高頻電路原理與分析-展示頁
2025-05-24 21:48本頁面
【正文】 F H IP T A T 電壓AGC 檢測I F O P B P F或 L P F D M I PV Q F OL P F I O U TF D I NF L T RQ O U TG A I N /R S S IG R E FV M I DL P F《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA MRFIC1502是一個(gè)用于 GPS接收機(jī)的下變換器 ,內(nèi)部不僅集成有混頻器 （ MIXER） ,而且還集成有壓控振蕩器 （ VCO） 、 分頻器 、 鎖相環(huán)和環(huán)路濾波器 ,如圖9― 7所示 。 它包含了一個(gè)可變增益 UHF混頻器和線性四級 IF放大器 ,可提供的電壓控制增益范圍大于 90dB。 它提供了實(shí)現(xiàn)完整的低功耗 、 單變頻接收機(jī)或雙變頻接收機(jī)所需的大部分電路 ,其輸入頻率最大為 500MHz,中頻輸入為 400kHz到 12MHz。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 圖 9― 4 MC13155的內(nèi)部框圖 三級放大器輸入輸入解調(diào)器1612去耦 平衡輸出4 5 7限幅器輸出98正交線圈15 13 12 10去耦R S S I 緩沖輸出R S S I輸出限幅器輸出《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA AD607為一種 3V低功耗的接收機(jī)中頻子系統(tǒng)芯片 ,它帶有自動(dòng)增益控制 （ AGC） 的接收信號強(qiáng)度指示功能 ,可廣泛應(yīng)用于 GSM、 CDMA、 TDMA和 TETRA等通信系統(tǒng)的接收機(jī) 、 衛(wèi)星終端和便攜式通信設(shè)備中 。 比如 MC13155是一種寬帶調(diào)頻中頻集成電路 ,它是為衛(wèi)星電視 、 寬帶數(shù)據(jù)和模擬調(diào)頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的調(diào)頻解調(diào)器 ,具有很高的中頻增益 （ 典型值為 46dB 功率增益 ） ,12MHz 的視頻 /基帶解調(diào)器 ,同時(shí)具有接收信號強(qiáng)度指示 （ RSSI） 功能 （ 動(dòng)態(tài)范圍約 35dB） 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 高頻單元集成電路 這里的高頻單元集成電路 ,指的是完成某一單一功能的高頻集成電路 ,如集成的高頻放大器 （ 低噪聲放大器 、 寬帶高頻放大器 、 高頻功率放大器 ） 、 高頻集成乘法器 （ 可用做混頻器 、 調(diào)制解調(diào)器等 ） 、 高頻混頻器 、 高頻集成振蕩器等 ,其功能和性能通常具有一定的通用性 。 3. 隨著無線通信頻段向高端的擴(kuò)展 ,勢必也會(huì)開發(fā)出頻率更高的高頻集成電路 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 2. 集成工藝的改進(jìn)和集成度的提高直接導(dǎo)致集成電路規(guī)模的擴(kuò)大 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 3） 低 K 由于 IC互連金屬層之間的絕緣介質(zhì)采用 SiO2或氮化硅 ,其介電常數(shù)分別接近 4和 7,造成互連線間較大的電容 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 2） 長期以來 ,芯片互連金屬化層采用鋁 。 集成度的提高依賴于工藝技術(shù)的提高和新的制造方法 。 一種典型的 SiGeHBT的電特性參數(shù)示于表 9― 1中 。 再利用AlGaAs和 GaAs電子親和力之差 ,在未摻雜的 GaAs的表面之下形成二次電子氣層 ,如圖 92所示 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 圖 9― 2 耗盡型的 HEMT場效應(yīng)管結(jié)構(gòu) 柵極源極 漏極nG a A s不摻雜 G a A snAlxGal － xAs半絕緣 G a A s 襯底二次電子氣層《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 另一種 GaAs異質(zhì)結(jié)器件 GaAsHBT也越來越受關(guān)注 ,它屬于改進(jìn)型的雙極晶體管 ,其發(fā)射極和基極被制作在不同材料的禁帶中 ,如圖 9― 3所示 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 圖 9―1 砷化鉀 MESFET的結(jié)構(gòu) 源極n ＋ G a A s柵極漏極“溝道”N 型 G a A s半導(dǎo)體 G a A s 襯底《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 首次出現(xiàn)于 1980年的高電子遷移率晶體管 （ HEMT）可以最大限度地利用砷化鉀的高電子遷移率的特性 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 砷化鉀 MESFET的結(jié)構(gòu)如圖 9― 1所示 ,它是在一塊半絕緣的砷化鉀襯底上用外延法生長一層 N型砷化鉀層 ,在其兩端分別引出源極和漏極 ,在兩者之間引出柵極 。 砷化鉀集成電路自 1974年由 HP公司首創(chuàng)以來 ,也都一直用在微波系統(tǒng)中 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 紛繁眾多的高頻集成電路 ,其實(shí)現(xiàn)方法和集成工藝除薄 /厚膜技術(shù)等混合技術(shù)外 ,通常有以下幾種 :
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