【正文】 越來越激烈。電子信息科學與技術專業(yè)就業(yè)前景 專業(yè)就業(yè)前景：這一行業(yè)的前景是十分廣闊的，將來的分工也會越來越細，未來中國需要大量這方面的專業(yè)人員。信息產(chǎn)業(yè)對人才的需求首先是基本的“技能”，包括計算機編程的基本能力，要求具有良好的數(shù)據(jù)庫和計算機網(wǎng)絡的知識和使用技能，熟悉基本的軟件開發(fā)平臺。主要專業(yè)實驗：物理實驗、電子線路實驗、數(shù)字電路實驗等。主干學科：電子科學與技術、計算機科學與技術。本專業(yè)畢業(yè)生能夠在電子信息科學技術、計算機科學與技術及相關領域和行業(yè)，從事研究、教學、科技開發(fā)、工程設計和管理工作。王教授認為，作為教學機構(gòu)，高等院校不可能為各家企業(yè)量身定制他們所需的人才，因此，即便是具有很強專業(yè)技能的碩士畢業(yè)生，在其進入企業(yè)以后也將經(jīng)歷一個“再學習”的過程，這個任務，客觀上需要企業(yè)自己完成。”王教授略帶遺憾地說。對于研究型大學，還要培養(yǎng)學生的創(chuàng)新能力?！蓖踔救A教授強調(diào)說，“高校的科研不應該是與企業(yè)競爭，大學從事的創(chuàng)新性研究可能會面對失敗，高水平人才的培養(yǎng)過程中也常常要面臨各種形式的失敗，但這種失敗所付出的社會成本比在企業(yè)中失敗要小得多，這是對全社會都有利的；當然，高等院校在國家支持下所取得的科研成果應該由全社會分享。在看清楚差距之后，加大對高校微電子專業(yè)科研的投入就顯得尤為必要，因為高素質(zhì)的人才一定是通過科研實踐活動培養(yǎng)出來的。與此相關的是，高水平工程技術的人才培養(yǎng)，與受教育者在大學中研究經(jīng)驗的積累密切相關，在工業(yè)落后的情況下，高等工程教育的整體水平不可能領先世界。因此，大學中工科學科的研究水平一定與所在國家相關工業(yè)的發(fā)展水平密切相關。畢業(yè)生面臨“再學習”過程跟發(fā)達國家相比，我國目前在微電子領域的高等教育水平還比較低。中國電子科學與技術產(chǎn)業(yè)將有一個明顯的發(fā)展空間，高科技含量的自主研發(fā)的產(chǎn)品將進入市場，形成自主研發(fā)和來料加工共存的局面；中國大、中、小企業(yè)的分布和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)趨于合理，出口產(chǎn)品將穩(wěn)步增加；高技術含量產(chǎn)品將向民用化發(fā)展，必然促進產(chǎn)品的內(nèi)需和產(chǎn)量。中國隨著市場開放和外資的不斷涌入，電子科學與技術產(chǎn)業(yè)開始煥發(fā)活力。第二篇：電子科學與技術專業(yè)電子科學與技術專業(yè)主要課程:電子線路、計算機語言、微型計算機原理、電動力學、量子力學、理論物理、固體物理、半導體物理、物理電子與電子學、微電子學等。對未來測試技術的展望：內(nèi)外帶寬差異；混合電路測試；系統(tǒng)級芯片測試；內(nèi)嵌存儲器與自我校正；芯片性能的提高與測試精度的矛盾；集成度的提高使得同樣失效機理影響更嚴重；外部測試設備的高昂價格與IC成本降低的要求相沖突。微電子封裝通常有五種作用，即電源分配、信號分配、散熱通道、機械支撐和環(huán)境保護。在某一高溫下保持一段時間，使雜質(zhì)通過擴散進入替位，有電活性；并使晶體損傷區(qū)域“外延生長”為晶體，恢復或部分恢復硅的遷移率，少子壽命。由于熱擴散成本較低容易實現(xiàn)在以前的制作工藝中經(jīng)常采用，而離子注入方法比熱擴散更加精確，實現(xiàn)摻雜的效果比摻雜好，但是離子注入的一個最大劣勢是成本高，就單個離子注入機比較昂貴，配合其他的設備整個成本比較高。具體以一個芯片設計為例，首先將大自然中僅次于氧含量的硅做成硅棒，然后切片，再經(jīng)過20到30步工藝步驟做成硅片然后再對做好的芯片進行測試，再經(jīng)過封裝成成品，完了再經(jīng)過成品測試找出不符合標準的芯片，再包裝到上市出售。而未通過測試的芯片則視其達到的參數(shù)情況定作降級品或廢品心得體會通過這次工藝專題掌握了IC工藝的初步理論知識和制作細節(jié)。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設計專用芯片。測試工序：芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。在用針測（Probe）儀對每個晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標上記號后，將晶圓切開，分割成一顆顆單獨的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則舍棄。晶圓處理工序：本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術有關，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。光刻和離子刻蝕，定出 PAD 位置2最后進行退火處理，以保證整個 Chip 的完整和連線的連接性芯片的制造芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測試工序（Initial Test and Final Test）等幾個步驟。（2）真空蒸發(fā)法（Evaporation Deposition）（3）濺鍍（Sputtering Deposition）1光刻技術定出 VIA 孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。1利用 PECVD 沉積一層無摻雜氧化層，保護元件，并進行退火處理。1表面涂敷光阻，去除 P 阱區(qū)的光阻，注入砷(As)離子，形成 NMOS 的源漏極。 分子磊晶成長(Molecular Beam Epitaxy)（6）外延生長法(LPE)涂敷光刻膠（1）光刻膠的涂敷（2）預烘(pre bake)（3）曝光（4）顯影（5）后烘(post bake)（6）腐蝕(etching)（7）光刻膠的去除此處用干法氧化法將氮化硅去除、離子布植將硼離子(B+3)透過 SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱去除光刻膠，放高溫爐中進行退火處理用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷(P+5)離子，形成 N 型阱退火處理，然后用 HF 去除 SiO2 層干法氧化法生成一層 SiO2 層，然后 LPCVD 沉積一層氮化