硅工藝第2章氧化習(xí)題參考答案-展示頁(yè)
2025-05-26 22:39本頁(yè)面
【正文】 ?)/e x p (/ 22 kTECAB ??線性速率常數(shù)表示為 7 表中列出了（ 111）硅在總壓強(qiáng)為 1大氣壓下氧化動(dòng)力學(xué)的速率常數(shù)的參量，對(duì)于（ 100）硅，相應(yīng)值中所有 C2值除以 氣氛 B B/A 干氧 C1=*102um2h1 C2=*106um2h1 E1= E2= 濕氧 C1=*102um2h1 C2=*107um2h1 E1= E2= 水汽 C1=*102um2h1 C2=*108um2h1 E1= E2= 8 一個(gè)大氣壓， T=（ 1050+273） K， k=*1023, kT= )/(4 2 2 )( 22 hmB ??????)/(3 8 7 )1 1 (??????因 x02 + Ax0 = B（ t + ?） )(08 142 1/ 020 hABxBxt ?????故gg pABpB ?? ,?)()5( htt a t m ???)(1 5 4 )20( htt a t m ??9 3. 局部氧化是一種廣泛用來(lái)提供 IC芯片中器件之間橫向隔離的工藝 。 如果工藝是在一個(gè)大氣壓下的 濕氧 氣氛中進(jìn)行 ， 計(jì)算所需的氧化時(shí)間 。 硅的氧化系數(shù) 5 按照表中數(shù)據(jù)，在 920 ℃ 下， A=，B=，將值代入式（ ）得 hhm mmmmB Axx ii 2??????? ? ?????由式（ ）得 mBA tAx ?? ????????? ????6 2. 在某個(gè) 雙極工藝 中 ， 為了隔離晶體管 ， 需要生長(zhǎng) 1μm厚度的場(chǎng)氧化層 。假定硅片在初始狀態(tài)時(shí)已有1000197。1 第二章 氧化習(xí)題參考答案 2 主要公式 ?????? ??? kTEDD S iO e xp02() ?E為雜質(zhì)在 SiO2 中的擴(kuò)散激活能； D0為表觀擴(kuò)散系數(shù)。 tDx S iO in ? () xmin對(duì)應(yīng)用作掩蔽的 SiO2 層
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