【摘要】清華大學(xué)華成英模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?本課程是入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課清華大學(xué)華成英一、電子技術(shù)的發(fā)展?47年貝爾實驗室制成第一只晶體管?58年集成電路?69年大規(guī)模集成電路?75年超大規(guī)模集成電路?第一片集成電路只有4個晶體管,而97年一片集成電路上有40億
2024-10-15 15:00
【摘要】專業(yè)班號姓名學(xué)號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點的幅值沒有得到
2025-04-03 04:55
【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計算題五、設(shè)計題模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)一、填空題1)根據(jù)導(dǎo)電能力來衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導(dǎo)體)和(半導(dǎo)體)三類。2)P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2025-08-14 08:50
【摘要】云南民族大學(xué)教案課程名稱:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)授課班級:12級電子信息類1班、12級電子信息類2班、12級網(wǎng)絡(luò)工程班、12級電氣類1班、12級電氣類2班任課教師:王 霞職稱:助 教
2025-08-14 08:30
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》主編:黃瑞祥副主編:周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運算放大器理想運算放大器的功能與特性理想運算放大器的電路符號與端口理想運算放大器的功能與特性運算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開環(huán)增益的影響加權(quán)加法器運算放大器的同
2025-07-04 22:30
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-14 07:58
【摘要】WORD格式整理電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達式(設(shè)初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2025-08-14 09:23
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-07-03 23:33
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)課程教學(xué)大綱一、課程的性質(zhì)和目的本課程是電類專業(yè)本科生的專業(yè)基礎(chǔ)課程。是電子技術(shù)方面入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課。本課程的任務(wù)是使學(xué)生獲得電子技術(shù)方面的基本理論、基本知識和基本技能,培養(yǎng)學(xué)生分析問題和解決問題的能力,為今后深入學(xué)習(xí)電子技術(shù)某些領(lǐng)域中的內(nèi)容,以及電子技術(shù)在專業(yè)中的應(yīng)用打好必要的基礎(chǔ).二、課程教學(xué)內(nèi)容、基本要求及學(xué)
2024-12-29 01:13
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一本試卷共10題一、判斷下列說法是否正確,凡對者打“√”,錯者打“×”(本大題分2小題,每小題5分,共10分),正確的在括號中畫“√”,否則畫“×”。1)一個理想對稱的差分放大電路,只能放大差模輸入信號,不能放大共模輸入信號。()2)共模信號都是直
2025-01-16 21:37
【摘要】《模擬電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章常用半導(dǎo)體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測得晶體管的各個電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型鍺管
2025-06-14 21:32
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場效應(yīng)晶體管及其基本放大電路第五章集成運算放大器及其應(yīng)用第六章負(fù)反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎(chǔ)知識第二章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路第十章直流穩(wěn)壓
2025-05-10 06:11
【摘要】翠屏電子職業(yè)技術(shù)學(xué)校電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalsofElectronics11.本課程的性質(zhì)電子技術(shù)基礎(chǔ)課2.特點?非純理論性課程?實踐性很強?以工程實踐的觀點來處理電路中的一些問題3.研究內(nèi)容以器件
2025-05-11 13:49
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴散
2024-11-10 08:43
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-04-04 01:56