計(jì)算機(jī)組成原理存儲(chǔ)器-展示頁(yè)
2025-05-09 12:01本頁(yè)面
【正文】 斑的有無表示信息 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 存儲(chǔ)器分類 按存取方式分類 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 隨機(jī)存取：可按地址訪問存儲(chǔ)器中的任一單元，訪問時(shí)間與地址單元無關(guān) RAM: MROM： 可讀可寫 ROM: 只讀不寫 PROM： 用戶不能編程 用戶可一次編程 EPROM： 用戶可多次編程 EEPROM： 用戶可多次編程 SRAM: DRAM: 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 存儲(chǔ)器分類 順序存取存儲(chǔ)器（ SAM） 訪問時(shí)按讀 /寫部件順序查找目標(biāo)地址，訪問時(shí)間與數(shù)據(jù)位置有關(guān) 等待操作 平均等待時(shí)間 讀 /寫操作 兩步操作 速度指標(biāo) （ ms） 數(shù)據(jù)傳輸率 （字節(jié) /秒） 存取周期或讀 /寫周期 （ ns） 速度指標(biāo)： 時(shí)鐘周期的若干倍 作主存、高速緩存。訪問時(shí)間與數(shù)據(jù)位置有關(guān) 三步操作 定位（尋道）操作 等待（旋轉(zhuǎn)）操作 讀 /寫操作 速度指標(biāo) 平均定位（平均尋道）時(shí)間 平均等待（平均旋轉(zhuǎn)）時(shí)間 數(shù)據(jù)傳輸率 （位 /秒） 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 存儲(chǔ)器分類 相聯(lián)存儲(chǔ)器：是一種特殊存儲(chǔ)器，是基于數(shù)據(jù)內(nèi)容進(jìn)行訪問的存儲(chǔ)設(shè)備。 讀取數(shù)據(jù)時(shí) CAM用所給數(shù)據(jù)同時(shí)對(duì)所有存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較標(biāo)記符合條件的數(shù)據(jù)。 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 主存儲(chǔ)器分類 半 導(dǎo) 體 存 儲(chǔ) 器 只讀 存儲(chǔ)器 ROM 隨機(jī)讀寫 存儲(chǔ)器 RAM 掩膜 ROM 可編程 ROM （ PROM ） 可擦除 ROM （ EPPROM ） 電擦除 ROM （ E 2 PROM ） 靜態(tài) RAM （ SRAM ） 動(dòng)態(tài) RAM （ DRAM ） ?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM： 可讀可寫、斷電丟失 ?只讀存儲(chǔ)器 ROM： 正常情況下只讀、斷電不丟失 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM（ radom access memry，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）要求元件有如下記憶特性： ? 有兩種穩(wěn)定狀態(tài)； ? 在外部信號(hào)的激勵(lì)下，兩種穩(wěn)定狀態(tài)能進(jìn)行無限次相互轉(zhuǎn)換； ? 在外部信號(hào)激勵(lì)下，能讀出兩種穩(wěn)定狀態(tài)； ? 可靠地存儲(chǔ)。 ? DRAM：除要電源有電外，還必須動(dòng)態(tài)地每隔一定的時(shí)間間隔對(duì)它進(jìn)行一次刷新，否則信息就會(huì)丟失。 W0 W1 b0 b1 b2 熔絲型 PROM 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 只讀存儲(chǔ)器 3. EPROM：可擦除可編程 ROM UVEPROM （ ultraviolet erasable programmable ROM） ?紫外線擦除 （ 有一石英窗口 ， 改寫時(shí)要將其置于一定波長(zhǎng)的紫外線燈下 ， 照射一定時(shí)間 全部擦除 ， 時(shí)間長(zhǎng)大約10~25分鐘 ） ?EPROM存在兩個(gè)問題 : A. 用紫外線燈的擦除時(shí)間長(zhǎng) . B. 只能整片擦除 ,不能改寫個(gè)別單元或個(gè)別位 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 只讀存儲(chǔ)器 EEPROM（ electronically EPROM) ?可在聯(lián)機(jī)情況下 ， 通過專用寫入器加高壓擦除 ?可多次 ， 支持?jǐn)?shù)據(jù)塊 擦除 5. 閃速存儲(chǔ)器 (Flash E2PROM)又稱快擦存儲(chǔ)器 ?是在 EEPROM基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新型電可擦可編程的非易失性存儲(chǔ)器 ? 特點(diǎn)：高密度 /非易失性 /讀 /在線改寫 。 ?擦寫次數(shù)可達(dá) 10萬次以上。 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 存儲(chǔ)器性能指標(biāo) 存取時(shí)間 TA（ Memory Access Time） ： 是存儲(chǔ)器收到讀或?qū)懙牡刂返綇拇鎯?chǔ)器讀出 （寫入）信息所需的時(shí)間 存取周期 TM（ Memory Circle Time）： 指連續(xù)啟動(dòng)二次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作（例連續(xù) 2次讀）所需間隔的最小時(shí)間 .一般 TM TA 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 存儲(chǔ)器性能指標(biāo) 存取寬度（ W） :也稱存取總線寬度 ,一次訪問可存取的數(shù)據(jù)位數(shù)或字節(jié)數(shù) . 存儲(chǔ)器帶寬 :也叫數(shù)據(jù)傳輸率 ,每秒從存儲(chǔ)器讀取信息量 ,常用字節(jié) /秒表示。 BM=W/ TM 若 TM=500ns,W=16位 , BM=16/=32Mbps則 要提高 BM:?使 TM ? ?使 W? ?增加存儲(chǔ)體 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 存儲(chǔ)器性能指標(biāo) 容量： 指計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)信息的能力 ,即最大的二進(jìn)制信息量，以 b或 B表示 信息的可靠保存性、非易失性、可更換性 有源存儲(chǔ)器：例半導(dǎo)體存儲(chǔ)器靠電源才能存信息 無源存儲(chǔ)器：磁盤、磁帶等輔存中的信息關(guān)電后不丟失 非易失性：掉電時(shí)，信息不會(huì)丟失 結(jié)論：評(píng)價(jià)存儲(chǔ)器的三個(gè)基本指標(biāo)： C(Capacity)+ C(Cost)+ A(Access Speed) 計(jì)算機(jī)組成原理 College of Computer Science, SWPU 主存儲(chǔ)器的組成 存儲(chǔ)體 時(shí)序控制電路 驅(qū)動(dòng)電路 地址譯碼器 地址寄存器 MAR 數(shù)據(jù) 寄存 器 MDR 讀 寫 電 路 數(shù)據(jù)總線 地址總線 計(jì)算機(jī)組成原理
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