯底 MOS 結(jié)構(gòu)的 閾電壓 。 上圖中， ?S 稱為 表面勢 ，即從硅表面處到硅體內(nèi)平衡處的電勢差，等于能帶彎曲量除以 q 。 VFB 稱為 平帶電壓 。 OXOXMSFBG CQVV ??? ?OXOXOX TC?? 實(shí)際 MOS 結(jié)構(gòu)當(dāng) VG = VT 時(shí)的能帶圖 要使表面發(fā)生強(qiáng)反型，應(yīng)使表面處的 EF EiS = q?FP ，這時(shí)能帶總的彎曲量是 2q?FP ，表面勢為 ?S = ?S,inv = 2?FP 。有效柵電壓可分為兩部分：降在氧化層上的 VOX 與降在硅表面附近的表面電勢 ?S ，即 VG – VFB = VOX + ?S 表面勢 ?S 使能帶發(fā)生彎曲。 ,OXSOXMOX CQCQV ???QA QM Qn COX ?QS P 可得 MOS 結(jié)構(gòu)的閾電壓為 FPOXFPAOXOXMST 2)2( ??? ????CQCQV 再將 和上式代入 VT = VFB + VOX + 2?FP 中， OXOXMSFB CQV ?? ?關(guān)于 QA 的進(jìn)一步推導(dǎo)在以后進(jìn)行。 QA 是 ?S 的函數(shù)，在開始強(qiáng)反型時(shí)， QA ( ?S ) = QA ( 2?FP ) ，故得 OXFPAOXSOX)2(CQCQV ????? 閾電壓一般表達(dá)式的導(dǎo)出 MOSFET 與 MOS 結(jié)構(gòu)的不同之處是： a) 柵與襯底之間的外加電壓由 VG 變?yōu)? (VG VB) ，因此有效
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