薄膜的圖形化技術(shù)(1)-展示頁(yè)
2025-05-25 06:14本頁(yè)面
【正文】 等離子體刻蝕處理的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)可依靠監(jiān)測(cè)等離子體的發(fā)射光譜的方法來(lái)進(jìn)行 如，在刻蝕光刻膠時(shí)，可監(jiān)測(cè) CO在 強(qiáng)度的變化，其他材料的刻蝕也有相應(yīng)的譜線 對(duì)等離子體刻蝕技術(shù)的要求 ? 較高的刻蝕選擇性， Se ? 較高的刻蝕各向異性， A ? 精確的亞微米尺度的線寬，良好的剖面形貌 ? 較快的腐蝕速率 等離子體刻蝕的微觀過(guò)程 等離子體刻蝕時(shí)，涉及七個(gè)微觀過(guò)程： ? 在等離子體中產(chǎn)生活性基團(tuán)（離子、化學(xué)基團(tuán)），如： e+Cl2?2Cl+e ? 活性基團(tuán)從等離子體擴(kuò)散、輸送到表面 ? 活性基團(tuán)化學(xué)吸附到被刻蝕表面 ? 活性基團(tuán)在被刻蝕表面上擴(kuò)散 ? 活性基團(tuán)與表面原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成吸附態(tài)的反應(yīng)產(chǎn)物，如： Cl+Si?SiClx ? 反應(yīng)產(chǎn)物從刻蝕表面脫附 ? 反應(yīng)產(chǎn)物擴(kuò)散離開(kāi)刻蝕表面，被真空系統(tǒng)排除出系統(tǒng) 比較一下： PECVD時(shí) 的微觀過(guò)程 ? 在氣相中 ,發(fā)生活性基團(tuán)形成、擴(kuò)散、反應(yīng)的過(guò)程 ? 在襯底表面 ,發(fā)生吸附、擴(kuò)散、反應(yīng)以及脫附等一系列過(guò)程 CVD過(guò)程 PECVD過(guò)程 與薄膜沉積時(shí)相似，刻蝕過(guò)程也可以由數(shù)值模擬方法加以研究 等離子體刻蝕過(guò)程的速率 即化學(xué)反應(yīng)速率受溫度、濃度、反應(yīng)激活能等動(dòng)力學(xué)因素所控制 如 CVD時(shí)一樣， Si、 SiO2被 化學(xué) 基團(tuán) F所刻蝕的速度也可被描述為 等離子體刻蝕過(guò)程的選擇性 一個(gè)刻蝕過(guò)程的選擇性可用參數(shù) Se表征 即 A， B兩 種物質(zhì)被刻蝕的速率之比。這都需要薄膜制備技術(shù)，也需要薄膜的圖形化技術(shù) Cu C CMOS 以光刻技術(shù)在薄膜表面獲得圖形 若要在 Si器件表面制備如圖所示的 SiO2圖形，就需要求助于光刻技術(shù) Si 光刻所用的掩膜 掩膜的示意圖 掩膜由高度平整的紫外石英玻璃和它上面由電子束刻蝕形成的 Cr薄膜 圖形 所 組成，前者可以透過(guò)紫外線，而后者將對(duì)紫外線發(fā)生強(qiáng)烈的吸收 半導(dǎo)體技術(shù)中所采用的光刻技術(shù) Si片 氧化：形成 SiO2層 涂敷：涂光刻膠 加熱：光刻膠預(yù)固化 掩膜對(duì)準(zhǔn) 暴光 溶解：去除部分光刻膠 加熱：光刻膠固化 SiO2層的刻蝕 溶解或灰化：去除光刻膠 不僅 SiO2, 其他的材料 ,如 Si, Al, 也可由光刻方法進(jìn)行刻蝕 Automatic coat and develop track 依次可完成清洗、涂膠、暴光、刻蝕等工序 光刻過(guò)程中的暴光方法 暴光可采用接觸式、非接觸式、以及投影式的形式。 薄膜材料與納米技術(shù) Thin Film Materials amp。 Nanotechnology 北京科技大學(xué)材料科學(xué)學(xué)院 唐偉忠 Tel: 6233 2475 Email: 課件下載網(wǎng)址： 下 載 密 碼： 123456 第八講 薄膜材料的圖形化
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