【正文】 ω=2πf。 （ b） 電容器的阻抗特性 圖 2 — 2 LCRCC( a )阻抗頻率 f( b )0第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 5 實(shí)際電容的阻抗特性 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 6 3. 高頻電感器的電感量是其主要參數(shù) 。 高頻電感器也具有自身諧振頻率 SRF。 阻抗與相角阻抗相角頻率 fS RF0 圖 2 — 3 高頻電感器的自身諧振頻率 SRF 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 7 導(dǎo)線趨膚效應(yīng)示意圖 趨膚效應(yīng) ：交變電流通過導(dǎo)體時(shí)，由于感應(yīng)作用引起導(dǎo)體截面上電流分布不均勻，愈近導(dǎo)體表面電流密度越大。趨膚效應(yīng)使導(dǎo)體的有效電阻增加。 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 8 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 9 高頻電路中的有源器件 1） 半導(dǎo)體二極管在高頻中主要用于檢波 、 調(diào)制 、 解調(diào)及混頻等非線性變換電路中 , 工作在低電平 。 是一種利用 PN結(jié)電容 （ 勢(shì)壘電容 )與其反向偏置電壓的依賴關(guān)系而制成的二極管 。 普通可變電容采用機(jī)械調(diào)節(jié)改變?nèi)萘?， 變?nèi)荻O管用電調(diào)方式改變?nèi)萘?， 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 10 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 11 2） 晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管（ FET） 在高頻中應(yīng)用的晶體管仍然是雙極晶體管和各種場(chǎng)效應(yīng)管，這些管子比用于低頻的管子性能更好 , 在外形結(jié)構(gòu)方面也有所不同。 另一類為高頻功率放大管 , 除了增益外 , 要求其在高頻有較大的輸出功率。 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 13 ? 振蕩（諧振）回路 ? 高頻變壓器 ? 諧振器 ? 濾波器 ? 平衡調(diào)制（混頻）器 ? 正交調(diào)制（混頻）器 ? 移相器 ? 匹配器 ? 衰減器 ? 分配器與合路器等 高頻電路中的組件 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 14 1. 高頻振蕩回路 高頻振蕩回路是高頻電路中應(yīng)用最廣的無(wú)源網(wǎng)絡(luò)，也是構(gòu)成高頻放大器、 振蕩器以及各種濾波器的主要部件，在電路中完成 阻抗變換、 信號(hào)選擇等 任務(wù) , 并可直接作為負(fù)載使用。 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 17 單振蕩回路 耦合振蕩回路 振蕩回路（由 L、 C組成） 各種濾波器 LC集中濾波器 石英晶體濾波器 陶瓷濾波器 聲表面波濾波器 串聯(lián)振蕩回路 并聯(lián)振蕩回路 通信電路中常用的 選頻網(wǎng)絡(luò)分為兩大類第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 18 要求 fo f1 f2 理想 實(shí)際 α(f)=H(f ) / H(fo) f 0 0df )f(dH ?通頻帶外的幅頻特性應(yīng)滿足 0)f(H ? 理想的幅頻特性應(yīng)是矩形，既是一個(gè)關(guān)于頻率的矩形窗函數(shù)。 理想的選頻電路通頻帶內(nèi)的幅頻特性 ?選頻電路的通頻帶寬度 傳輸信號(hào)有效頻譜寬度 相一致 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 19 LrCX?? 00容性 感性(a)(b)|ZS|r0?0?(c)0－ ?/2?0?(d)?/2?Example11: The series LRC circuit has the following ponent values: r =10?, L=10?H, and C=100pF Determine the impedance Z, the current for VZ=10Vrms (root mean square), the resulting voltage dropped across the capacitor, and the power dissipated by the circuit. (all at f=). Solution: 1. At f = , ? = 2?* = rad/s, XL = ?L = , XC = 1/?C = , Hence, Z = 10 + = 10 + = ∠ 80186。 = 175mA ∠ 80186。 indicates that the current lags the applied voltage (or the voltage leads the current) for this essentially inductive circuit. 3. Vc = iXC = (175mA ∠ 80186。) = ∠ 170186。 4. Pr = i 2r = (1A)2(10?) = 10W. 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 21 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 22 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 23 Remarkable result: 1. The current reaches a maximum at resonance which is limited only by the circuit resistance. 2. The voltage dropped across the capacitor is 316V, but the voltage applied to the circuit is only 10V! This is increase of times. The ratio of is called the Q (quality factor) of the circuit. Q is also can be calculated from 316?/10?, which formally is Q =XL/r ( or Q =XC/r ) Circuit Q is defined as the ratio of maximum energy stored to the amount lost per ac cycle. 3. The Q of a circuit is very important in munications because it determines the 3dB bandwidth of resonant circuits. 4. BW = f0/Q BW = 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 24 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 25 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 26 LrCX?? 00容性 感性( a )( b )|ZS|r0?0?( c )0－ ? /2?0?( d )? /2? 圖 2 — 4 串聯(lián)振蕩回路及其特性 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講