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高頻電路原理與分析(留存版)

2025-07-11 21:48上一頁面

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【正文】 DINP W K U P O S C P L L V C O P A16151參考20 4 5 6V C O電感線圈11R F P W R環(huán)路濾波器天線 1天線 2《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 調(diào)頻接收機(jī)部分前端電路己經(jīng)實(shí)現(xiàn)了集成化 ,如單片 IC2N7254。 它提供了實(shí)現(xiàn)完整的低功耗 、 單變頻接收機(jī)或雙變頻接收機(jī)所需的大部分電路 ,其輸入頻率最大為 500MHz,中頻輸入為 400kHz到 12MHz。 集成度的提高依賴于工藝技術(shù)的提高和新的制造方法 。《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 高頻電路的集成化 高頻集成電路 高頻電路 EDA 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 高頻電路的集成化 集成電路是為了完成某種電子電路功能 ,以特定的工藝在單獨(dú)的基片之上或基片之內(nèi)形成并互連有關(guān)元器件 ,從而構(gòu)成的微型電子電路 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 表 9― 1 典型的 SiGeHBT的電特性參數(shù) 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA ( 更細(xì)工藝 ) 集成電路發(fā)展的核心是集成度的提高。 AD607的引腳如圖 9― 5所示 。芯片外部只需接一個(gè)晶體和幾個(gè)阻容 、 電感元件 ,基本無需調(diào)試 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA (6)Cadence:它是由 Cadence公司推出的高級 EDA軟件 ,它可以完成原理圖設(shè)計(jì) 、 模擬數(shù)字仿真及混合仿真 、PCB板設(shè)計(jì)與制作 ,還可以進(jìn)行 PIC,ASIC的設(shè)計(jì)仿真等 。 圖 9― 14是這個(gè)電路的線性仿真測試結(jié)果 。 (2) ORCAD:ORCAD是由 ORCAD公司于 20世紀(jì) 80年代末推出的 EDA軟件 ,它是世界上使用最廣的功能強(qiáng)大的 EDA軟件 。表 9― 2所列為其主要電氣性能指標(biāo) 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 高頻組合集成電路 高頻組合集成電路是集成了某幾個(gè)高頻單元集成電路和其它電路而完成某種特定功能的集成電路 。 耗盡型的 HEMT場效應(yīng)管是在半絕緣的 GaAs襯底上連續(xù)生長不摻雜或輕摻雜的 GaAs、 摻硅的 n型 AlxGa1xAs層和摻硅的 n型 GaAs層 ,在 AlxGa1xAs層內(nèi)形成耗盡層 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 紛繁眾多的高頻集成電路 ,其實(shí)現(xiàn)方法和集成工藝除薄 /厚膜技術(shù)等混合技術(shù)外 ,通常有以下幾種 : 1. 傳統(tǒng)硅 ( Si) 1958年美國得克薩斯儀器公司 ( TI) 和仙童公司研制成功第一批集成電路 ,接著在 1959年發(fā)明了制造硅平面晶體管的 “ 平面工藝 ” ,利用半導(dǎo)體平面工藝在硅片內(nèi)制作元器件 ,并按電路要求在硅片表面制作互連導(dǎo)體 ,從而制成高密度平面化的集成電路 ,完善了集成電路的生產(chǎn)工藝 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 3) 低 K 由于 IC互連金屬層之間的絕緣介質(zhì)采用 SiO2或氮化硅 ,其介電常數(shù)分別接近 4和 7,造成互連線間較大的電容 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 圖 9―6 AD607 的內(nèi)部功能框圖 電源偏置產(chǎn)生偏置產(chǎn)生B P FM I O PB P FR F H IR F L OY P S 1Y P S 2P R U PC O M 1 C O M 2L Q I PV M I DI F L OI F H IP T A T 電壓AGC 檢測I F O P B P F或 L P F D M I PV Q F OL P F I O U TF D I NF L T RQ O U TG A I N /R S S IG R E FV M I DL P F《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA MRFIC1502是一個(gè)用于 GPS接收機(jī)的下變換器 ,內(nèi)部不僅集成有混頻器 ( MIXER) ,而且還集成有壓控振蕩器 ( VCO) 、 分頻器 、 鎖相環(huán)和環(huán)路濾波器 ,如圖9― 7所示 。 《 高頻電路原理與分析 》 第 9章 高頻電路的集成化與 EDA 圖 9―9 MC3363 組成框圖 12345678910111213142827262524232221201918171615~-+1 s t M ix e r I n p u tB a s eE m it t e rC o l le c t o r2 n d M i x e r O u t p u t2 n d L O B a s e
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