【正文】 2O ?錫酸， 不溶于酸堿 Sn + HNO3(很稀 ) → Sn(NO3)2 + NH4NO3 Pb + HNO3(稀 ) → Pb(NO3)2 + NO HAc + O2 2Pb + O2 = 2PbO PbO + 2HAc = Pb(Ac)2 +H2O 4．與酸反應(yīng) 167。 C 鉛 ：淡青色的重金屬 錫 ：灰錫、白錫、脆錫 通性： 鍺、錫、鉛中等活潑金屬，鍺、錫常溫下不與 空氣中的氧作用，也不與水作用 鉛在空氣中迅速被氧化，形成氧化膜保護(hù)層 Pb + O2 + 2H2O = 2Pb(OH)2 （一） 物理性質(zhì) 二、 化學(xué)性質(zhì) 與 X2反應(yīng) 與 S反應(yīng) Sn、 Pb與強(qiáng)堿反應(yīng) Ge GeCl4 Sn + Cl2 ＝ SnCl4 Pb PbCl2 Ge GeS Sn + S ＝ SnS Pb PbS Sn + NaOH + 2H2O ＝ NaSn(OH)3 + H2 Pb + NaOH + 2H2O ＝ NaPb(OH)3 + H2 Ge+ 2 NaOH + H2O2 ＝ Na2GeO3 + H2＋ H2O ? ?A Ge2+ / Ge + Sn2+ / Sn Pb2+ / Pb Ge Sn Pb HCl 不反應(yīng) SnCl2+H2↑ Pb+2HCl(稀 )=PbCl2+H↑ Pb +3HCl(濃 )=HPbCl3+H2 ↑ H2SO4 Ge+H2SO4(濃 )→Ge(SO4)2 似左 Pb＋ H2SO4(濃 ) ＝ Pb(HSO4) + SO2↑+2H2O Sn + H2SO4(稀 ) = SnSO4 + H2↑ Pb + H2SO4(稀 ) = PbSO4↓+ H2↑ HNO3 Ge+HNO3(濃 ) →GeO2 C 161176。 （ 四 ） 、用途 集成電路 晶體管 （ 三 ） 、存在 在自然界中，沒游離態(tài)的硅，以化合態(tài)存在，例如： 硅酸鹽等，在地殼中含量居第二位。高溫下化學(xué)性質(zhì)活潑 與氟氣反應(yīng)： 與氫氟酸反應(yīng)： 與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)： 與氯氣反應(yīng)： 與氧氣反應(yīng) Si+2F2==SiF4 Si+4HF==SiF4+2H2 Si+2NaOH+H2O==Na2SiO3+2H2 Si+2Cl2==SiCl4 Si+O2==SiO2 3Si(s) +4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO↑+8H2O H2SiF6 氟硅酸，強(qiáng)酸。 RbC60導(dǎo)電超導(dǎo)體；富勒烯化合物作 催化劑 。 1985年發(fā)現(xiàn) 富勒烯 ，之后 4位主要發(fā)現(xiàn)者獲 諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng) 。我國(guó)在這方面的研究也很有成就，北京大學(xué)和中國(guó)科學(xué)院物理所合作，成功地合成了 K3C60和 Rb3C60的超導(dǎo)體，超導(dǎo)起始溫度分別為 8K和 28K。不久又制備出 Rb3C60的超導(dǎo)體，超導(dǎo)起始溫度為 29K。隨后將 C60分子命名為布克米尼斯特 ?富勒 (BuckminsterFuller ) C:參加組成 2個(gè)六元環(huán) 1個(gè)五元環(huán)， 3個(gè) σ鍵，鍵角之和為 348186。由于受建筑學(xué)家布克米尼斯持 ?富勒 （ BuckminsterFuller） 設(shè)計(jì)的球形薄殼建筑結(jié)構(gòu)的啟發(fā)，克羅托（ kroto)等提出 C60是由60個(gè)碳原子構(gòu)成的球形 32面體，即由 12個(gè)五邊形 和 20個(gè)六邊形 構(gòu)成。 （一）石墨 原子晶體， C sp3雜化，高熔點(diǎn)，高沸點(diǎn)，高硬度。 