【正文】 件和組件 56 耦合回路的通頻帶與矩形系數(shù) 根據(jù)前述單回路通頻帶的定義，當(dāng) Q1 = Q2 = Q， ?01 = ?02 = ? 時可導(dǎo)出： 21m a x22 ??II?QfAAfB 02 122 ?????? ???? KQffB ， KQfB ，? (2) 一般采用 A稍大于 1，這時在通帶內(nèi)放大均勻， 且在通帶外衰減很大，有較理想的幅頻特性。但實際上，在各種放大電路中 RL正好等于信號源內(nèi)阻的情況是很少的。 為了便于研究，人們根據(jù)石英晶體的物理特性，在石英晶體內(nèi)畫出三種幾何對稱軸，連接兩個角錐頂點(diǎn)的一根軸 Z，稱為光軸；在圖（ b）中沿對角線的三條 X軸，稱為電軸；與電軸相垂直的三條 Y軸，稱為機(jī)械軸。它既表現(xiàn)為晶片的機(jī)械共振，又在電路上表現(xiàn)出電諧振。這是因為 、 由晶體尺寸決定，由于晶體的物理特性 、 它們受外界因素（如溫度、震動等）的影響小。 在壓電襯底的另一端可用第二個叉指形換能器將聲波轉(zhuǎn)換成電信號。 圖示為一接有聲表面波濾波器的預(yù)中放電路，濾波器輸出端與一寬帶器相接。 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 73 0sff?0sA nA?0A當(dāng)外加信號頻率 時 ， 各節(jié)所發(fā)出的表面波同相迭加，振幅最大，總振幅 （ 為每節(jié)所激發(fā)聲波強(qiáng)度振幅）。 圖 表面聲波濾波器結(jié)構(gòu)示意圖 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 71 電信號由交叉指形換能器轉(zhuǎn)換成聲波。 qp? ? ???eX 呈感性。 圖 石英晶體的各種切割方式 （ a） X切割 （ b） Y切割 （ c） AT切割 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 65 石英晶體的電特性 （ 1）石英晶體特有的正、反兩種壓電效應(yīng) 正壓電效應(yīng)：當(dāng)沿晶體的電軸或機(jī)械軸施以張力或壓力時，就在垂直于電軸的兩面上產(chǎn)生正、負(fù)電荷，呈現(xiàn)出電壓。 如果把輸入端和輸出端對調(diào)就成為 4： 1傳輸線變壓器。 us us us RL RL RL Rs Rs Rs (a) 結(jié)構(gòu)示意圖 (c) 普通變壓器的原理電路 (b) 原理電路圖 u1 u2 u1 u2 上網(wǎng)查傳輸線變壓器寬頻帶原理 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 58 兩根導(dǎo)線緊靠在一起，所以導(dǎo)線任意長度處的線間電容很大，且在整個線上均勻分布。 耦合回路 由兩個或者兩個以上的單振蕩回路通過各種不同的耦合方式組成 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 53 常用的兩種耦合回路： 2 、耦合系數(shù) k及耦合因子 A 按耦合參量的大?。?強(qiáng)耦合、弱耦合、臨界耦合 (a)電感耦合回路 (b)電容耦合回路 為此，引入 “ 耦合系數(shù) ” 的概念來說明回路間耦合程度的強(qiáng)弱并以 k表示。 (3) 若放大器所需的帶寬 B= MHz, 則應(yīng)在回路上并聯(lián)多大電阻才能滿足放大器所需帶寬要求 ? 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 42 CfCL 20220 )2(11?? ???? uL (2) 回路諧振電阻和帶寬 ??? kLQR ?解 : (1) 計算 L值 回路帶寬為 k H zQfB 1 0 00 ?? (3) 求滿足 MHz帶寬的并聯(lián)電阻 總的回路有載品質(zhì)因數(shù)為 QL 200 ??BfQL 回路總電阻為 ?????????kRRRkLQRRRR00101010 ?需要在回路上并聯(lián) kΩ的電阻。 一般 Q為幾十到幾百，因此信號源的電流不是很大，而支路 內(nèi)的電流卻是很大。 99第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 31 信號源內(nèi)阻及負(fù)載對串聯(lián)諧振回路的影響 LS0L RRRLQ???? 通常把沒有接入信號源內(nèi)阻和負(fù)載電阻時回路本身的Q值叫做無載 Q（空載 Q值） 如式 把接入信號源內(nèi)阻和負(fù)載電阻的 Q值叫做有載 Q值，用QL表示： oo QRLQ ?? ?其中 R為回路本身的損耗， RS為信號源內(nèi)阻， RL為負(fù)載 結(jié)論：串聯(lián)諧振回路通常適用于信號源內(nèi)阻 Rs很小 (恒壓源）和負(fù)載電阻 RL也不大的情況。 = 175mA ∠ 80186。 另一類為高頻功率放大管 , 除了增益外 , 要求其在高頻有較大的輸出功率。趨膚效應(yīng)使導(dǎo)體的有效電阻增加。 理想電容器的阻抗1/(jωC), 如圖 22（ b）虛線所示 . 其中 , f為工作頻率 , ω=2πf。 一個電阻 R的高頻等效電路如圖 2 — 1所示 , 其中 , CR為分布電容 , LR為引線電感 , R為電阻。 在 SRF上 , 高頻電感的阻抗的幅值最大 , 而相角為零 , 如圖 2 — 3所示 。 反偏電壓愈大 ，則結(jié)電容愈小 。 定義矩形系數(shù) ： 2/%22 PPffK ???? ： f2)ff(2ffB ??????顯然 ， 理想選頻電路的矩形系數(shù) =1， 而實際選頻電路的矩形系數(shù)均大于 1。 4. The power dissipated in the circuit is that lost in the resistance, Pr = i 2r = (175mA)2(10?) = 306mW. 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 20 Series resonance The magnitude of the impedance for the series circuit, |Z|=|r+j(XLXC)|, has a minimum value at the frequency that causes the reactive ponents to cancel each other. This condition, called resonance, leaves a purely resistive impedance, Z = r. To show what a dramatic difference resonance can produce, repeat Example11 at a frequency just 10% below the used before. Solution: Resonance occurs at ?0 = 1/? LC = rad/s , f0 = 1. XL = ?0L = 316?, and XC= 1/?0C = 316?, Hence, Z = 10 + j316 – j316 = 10 ? 2. i = v/Z = 10V/ 10? = 1A = Imax. 3. Vc = iXC = (1A )(j316?) = 316V ∠ 90186。 （ c）阻抗特性 。與 LSL RRQ 、?性。 C2C12 0 0 0 p F5 0 0R12 0 0 0 p F1 0 ? HLi ＝ I c o s 1 0 7 tI ＝ 1 m A＋－u1( t )圖 2 — 11 例 2的抽頭回路 第 2章 高頻電路基礎(chǔ) 第二講 高頻電路中的元件、器件和組件 49 解 由于忽略了回路本身的固有損耗 , 因此可以