dc-dc開關(guān)電源設(shè)計—畢業(yè)設(shè)計-文庫吧資料
2024-12-07 10:40本頁面
【正文】 m a x ) ?? VVV inDS 1 62 ( m a x )( m a x ) ?? 選 IRF640， 18A， 200V （ 11） DIODE 二極管： Ai k ? VVNNVVINPSKA 920( m a x) ??? 選 MBR 20200, 20A， 100V （ 12）電流采樣電阻： 1 ??PPKIR 選 W2/ ? (13)啟動電阻：WRPKRR )^1357(????? 測試方法與數(shù)據(jù) 紋波噪聲 測試環(huán)境溫度： 25℃ 示波器探頭： 1： 1 示波器帶寬設(shè)為最大： 40MHz 測試地點：正常實驗臺測試 輸出電壓電流： UO=12V、 IO=5A 輸入電壓： U1=41V57V 輸入電壓調(diào)整 率 環(huán)境溫度： 25℃ 輸出： IO=5A 9 輸入電壓：最小、最大 負載調(diào)整率 環(huán)境溫度： 25℃ 輸入： U1=48V 輸出電流：最小、最大 測試儀器 電路測試中使用的儀器設(shè)備及其用途如表 31 所示。39。 其電路圖如下： 電路主要參數(shù)的計算及元器件的選擇 令 Vin最小時， Dmax=,?Bm=,f=82KHZ, 39。 單元模塊設(shè)計 主回路設(shè)計 主回路電路圖： 如圖所示，主回路由變壓器進行了電氣隔離，符合題目要求 ，變壓器原邊是輸入部分，輸入電壓經(jīng)過電容濾波后到達變壓器原邊兩端，由MODFET 控制回路的導(dǎo)通和關(guān)斷，當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時，變壓器接受的能量除磁化電流外都傳遞到輸出端，當(dāng)其關(guān)斷時，導(dǎo)向二極管 D5 反偏而不可能有鉗位作用或能量泄放到回路，磁化能量將引起較大反壓加 在 MOSFET 集 射極之間，為防止高反壓的出現(xiàn)，設(shè)置磁復(fù)位線圈經(jīng)過二極管 D2，使存儲的能量反送回電源 Vin 中，變壓器副邊在 MOFET導(dǎo)通時產(chǎn)生感生電壓，經(jīng)過二極管和電容整流濾波后給負載供電，同 6 時電感儲存能量，當(dāng)其斷開時，電感釋放能量。根據(jù)電感的伏秒積平衡可以得到： TDVNNDTV Os pin )1( ??，所以輸出電壓和輸入電壓的關(guān)系為INPSO VDDNNV ?? 1,通過控制開關(guān)管的 5 導(dǎo)通時間（即“占空比”）去控制輸出電壓，即可得到想要輸出的電壓。 本設(shè)計采用 單端正激變換器作為主回路，并且采用 專用的 PWM脈寬調(diào)制芯片 UC3844 作為主控制芯片 、應(yīng)用單片機 AT89C52 完成電流、電壓采樣、測量和液晶顯示，實現(xiàn)具有輸出電壓 穩(wěn)定等
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