電子企業(yè)技術(shù)中心工作總結(jié)-展示頁(yè)
2024-11-04 21:37本頁(yè)面
【正文】 LED 芯片開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化 、超高亮度藍(lán)光 ITO 芯片研制及產(chǎn)業(yè)化、 100lm/w 功率型白光 LED 制造技術(shù)、GaAs ITO芯片的研制 ,藍(lán)光粗化及激光剝離等技術(shù)等五個(gè)方面展開(kāi)了研發(fā)工作。 下面將 2020 年技術(shù)中心的工作總結(jié)如下： 一、 企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略的制定與實(shí)施情況 （包括在重點(diǎn)產(chǎn)品與工藝開(kāi)發(fā)方面的工作情況及成效 ） 三安技術(shù)中心是三安電子有限公司設(shè)立的研究開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)，是企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的核心，是企業(yè)技術(shù)進(jìn)步和技術(shù)創(chuàng)新的主要技術(shù)依托。1 廈門(mén)三安電子有限公司技術(shù)中心 工作總結(jié) 技術(shù)中心作為技術(shù)創(chuàng)新的核心機(jī)構(gòu)，在企業(yè)的發(fā)展中起著重要的作用。2020 年度我司技術(shù)中心不斷為企業(yè)提供優(yōu)秀的新產(chǎn)品，推動(dòng)企業(yè)的發(fā)展壯大。 技術(shù)中心 制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的技術(shù)戰(zhàn)略規(guī)劃，明確了技術(shù)中心在企業(yè)中的重要位置和中心任務(wù)，同時(shí)也完善了技 術(shù)中心的主要職責(zé)，通過(guò)制定技術(shù)中心的戰(zhàn)略目標(biāo)及近期的技術(shù)研發(fā)目標(biāo)，使技術(shù)中心的研發(fā)工作與公司的產(chǎn)品線相配套，不僅提升了三安產(chǎn)品的品質(zhì)，同時(shí)也加快了這些高科技產(chǎn)品在中國(guó)的產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。 大功率高亮度半導(dǎo)體 LED 芯片開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化 大功率高亮度半導(dǎo)體 LED 芯片是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體照明的關(guān)鍵。同時(shí)采用獨(dú)特的底板和芯片設(shè)計(jì)原理，結(jié)合先進(jìn)的外延特點(diǎn)，使用倒裝焊技術(shù)，使量子效率得到了極大的提高，成功解決了反向漏電流隨芯片尺寸增加而增加的技術(shù)難題，使半導(dǎo)體照明用的大功率高亮度芯片成為現(xiàn)實(shí)。 超高亮度藍(lán)光 ITO 芯片研制及產(chǎn)業(yè)化 隨著白光 LED 的發(fā)展，封裝廠家對(duì)藍(lán)光芯片亮度的要求越來(lái)越好， ITO工藝與現(xiàn)有的 藍(lán)綠光芯片工藝相比，亮度提高 30%－ 50%，且其它性能也與現(xiàn)有的藍(lán)綠光芯片工藝相當(dāng)，因此， ITO 產(chǎn)品越來(lái)越受到封裝廠家的青睞，市場(chǎng)需求與日俱增。 本項(xiàng)目通過(guò)研究 ITO 材料的特性及工作機(jī)理 。ITO 材料組分的設(shè)計(jì)及優(yōu)化 。ITO 芯片制作工藝的建立的優(yōu)化 。 該項(xiàng)目于 2020 年 9 月進(jìn)入了試生產(chǎn)及試銷(xiāo)售，客戶反映良好。通過(guò)自主創(chuàng)新，突破 LED 外延材料、芯片和器件封裝的關(guān)鍵制造技術(shù)，開(kāi)發(fā)出100lm/W 功率型 LED 制造技術(shù)以滿足半導(dǎo)體照明的要求，并建立具有國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平的外延、芯片、封裝規(guī)?；a(chǎn)線。5nm；綠光波長(zhǎng) 525177。 5nm，芯片光輸出功率效率≥ 360 mW/W，綠光波長(zhǎng) 525177。以產(chǎn)業(yè)化為目標(biāo)，創(chuàng)新性器件結(jié)構(gòu)、散熱、光學(xué)性能設(shè)計(jì)，優(yōu)化軟性硅橡膠、熒光粉、焊劑等封裝材料，突破共晶焊等關(guān)鍵工藝技術(shù)； 目前，該項(xiàng)目已達(dá)到的技術(shù)指標(biāo)值：藍(lán)光 LED 芯片功率＞ 210mW/W 封裝白光發(fā)光效率≥ 55lm/W；綠光 LED 芯片功率 ≥ 95mW/W。 下一步技術(shù)中心的主要研究方向?yàn)椋海?1）垂直結(jié)構(gòu) LED 工藝建立；（ 2）橫向外延過(guò)生長(zhǎng)研究；（ 3）薄膜倒裝技術(shù)研究；（ 4）光子晶體技術(shù)研究；（ 5）微芯集成研究； GaAs ITO 芯片的研制 GaAs 芯片采用 ITO 工藝，在 LED 業(yè)界中，目前所知只有臺(tái)灣晶元的產(chǎn)品。目前，四元芯片采用 ITO 工藝很大程度上 降低了外延生長(zhǎng)和設(shè)備維護(hù)的成本，提高外延機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能。 項(xiàng)目成果
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