晶體二極管ppt課件-展示頁
2025-05-09 18:43本頁面
【正文】 本征激發(fā)（ Intrinsic Excitation） 產(chǎn)生本征激發(fā)的條件：加熱、光照及射線照射。 在本征半導體中，激發(fā)出一個自由電子，同時便產(chǎn)生一個空穴。 晶體共價鍵結構平面示意圖+4 +4 +4+4+4+4 +4+4 +4共價鍵 導 體的 導電 原理 ⑴ 本征半導體 （ Intrinsic Semiconductor） 純凈的、結構完整的單晶半導體，稱為本征半導體。 簡化原子結構模型如圖的簡化形式。半導體的導電能力具有獨特的性質。晶體二極管一、半導體的導電性二、 PN結及其單向導電性三、晶體二極管及其特性 *四、特殊二極管 *一、半導體的導電性 1. 半導體 (semiconductor)⑴ 場效應管及其放大電路第一節(jié) 射極輸出器第五節(jié) 基本放大電路第四節(jié) 晶體三極管第三節(jié) 晶體二極管第二節(jié) 放大器的基本原理第一節(jié) 第二章 半導體的物理特性 物質根據(jù)其導電性能分為 導 體 絕緣體 半導體216。① 溫度升高時，純凈的半導體的導電能力顯著增加； ② 在純凈半導體材料中加入微量的 “雜質 ”元素，它的電導率就會成千上萬倍地增長； ③ 純凈的半導體受到光照時，導電能力明顯提高。+4慣性核價電子硅和鍺的簡化原子模型⑵ 半導體的晶體結構 單晶半導體結構特點 共價鍵 :由相鄰兩個原子各拿出一個價電子組成價電子對所構成的聯(lián)系。 物質導電能力的大小取決于其中能參與導電的粒子 — 載流子的多少。電子和空穴總是成對地產(chǎn)生，稱為電子空穴對。 空穴的運動實質上是價電子填補空穴而形成的。 半導體中有兩種載流子：自由電子載流子（簡稱電子）和空穴載流子（簡稱空穴）， 它們均可在電場作用下形成電流。 l本征半導體的物理性質：純凈的半導體中摻入微量元素，導電能力顯著提高。 l摻入了 “ 雜質 ” 的半導體稱為 “ 雜質 ” 半導體。 雜質 半導體分為： N型半導體和 P型半導體。 l摻入的五價雜質原子占據(jù)晶體中某些硅（或鍺）原子的位置。N型半導體晶體結構示意圖 在室溫下就可以激發(fā)成自由電子 空位AP型半導體晶體結構示意圖+4 +4 +4+4+4+3 +4+4 +4共價鍵216。216。⑶ 載流子的漂移運動和擴散運動 ① 漂移運動 有電場力作用時，電子和空穴便產(chǎn)生定向運動，稱為漂移運動。② 二、 PN結及其單向導電性 PN結 (PN Junction )： 是指在 P型半 導 體和 N型半 導 體的交界 處形成的空 間電 荷區(qū)。
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