帶-雜質(zhì)中心之間的躍遷-全文預(yù)覽
【正文】 能邊 ) 較小 r 的 DA對(duì)的貢獻(xiàn) (2)帶譜 (低能邊 ) 較大 r 的 DA對(duì)的貢獻(xiàn) 12 ?施主 受主對(duì)的發(fā)光光譜 ?銳線系 ?帶譜 ?發(fā)光低能截止邊 ?發(fā)光高能截止邊 ?雜質(zhì)替代格位的確立 ?DA對(duì)發(fā)光強(qiáng)度 ?激發(fā)密度提高，發(fā)光藍(lán)移 ?時(shí)間分辨光譜，時(shí)間延遲，發(fā)光紅移 晶體 GaP在 . 在高能邊出現(xiàn)孤立 DA對(duì)發(fā)光線 ,在低能端出現(xiàn) DA對(duì)邊緣發(fā)射譜帶 施主電子 受主空穴 。 ND/NA 1 部分補(bǔ)償 ND/NA = 1 全補(bǔ)償 ND/NA 1 過(guò)補(bǔ)償 受主態(tài)會(huì)被部分的占據(jù)，而施主態(tài)會(huì)部分的空出，形成D+A自補(bǔ)償態(tài)。 吸收（相對(duì)值） Ei Ei D0 A0 6 InSb中雜質(zhì)中心到帶間的深躍遷吸收譜 T=10K， Zn或 Cd
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