時序邏輯電路設計ppt課件-展示頁
2025-05-09 18:20本頁面
【正文】 存器 負鎖存器當 clk = 1時，采樣當 clk = 0時，保持clkInQ當 clk = 1時，保持當 clk = 0時，采樣AA當 In = 0時 , A = VDD VTn 當 In = 1時 , A = | VTp |. 38合肥工業(yè)大學應用物理系clk 主級 保持從級 采樣主級 采樣從級 保持TSPC正沿觸發(fā)鎖存器clkD clk QclkclkXYM1M2M3 M6M5M4 M7M8M9onoffonoff ? D ? D. 39合肥工業(yè)大學應用物理系例 TSPC的晶體管尺寸問題01230 1Time (nsec)VoltsclkQorigQmod晶體管尺寸初始寬度 M4, M5 = ?m M7, M8 = 2?m修改后的寬度 M4, M5 = 1?m M7, M8 = 1?mQmodQorig. 40合肥工業(yè)大學應用物理系 流水線：優(yōu)化時序電路的一種方法? 流水線是一項提高資源利用率的技術，它增加了電路的數(shù)據(jù)處理量. 41合肥工業(yè)大學應用物理系 鎖存型流水線與寄存型流水線. 42合肥工業(yè)大學應用物理系 NORACMOS：流水線結構的一種邏輯形式clk clk clkclkC1 C2OutF Gclk clk C3? 只要鎖存器之間的所有邏輯功能塊 F(用靜態(tài)邏輯實現(xiàn) )不是反相的，C2MOS的流水線電路即是無競爭的. 43合肥工業(yè)大學應用物理系? 00重疊區(qū)的競爭情況? 11重疊區(qū)的競爭情況– 類似分析clk clk clkclk0. 44合肥工業(yè)大學應用物理系NORACMOS模塊的例子. 45合肥工業(yè)大學應用物理系 非雙穩(wěn)時序電路 施密特觸發(fā)器重要特性：? 對于一個變化很慢的輸入波形，在輸出端有一個快速翻轉的響應? 該器件的電壓傳輸特性表明對正向和負向變化的輸入信號有不同的開關閾值VinVout VOHVOLVM– VM+In Out. 46合肥工業(yè)大學應用物理系用施密特觸發(fā)器抑制噪聲? 注意滯環(huán)如何抑制了信號上的振蕩? 注意輸出信號快速地由低至高 (和由高至低 )翻轉. 47合肥工業(yè)大學應用物理系CMOS實現(xiàn)? 基本設想是 CMOS反相器開關閾值是由 PMOS管和 NMOS管之間的 (導電因子 )比率 (kn/kp)決定的. 48合肥工業(yè)大學應用物理系例 CMOS施密特觸發(fā)器A. 具有滯環(huán)的電壓傳輸特性 B. 改變 PMOS器件 M4的尺寸比的影響VM2VM1 Vx(V)Vin(V)k=2 k=3k=4k=1 Vx(V)Vin(V). 49合肥工業(yè)大學應用物理系思考題 另一種 CMOS施密特觸發(fā)器. 50合肥工業(yè)大學應用物理系 單穩(wěn)時序電路? 單穩(wěn)元件是每當其靜止狀態(tài)受到一個脈沖或一個翻轉事件觸發(fā)時就產生一個寬度確定的脈沖電路? 常用的方法是采用一個簡單的延時單元來控制脈沖的寬度. 51合肥工業(yè)大學應用物理系 不穩(wěn)電路? 不穩(wěn)電路不具有穩(wěn)定狀態(tài)? 其輸出在兩個準穩(wěn)態(tài)之間來回振蕩，其周期由電路的拓撲結構和參數(shù) (延時、電源電壓等 )決定? 舉例：環(huán)振0 1 2 N15級環(huán)
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