陶瓷晶體結(jié)構(gòu)ppt課件-展示頁(yè)
2025-05-14 07:05本頁(yè)面
【正文】 CaF KCl BaTe SrTe NaCl NaI LiF ZnS型 ~ MgTe BeTe BaO BeS BeSe ??rr1. NaCl晶體 2. CsCl晶體 Calculate the ionic packing factor fro CsCl. Ionic radii are Cs+ = nm and Cl = nm. axzy?????? 21,21,21問(wèn)題： ① 格子構(gòu)造？ ② 密堆積情況？ ③ 單位晶胞內(nèi)含 CsCl的數(shù)目？ 3. 立方 ZnS晶體 (閃鋅礦 ) 晶胞結(jié)構(gòu) (001)面上的投影 [ZnS4]分布及連接 S Zn 平行六面體晶胞 4. 六方 ZnS晶體 (纖鋅礦 ) 二 MX2型晶體結(jié)構(gòu) 螢石晶胞結(jié)構(gòu)圖 F Ca 1. CaF2晶體 問(wèn)題： ① 格子構(gòu)造？ ② 密堆積情況？ ③ 單位晶胞內(nèi)含 CaF2的數(shù)目？ 四面體及其連接][ 4F C a立方體及其連接][ 8C a F從空間格子看 ， CaF2結(jié)構(gòu)由一套 Ca2+離子的面心立方格子和 2套 F離子的面心立方格子相互穿插而成 。 3） 根據(jù)電價(jià)規(guī)則 ， 在下面情況下 ， 空隙內(nèi)各需填入何種價(jià)數(shù) 的陽(yáng)離子 ， 并對(duì)每一種結(jié)構(gòu)舉出一個(gè)例子 。 例： 1） 畫(huà)出 O2離子作面心立方堆積時(shí) ， 各四面體空隙和八面體空 隙的所在位置 （ 以一個(gè)晶胞為結(jié)構(gòu)基元表示出來(lái) ） 。 5 節(jié)約規(guī)則 在同一晶體中，組成不同的結(jié)構(gòu)基元的數(shù)目趨向于最少。 1 1 4 不同配位多面體連接規(guī)則 若晶體結(jié)構(gòu)中含有一種以上的正離子 ， 則高電價(jià) 、 低配位的多面體之間有盡可能彼此互不連接的趨勢(shì) 。 3 陰離子配位多面體的共頂、共棱、共面規(guī)則 在一個(gè)配位結(jié)構(gòu)中 ， 共用棱 ， 特別是共用面的存在會(huì)降低這個(gè)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性 。 判斷共用一個(gè)頂點(diǎn)的多面體的數(shù)目。 1 配位多面體規(guī)則 陰離子成最緊密堆積，且相互接觸， 陽(yáng)離子則無(wú)間隙地充填八面體空隙時(shí)，計(jì)算兩者半徑比之圖解 arcr陽(yáng)離子配位數(shù) 陰離子配位 多面體的形狀 ac rr /實(shí)例 2 靜電價(jià)規(guī)則 在一個(gè)穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)中 ， 每一個(gè)負(fù)離子電荷數(shù)等于或近似等于相鄰正離子分配給這個(gè)負(fù)離子的靜電鍵強(qiáng)度的總和 ， 其偏差 ≤1/4價(jià) 。 試用晶體結(jié)構(gòu)及鮑林規(guī)則說(shuō)明密度相差大的原因 。 ? ? ? ?? ?? ?? ?? ?3723323332104 2 4 2 4 2 0 5 2 344422cmgaNMnD%0 .0 5 2 2nmRRaOMgnmRRVOMg4N a C lM g O30gOMOgM2OgMgOM222???????????????????????? 密度：故致密度 觸：在面心立方的棱邊上接和因 。 最密積結(jié)構(gòu)——FCC 最密積結(jié)構(gòu)——HCP 密積結(jié)構(gòu)——BCC 例：以 NaCl晶胞 為例，說(shuō)明等徑球面心立方緊密堆積中的八面體和四面體空隙的位置和數(shù)量，并計(jì)算其空間利用率。 總結(jié)： 晶體與非晶體 空間點(diǎn)陣 —— 布拉維格子 空間點(diǎn)陣 —— 復(fù)式格子 晶體結(jié)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1