電子企業(yè)技術(shù)中心工作總結(jié)-文庫吧資料
2024-10-31 21:37本頁面
【正文】 創(chuàng)新相結(jié)合 技術(shù)中心既重視對引進技術(shù)的消化和吸收，又堅持創(chuàng)新和自主開發(fā)。 （ 7）負責(zé)相關(guān)技術(shù)動態(tài)、技術(shù)資料的收集和保管 。 企業(yè)技術(shù)中心組織機 構(gòu)圖如下 ： 4 技術(shù)中心的定位及職能說明 技術(shù)中心作為我司生產(chǎn)研發(fā)，技術(shù)創(chuàng)新的核心部門，其主要職能有以下方面： （ 1） 負責(zé)外延產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)設(shè)計、芯片設(shè)計、產(chǎn)品包裝設(shè)計、工程規(guī)劃設(shè)計等技術(shù)開發(fā)計劃的制定、審批、過程監(jiān)督、考核；（具體實施由各有關(guān)部門執(zhí)行） （ 2）負責(zé)新品的樣機、樣品制作的審批及產(chǎn)品定型評審的組織； （ 3）負責(zé)建立新開發(fā)產(chǎn)品的 技術(shù)資料、工程圖紙、材料清單等成套相關(guān)技術(shù)文件的審批、文件備份管理，記錄并保全公司專有技術(shù)資料 。全部項目均已轉(zhuǎn)入生產(chǎn)。下一步主要進行一些重復(fù)性實驗和局部工藝步驟的優(yōu)化，提升 ITO 亮度，力爭取代增光工藝，在較快時間內(nèi)導(dǎo)入量產(chǎn)。 2020 年初我司技術(shù)中心在原有藍、綠光 ITO 技術(shù)的基礎(chǔ)上，在 ITO接觸層的選擇、生長條件的優(yōu)化和芯片工藝制程等關(guān)鍵技術(shù)方面進行攻關(guān)，經(jīng)過半年多的實驗，取得較大進展，建立了四元 ITO 芯片工藝。預(yù)計明年初可實現(xiàn)藍光 LED 芯片功率≥ 280mW/W；封裝白光發(fā)光效率≥ 75lm/W；綠光 LED 芯片功率≥ 130mW/W；到 2020 年實現(xiàn)藍光 LED 芯片功率≥360mW/W；封裝白光發(fā)光效率≥ 100lm/W；綠光 LED芯片功率 ≥ 180mW/W。 5nm，芯片光輸出功率效率≥ 180mW/W； （ 3）基于藍光加熒光粉產(chǎn)生白光技術(shù)路線的 100lm/W 功率型白光 LED 器3 件封裝關(guān)鍵技術(shù)。 5nm； （ 2）功率型 GaN 藍、綠光 LED 芯片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)研究，包括歐姆接觸、倒裝、襯底剝離、鍵合、表面粗化、透明電極等關(guān)鍵工藝技術(shù)，藍光波長455177。 本課題于 2020 年 10 月 底立項，項目計劃執(zhí)行期為三年，主要通過對以下內(nèi)容的研發(fā)及攻關(guān)以達到課題研制目的： （ 1）高質(zhì)量低位錯密度、高效率功率型 GaN LED 外延片，藍光波長 455177。 100lm/w 功率型白光 LED 制造技術(shù) 本課題的目的是研究開發(fā)高效節(jié)能、長壽命的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品。提高ITO 芯 片的可靠性等研究內(nèi)容以達到：工作電壓 ，藍光 LED 芯片亮度≥ 100mcd、 綠光 LED芯片亮度≥ 350mcd 的技術(shù)指標(biāo)。ITO 膜蒸發(fā)工藝的設(shè)計及優(yōu)化：包括氧氣分壓、氧氣流量、鍍膜溫度、蒸發(fā)速率等 。與 ITO材料接觸的 N+層的設(shè)計及優(yōu)化：包括 N+層材料、厚度、摻雜濃度及生長工藝的設(shè)計和優(yōu)化。三安電子緊跟市場的需求發(fā)展，于 2020 年未開始投入超高亮度藍光 ITO 芯片的研制工作。 2 目前，該項目已投入小批量試生產(chǎn)階段。為了 提高半導(dǎo)體照明發(fā)光強度， 我司技術(shù)中心 通過改善發(fā)光和出光效率，以提高器件電流來解決單一芯片的光通量，有效解決了高電流驅(qū)動、散熱、出光效率和可靠性等技術(shù)難點。 2020 年 ，技術(shù)中心主要在大功率高亮度半導(dǎo)體
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