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正文內(nèi)容

帶-雜質(zhì)中心之間的躍遷-展示頁

2025-05-27 03:05本頁面
  

【正文】 其中 R*為雜質(zhì)態(tài)得里德伯常數(shù) 4*2 2 2 200**( 4 ) 2m e mRRm? ? ? ???其中 m*為電子或空穴德有效質(zhì)量 . Wannier激子? 雜質(zhì)中心上的電子(空穴)的等效半徑為 2* 2 20024**nBmr n n am e m? ? ? ???其中 aB=,為氫原子波爾半徑 例如 GaAs: r1*= (半導(dǎo)體 : Si : r1*=20x108cm ?大 ,m*/m0小 ) Ge : r1*=45x108cm 注意有效質(zhì)量的各向異性! 4 ?施主和受主雜質(zhì)中心的紅外吸收 (a)和 (b):中性施主 (受主 )與導(dǎo) (價(jià) )帶間的躍遷 淺躍遷 (c)和 (d):離化施主 (受主 )與價(jià) (導(dǎo) )帶間的躍遷 深躍遷 5 eV 單晶 Si受主雜質(zhì)淺
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