《gpp制程簡介rea》ppt課件-文庫吧
2025-04-20 12:15 本頁面
【正文】 化 完成之晶片拉出 熱氧化 爐 將材料收起來並準備進黃光室 排晶片 熱氧化完成 後出爐狀況 灰色表示晶片 黑色表示石英舟 Andy Kang 熱氧化生成之方法與其特性比較 通入氣體 矽晶片是否 參與反應 成長速率 氧化層結構 乾氧 O2 是 慢 密實 濕氧 H2+O2 是 H2O 是 APCVD SiH4+O2 否 LPCVD SiH4+O2 / TEOS 否 PECVD SiH4+N2O 否 快 鬆散 Andy Kang 熱氧化 ? 於晶片表面形成一層 SiO2，以利於後續(xù)黃光作業(yè)之光阻塗佈 晶片 N N+ P+ 氧化層 Andy Kang 1st Photo ( 一次黃光 ) HMDS烤箱烘烤 光阻塗佈 軟烤 對位曝光 顯影 將做完熱氧化之晶片送進 HMDS 烤箱烘烤，確保無水分殘留， 并于芯片表面覆蓋一層促進接著劑 將光阻以旋轉塗佈機均勻的塗佈在晶片表面 將光阻內之有機溶液以約 90℃ 烘烤，以增加後續(xù) 對位曝光之解析度 將 軟烤 完成之晶片以對位曝光機進行圖形轉移 將曝光完成之晶片以顯影液將所須之圖形顯現出來 硬烤 將顯影完成之晶片送進 130 ℃ 之烤箱烘烤，使光阻固化 Andy Kang What is PR ( 光阻 ) ? 光阻本身主要成份為： 1.) 樹脂 2.) 感光劑 3.) 有機溶劑 ? 光阻可分為： 1.) 正光阻 ? 照射到紫外光後會產生解離現象，接著使用顯影液去除 2.)負光阻 ? 照射到紫外光後會產生聚合現象，無法使用顯影液去除 Andy Kang 一次黃光 晶片 N N+ P+ 氧化層 光阻 Andy Kang BOE Etch ( BOE 蝕刻 ) ? 將晶片送至化學蝕刻站，並以 BOE將裸露出來之氧化層去除 ? BOE ( Buffer Oxide Etchant )： 是一種含有 HF / NH4F / H2O2 (比例 1:6 )之溶液 優(yōu)點： 1.) HF 可蝕刻氧化層，而 NH4F 可補充 HF蝕刻氧化層所消耗掉之 F ，故可使蝕刻速率較為穩(wěn)定 缺點： 1.) 若 NH4F 所佔之比例過高時，再低溫下 ( 約小於 15℃ ) 反而容易形成結晶，進而造成蝕刻速率不穩(wěn)定 解決方法： 1.) 再不影響蝕刻速率下，適度的降低 NH4F 含量 Andy Kang BOE 蝕刻 晶片 N N+ P+ 氧化層 光阻 Andy Kang Grid Etch ( 格子蝕刻 ) ? 將 BOE 蝕刻完成之晶片送至格子蝕刻站，並準備進行格子蝕刻 ? 利用 HF / HNO3 / CH3COOH 之混合酸將裸露出來之矽進行蝕刻 HF：蝕刻 SiO2 HNO3 ：將矽氧化成 SiO2 CH3
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