mos器件閾值電壓ppt課件-展示頁(yè)
2025-05-14 18:16本頁(yè)面
【正文】 壓 oxsioox tC 20???影響閾值電壓的因素： Vms 金半接觸電勢(shì)差 Vms Al柵， Al的功函數(shù) ， Si的親和能 NMOS: 0)ln ( ???iBBms nNqTkVPMOS: 使 P型半導(dǎo)體表面耗盡或反型 0)ln ( ???iBBms nNqTkV使 N型半導(dǎo)體表面積累 Al柵方塊電阻：幾個(gè) mΩ/□ Al柵工藝的缺陷 影響閾值電壓的因素： Vms 多晶硅柵 * n+polysi,摻雜濃度 NDP， 方塊電阻～ 15歐姆 NMOS: ?? )ln (2iBDPBmsnNNqTkV 使表面耗盡或反型 PMOS: ?? )ln (BDPBmsNNqTkV 使表面多子積累 p+polysi,摻雜濃度 NAP， 方塊電阻～ 25歐姆 NMOS: ?? )ln (APBBms NNqTkV 使表面多子積累 PMOS: ??? )ln ( 2iBAPBms n NNqTkV 使表面耗盡或反型 近似認(rèn)為重?fù)诫s多晶硅的能帶與單晶硅相同 SiO2中的正電荷面密度 Q0* ?固定正電荷 ?可動(dòng)正電荷 ?陷阱電荷 ?界面陷阱電荷 這些電荷是使早期 MOSFET不穩(wěn)定的主要原因 ,其大小與晶向有關(guān)，與 SiO2的生長(zhǎng)工藝有關(guān)。 ?其結(jié)果使 N型溝道的能帶連同其費(fèi)米能級(jí)沿 Y方向發(fā)生傾斜 *。當(dāng)柵壓 VGSVTN,在半導(dǎo)體表面形成反型層。其數(shù)學(xué)表示式為 緩變溝道近似（ GCA） 2222XYXEYE XY????????????? ??對(duì)于長(zhǎng)道器件， GCA近似除在漏端附近不成立外，在沿溝道方向的大部分區(qū)域都是有效的。 ?沿 Y方向有電流流動(dòng)，表面處于非平衡態(tài)，反型層與體內(nèi)不再有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。 MOSFET ?柵下的電荷受柵電壓產(chǎn)生的縱向電場(chǎng) EX 、源漏電壓產(chǎn)生的橫向電場(chǎng) EY 的共同作用，是一個(gè)二維問(wèn)題 *。 閾值電壓： Threshold voltage MOS電容的閾值電壓（ 1） GBVPSi BGOxY2SiOMetal耗盡層的厚度 耗盡層單位面間的電荷 反型層的厚度 反型層單位面積的電荷 半導(dǎo)體表面電荷 柵電荷 iQbQdxcxsQmQoxsoxmoxsoxFBGBbiSSmCQCQVVVVQ???????????0XEs?oxvGBV
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