[理學(xué)]ch3門電路-展示頁
2025-01-28 14:40本頁面
【正文】 三極管的飽和； ?放大區(qū)： iC 隨 iB成正比變化，幾乎不受 vCE變化的影響 ?截止區(qū)： 三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置，三極管失去放大作用。 集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴散過來的電子：由于集電結(jié)反向偏置，可將從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)并到達集電區(qū)邊緣的電子拉入集電區(qū)，從而形成較大的集電極電流 iC。 設(shè)加在二極管兩端的電壓為 VD （ 310） 圖 二極管伏安特性的幾種近似方法 （ 311） 圖 雙極型三極管的兩種類型 (a)NPN型 (b)PNP型 雙極型三極管的結(jié)構(gòu) （ 312） NPN三極管為例說明其內(nèi)部載流子運動規(guī)律和電流放大 ? 發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子：由于發(fā)射結(jié)處于正向偏置，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（自由電子）不斷擴散到基區(qū)，并不斷從電源補充進電子，形成發(fā)射極電流 iE。 而且電流增大時 ,二極管兩端的電壓基本不變。 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? （ 38） 圖 二極管開關(guān)電路 167。 ? 如果 N型一邊接外加電壓的正極， P型一邊接負(fù)極 ,則空穴和電子都向遠離界面的方向運動 ,使空間電荷區(qū)變寬，電流不能流過。它的電容量隨外加電壓改變。正負(fù)離子在界面附近產(chǎn)生電場，這電場阻止載流子進一步擴散，達到平衡。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區(qū)。 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性 （ 35） ? 當(dāng) P型和 N型半導(dǎo)體接觸時，在界面附近空穴從 P型半導(dǎo)體向 N型半導(dǎo)體擴散，電子從 N型半導(dǎo)體向 P型半導(dǎo)體擴散。 ? PN結(jié) (PN junction ) 在一塊單晶半導(dǎo)體中，一部分摻有雜質(zhì)是 P型半導(dǎo)體，另一部分摻有雜質(zhì)是 N型半導(dǎo)體時， P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體的交界面附近的過渡區(qū)稱為 PN結(jié)。在電場的作用下 ,空穴是可以移動的 ,而電離雜質(zhì)（離子）是固定不動的。 反之，用高電平代表 0、低電平代表 1，即所謂的 負(fù)邏輯系統(tǒng) 。 概述 門電路是用以實現(xiàn)邏輯關(guān)系的電子電路，與我們所講過的基本邏輯關(guān)系相對應(yīng)，門電路主要有： 與門 、 或門 、 與非門 、 或非門 、 異或門 等。 MOS門電路 167。 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性 167。（ 31） 第三章 門電路 167。 概述 167。 TTL門電路 167。 最簡單的與、或、非門電路 （ 32） 167。 在數(shù)字電路中，一般用高電平代表 低電平代表 0，即所謂的 正邏輯系統(tǒng) 。 （ 33） Vi Vo K Vcc R 1 0 0V Vcc 只要能判斷高低電平即可 K開 Vo=1, 輸出高電平 K合 Vo=0, 輸出低電平 可用二極管或三極管代替 構(gòu)成門電路的核心器件是半導(dǎo)體器件 （ 34） ? 在 P型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負(fù)電荷的電離雜質(zhì)。 ? N型半導(dǎo)體中有許多可動的負(fù)電子和固定的正離子。 167。空穴和電子相遇而復(fù)合，載流子消失。 ?P型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是負(fù)離子 ,N型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是正離子。 PN結(jié) （ 36） PN結(jié) （ 37） ? PN結(jié)加反向電壓時，空間電荷區(qū)中的正負(fù)電荷構(gòu)成一個電容性的器件。 ? 在 PN結(jié)上外加一電壓，如果 P型一邊接正極， N型一邊接負(fù)極，電流便從 P型一邊流向 N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區(qū)變窄，甚至消失，電流可以順利通過。 ——PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性 二極管的開關(guān)特性： 圖 二極管的伏安特性 （ 39） 二極管： 死區(qū)電壓 VON=0 .5V， 正向?qū)▔航??(硅二極管 ) 理想二極管： 死區(qū)電壓 =0 正向?qū)? 壓降 =0 二極管的開關(guān)特性： 導(dǎo)通： VD VON ——二極管相當(dāng)于開關(guān)閉合。 截止 ： VD VON ——二極管相當(dāng)于開關(guān)關(guān)斷。 電子在基區(qū)擴散和復(fù)合：由于基區(qū)很薄，其多數(shù)載流子（空穴）濃度很低，所以從發(fā)射極擴散過來的電子只有很少部分可以和基區(qū)空穴復(fù)合，形成比較小的基極電流 iB，而剩下的絕大部分電子都能擴散到集電結(jié)邊緣。 （ 313） 圖 雙極型三極管的特性曲線 (a)輸入特性曲線 （ 314） 圖 雙極型三極管的特性曲線 (b)輸出特性曲線 ?飽和區(qū)： 對應(yīng)于不同 ib的輸出特性曲線簇幾乎重合在一起。 （ 315） 圖 雙極型三極管的特性曲線 (b)輸出特性曲線 （ 316） uA t uF t +ucc 三極管的開關(guān)特性 飽和區(qū)： C、 E間相當(dāng)于開關(guān)閉合 深度飽和狀態(tài)下 UCE? 截止區(qū)：
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