【摘要】常用術(shù)語(yǔ)翻譯activeregion有源區(qū)2.activeponent有源器件3.Anneal退火4.atmosphericpressureCVD(APCVD)常壓化學(xué)氣相淀積5.BEOL(生產(chǎn)線)后端工序6.BiCMOS雙極CMOSwire焊線,引線硼磷硅玻璃length溝道長(zhǎng)度vapordepositi
2025-07-03 19:35
【摘要】......附件2西南大學(xué)博士研究生培養(yǎng)方案(報(bào)表)一級(jí)學(xué)科名稱外國(guó)語(yǔ)言文學(xué)專業(yè)名稱英語(yǔ)語(yǔ)言文學(xué)專業(yè)代碼050201
2025-05-07 19:44
【摘要】攝影測(cè)量與遙感專業(yè)攻讀博士生學(xué)位培養(yǎng)方案(專業(yè)代碼:授工學(xué)博士學(xué)位)一、培養(yǎng)目標(biāo)本專業(yè)培養(yǎng)具有國(guó)際學(xué)術(shù)視野,富有創(chuàng)新思維和創(chuàng)新能力,主動(dòng)適應(yīng)國(guó)家經(jīng)濟(jì)社會(huì)建設(shè)發(fā)展需要的高層次拔尖創(chuàng)新人才,具體要求是:矚慫潤(rùn)厲釤瘞睞櫪廡賴賃軔朧。.具有堅(jiān)定正確的政治方向;熱愛(ài)祖國(guó),熱愛(ài)人民,遵紀(jì)守法;誠(chéng)信公正,有社會(huì)責(zé)任感;具有良好的道德品質(zhì)與學(xué)術(shù)修養(yǎng)。聞創(chuàng)溝燴鐺險(xiǎn)愛(ài)氌譴凈禍測(cè)樅。.掌
2025-05-19 05:25
【摘要】英語(yǔ)語(yǔ)言文學(xué)專業(yè)博士生培養(yǎng)方案一、培養(yǎng)目標(biāo)本專業(yè)的培養(yǎng)目標(biāo)是:德、智、體全面發(fā)展。要求學(xué)生遵守中華人民共和國(guó)憲法和法律,進(jìn)一步掌握馬克思主義的基本原理,貫徹執(zhí)行中國(guó)共產(chǎn)黨十六大關(guān)于“三個(gè)代表”的重要思想,具有良好的思想品德和科學(xué)修養(yǎng),身心健康;精通英語(yǔ)、掌握一門第二外國(guó)語(yǔ),在英語(yǔ)語(yǔ)言文學(xué)方面掌握?qǐng)?jiān)實(shí)寬廣的基礎(chǔ)理論和系統(tǒng)深入的專業(yè)知識(shí),成為在“英詩(shī)與詩(shī)
2025-05-24 01:30
【摘要】常用術(shù)語(yǔ)翻譯activeregion有源區(qū)2.activeponent有源器件3.Anneal退火4.atmosphericpressureCVD(APCVD)常壓化學(xué)氣相淀積5.BEOL(生產(chǎn)線)后端工序6.BiCMOS雙極CMOSwire焊線,引線硼磷硅玻璃length溝道長(zhǎng)度vapordeposition(C
2025-07-02 23:23
2025-07-07 09:45
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)本征材料:純硅9-10個(gè)N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié):半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(WaferFabrication;簡(jiǎn)稱WaferFab)、晶
2025-07-05 12:08
【摘要】半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體器件原理與工藝?概述?半導(dǎo)體襯底?熱氧化?擴(kuò)散?離子注入?光刻?刻蝕?薄膜淀積?CMOS半導(dǎo)體器件原理與工藝摻雜摻雜擴(kuò)散離子注入擴(kuò)散的基本原理擴(kuò)散方法擴(kuò)散層的主要參數(shù)及檢測(cè)離子注
2025-03-02 15:11
【摘要】數(shù)學(xué)物理專業(yè)(0701Z1)培養(yǎng)方案(學(xué)術(shù)型博士研究生)MathematicalPhysics一、培養(yǎng)目標(biāo)和要求1.努力學(xué)習(xí)馬列主義、毛澤東思想和鄧小平理論,堅(jiān)持黨的基本路線,熱愛(ài)祖國(guó),遵紀(jì)守法,品德良好,學(xué)風(fēng)嚴(yán)謹(jǐn),具有較強(qiáng)的事業(yè)心和獻(xiàn)身精神,積極為社會(huì)主義現(xiàn)代化建設(shè)服務(wù)。2.掌握?qǐng)?jiān)實(shí)寬廣的理論基礎(chǔ)和系統(tǒng)深入的專門知識(shí),具有獨(dú)立從事科學(xué)研究工作的能力和社會(huì)管理方
2025-05-07 02:08
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-07 04:33
【摘要】第八章光刻哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝光刻工藝是半導(dǎo)體工藝過(guò)程中非常重要的一道工序,它是用來(lái)在晶圓表面建立圖形的工藝過(guò)程。這個(gè)工藝過(guò)程的目標(biāo)有兩個(gè)。首先是在晶圓表面建立盡可能接近設(shè)計(jì)規(guī)則中所要求尺寸的圖形;第二個(gè)目標(biāo)是在晶圓表面正確定位圖形。整個(gè)電路圖形必須被正確地定位于晶圓表面,電路圖形上單獨(dú)的每一部分之間的相對(duì)位置也必須是
2025-03-07 04:32
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)圖形曝光與光刻1圖形曝光與光刻現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)圖形曝光與光刻2圖形曝光與刻蝕圖形曝光(lithogra
2025-06-21 18:07
【摘要】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件原理一.半導(dǎo)體基礎(chǔ)二.pn結(jié)三.BJT四.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)五.MOSFET六.MS接觸和肖特基二極管七.JFET和MESFET簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件硅半導(dǎo)體表面?理想硅表面?鍵的排列從體內(nèi)到表面不變,硅體特性不受影響半導(dǎo)體器
2024-08-31 01:27
【摘要】雙極型晶體管哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝雙極型晶體管n晶體管的基本結(jié)構(gòu)和分類雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n均勻基區(qū)晶體管和緩變基區(qū)晶體管均勻基區(qū)晶
【摘要】雙極型晶體管哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝雙極型晶體管?晶體管的基本結(jié)構(gòu)和分類雙極型晶體管?晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管?晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管?晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管?晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管?均勻基
2025-01-21 09:19