硅工藝第2章氧化習題參考答案-文庫吧資料
2025-05-22 22:39本頁面
【正文】 1um （ 110）側(cè)墻 （ 100）襯底 N+ x2 x1 ABxBxt/020 ??? ?222121 xxxx ??? 12 ?? xxht ?umx 9 1 9 ?umx 8 6 5 ?18 6. 簡述常規(guī)熱氧化法制備二氧化硅介質(zhì)薄膜的動力學過程。進行斜角注入 ， 對側(cè)墻摻雜 N+， 所以線性速率增加到 4倍 。 在 N+區(qū)上生長著的氧化硅厚度會不會趕上其他氧化硅厚度呢 ？如果會 ， 何時趕上 ， 趕上時的厚度是多少 ？ 請使用 DG氧化動力學模型 。 氧化硅在 N+區(qū)上生長要比在輕摻雜的襯底中快得多 。在 1000℃ H2O氣氛中， kT=，有： 122 ) xp( ????? hmkTeVB ?18) xp( ????? mhkT eVAB ?hAB xBxt )(/2020 ?????11 4. 將一硅片氧化 （ x0=200nm） ， 然后使用標準的光刻和刻蝕工藝技術(shù)去掉中心部位的 SiO2， 接著使用 N+摻雜工序形成如下圖所示的結(jié)構(gòu) 。 對左邊所示的結(jié)構(gòu) ， 在氧化前刻去 ， 在 1000℃ H2O氣氛中硅片必須氧化多長時間以便提供右圖所示的等平面氧化硅 ？ Si3N4 SiO2 (100)Si LOCOS 氧化層 Si3N4 SiO2 (100)Si 10 ? 在熱氧化期間生長 1um的 SiO2消耗 。 拋物速率常數(shù)表示為 )/e x p (11 kTECB ?
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