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2025-05-14 12:15本頁面
【正文】 COOH ：緩衝劑 ? 使蝕刻過程不要太劇烈 ? 控制蝕刻液之溫度及穩(wěn)定度可提升蝕刻之均勻性 Andy Kang 格子蝕刻 晶片 N N+ P+ 氧化層 光阻 Andy Kang PR Strip ( 光阻去除 ) ? 將格子蝕刻完成之晶片送至光阻去除站，並準(zhǔn)備進行光阻去除 ? 利用硫酸將光阻劑去除乾淨(jìng) Andy Kang 光阻去除 晶片 N N+ P+ 氧化層 Andy Kang SiO2 Etch ( 氧化層蝕刻 ) BOE浸泡 HF浸泡 純水 QDR沖洗 混合酸浸泡 純水 QDR沖洗 旋乾機旋乾 利用 BOE 蝕刻晶片表面氧化層 利用高純水 ( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 利用高純水 ( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 利用混合酸 去除 晶片表面之雜物 利用旋乾機將晶片表面之水分帶離 純水 QDR沖洗 利用 HF 蝕刻晶片表面氧化層 利用高純水 ( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 Andy Kang 氧化層蝕刻 晶片 N N+ P+ Andy Kang RCA Clean ( RCA 清洗 ) SC1清洗 HF浸泡 純水 QDR沖洗 SC2清洗 純水 QDR沖洗 旋乾機旋乾 利用 SC1 去除晶片表面之微粒及有機物 利用高純水 ( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 利用高純水 ( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 利用 SC2 去除可能殘留於晶片表面之金屬離子 利用旋乾機將晶片表面之水分帶離 純水 QDR沖洗 利用 HF 蝕刻晶片表面氧化層 利用高純水 ( 12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物 Andy Kang RCA 清洗 名稱 使用之化學(xué)品 配比 使用之溫度 作用 SC1 NH4OH + H2O2 + H2O 1： 1： 6 65~85℃ 去除微粒及有機物 SC2 HCL + H2O2 + H2O 1： 1： 6 65~85℃ 去除金屬離子 Andy Kang SIPOS Dep. ( SIPOS 沉積 ) ? SIPOS ( Semi Insolated Polycrystalline Of Silicon ) – 半絕緣多晶矽 ? 利用 LPCVD 通入 SiH4 / N2O 在適當(dāng)之溫度時間與氣體流量下，於晶片表面形成一層薄膜 ? 目的： 1.) 可適度的提升崩潰電壓 ( VB ) ? 缺點： 1.) 逆向漏電流較高 Andy Kang SIPOS 沉積 晶片 N N+ P+ SIPOS SIPOS Andy Kang 進黃光室 ? 將 SIPOS 沉積 完成之晶片送至黃光室，並準(zhǔn)備進行 光阻玻璃塗佈 Andy Kang 2nd Photo ( 二次黃光 ) 光阻玻璃塗佈 軟烤 對位曝光 顯影 將光阻 玻璃 以旋轉(zhuǎn)塗佈機均勻的塗佈在晶片表
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