氣態(tài)氫化物的通式： RH4 最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物通式為 H2RO3或 R(OH)4 單質(zhì)物性 單質(zhì)化性 主要氧化態(tài)穩(wěn)定性逐漸增大 熔沸點(diǎn)降低 單質(zhì)密度增大 非金屬性減弱、金屬性增強(qiáng) 最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性減弱 氫化物的穩(wěn)定性減弱 2s22p2 3s23p2 4s24p2 5s25p2 6s26p2 ＋ 2 ＋ 4 主要氧化態(tài)穩(wěn)定性逐漸減小 EA1 基本上逐漸減小 I1 逐漸減小 4 3 2 1 0 1 2 3 465432101234Ф碳族元素的△G / F ( V ) —Z 圖PbO2()Z△G /F(V)ФH2SiO3() SiO2()Sn(OH)62()HGeO3()SiF42()SiO32()CO32()HSnO2()HPbO2()HCOO()GeO2()Pb2+()Sn2+()Sn4+()Ge2+()CO2()H2C2O4()HCOOH()CO()PbO2()GeH4()SiH4()CH4()GeH4()SiH4()CH4()e 167。167。 41 碳族元素通性 C Si Ge Sn Pb Ⅵ A族 一、碳族元素 （在周期表中位置：第 Ⅳ A族） C Si Ge Sn Pb 相似性 遞變性 最外層都有4個(gè)電子，化合價(jià)主要有 +4和+2，易形成共價(jià)化合物。 42 單質(zhì) 一、碳 3種同素異形體 6 0 7 0 1 4 0,CCC?????金剛石石墨富勒烯C60 金剛石 石墨 過(guò)渡型晶體，層內(nèi) C sp3雜化，層 層之間范德華力；層上、下有Πnn離域 π鍵 → 導(dǎo)電、導(dǎo)熱、解理性。 （一）金剛石 （三）富勒烯 C60， C70， …C 140 C60及其應(yīng)用前景 1985年，美國(guó)科學(xué)家克羅托（ )等用質(zhì)譜儀 ,嚴(yán)格控制實(shí)驗(yàn)條件 ,得到以 C60為主的質(zhì)譜圖。其中五邊形彼此不相連，只與六邊形相連。 C60的超導(dǎo)性 1991年，赫巴德（ Hebard）等首先提出摻鉀 C60具有超導(dǎo)性，超導(dǎo)起始溫度為 18K，打破了有機(jī)超導(dǎo)體（ Et）2Cu[N（ CN） 2]Cl超導(dǎo)起始溫度為 。說(shuō)明摻雜C60的超導(dǎo)體已進(jìn)入高溫超導(dǎo)體的行列。有科學(xué)工作者預(yù)言，如果摻雜 C240和摻雜C540，有可能合成出具有更高超導(dǎo)起始溫度的超導(dǎo)體。主要貢獻(xiàn)目前是在理論方面的，對(duì)現(xiàn)有 化學(xué)鍵理論 形成強(qiáng)大沖擊：球面也可形成離域 π鍵。 二、硅 硅有晶體硅和無(wú)定形硅兩種同素異形體 灰黑色，有金屬光澤，硬而 脆的固體 熔、沸點(diǎn)高、硬度大 晶體硅是良好的半導(dǎo)體 常溫下，硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，除氫氟酸、氟氣、強(qiáng)堿外 ,不跟其他物質(zhì)如：氧氣、氯氣、硫酸等起反應(yīng)，但在加熱情況下，硅也能跟一些非金屬反應(yīng)。 Si+ 2C == SiC 與 C反應(yīng) 高溫 2273K 與 N2反應(yīng) Si+ 2N2 == Si3N4 高溫 1573K 與混酸反應(yīng) 與金屬反應(yīng) 2Mg+ Si?Mg2Si 集成電路、晶體管、硅整流器等半導(dǎo)體材料，還可以制成太陽(yáng)能電池、硅的合金可用來(lái)制造變壓器鐵芯等。 三、鍺、錫、鉛 鍺 ： 金剛石型原子晶體，熔點(diǎn)： 1210K，半導(dǎo)體 灰 錫 脆 錫白 錫 液 態(tài) 錫α型 金剛石型 正方晶系 βγ β型 正方晶系 γ γ型 正交晶系 176。 C 176。XH2O HNO3(濃 )：似左 → SnO2 43 碳族元素的重要化合物 1. 通式： Sin H2n+2 (n = 1~15) 從 Si2H6起，含 SiSi鍵 鍵能 SiSi CC 222 kJmol1 ∴ (1)． SiSi較短，易斷； (2)． 硅烷化性比相似烴更活潑。mol1 CH 411 SiH 295 ∴ CC 鏈長(zhǎng)，烷種類多； SiSi 鏈短（ ≤15個(gè) Si），硅烷種類少。 成鍵特征 pp π鍵特征 ppπ非特征 2.