工藝晶體外延生長技術(shù)課件-文庫吧資料
2025-03-08 15:44本頁面
【正文】 AAAAAAACC BBBCCCCCCCCCCCCCBBB AAABBBBBBBBBBBAAAAA CCCAAAAAAAAACCCCC BBBBCCCCCCCCCBBBBB AAAAABBBBBBBAAAAAA CCCCCCAAAAACCCCCCC BBBBBBBBCCCBBBBBBBB AAAAAAAABAAAAAAAAA 層錯 (失配晶核 )產(chǎn)生的原因：晶面的缺陷(機械損傷、位錯、微缺陷、氧化斑點、雜質(zhì)沉陷區(qū) )和表面污染（灰塵、雜質(zhì)等），氣體和反應(yīng)劑的純度不夠，溫度過低或起伏過大，生長速率過快等。 – 因而，氣相外延是由下述步驟組成的多相過程 1）反應(yīng)劑分子以擴散方式從氣相轉(zhuǎn)移到生長層 表面 2）反應(yīng)劑分子在生長層表面吸附； 3）被吸附的反應(yīng)劑分子在生長層的表面完成化 學反應(yīng)，產(chǎn)生硅原子及其它副產(chǎn)物； 4）副產(chǎn)物分子叢表面解吸； 5）解吸的副產(chǎn)物以擴散的形式轉(zhuǎn)移到氣相，隨 主氣流排出反應(yīng)腔； 6）反應(yīng)所生成的硅原子定位于晶格點陣，形成 單晶外延層； Substrate Continuous film 8) Byproduct removal 1) Mass transport of reactants Byproducts 2) Film precursor reactions 3) Diffusion of gas molecules 4) Adsorption of precursors 5) Precursor diffusion into substrate 6) Surface reactions 7) Desorption of byproducts Exhaust Gas delivery 因而在 反應(yīng)劑濃度較小 時有： YNNhkhkNNhkhkvhkNNSiTGSGSSiGGSGSGSGGS??????00)/(1KS為表面化學反應(yīng)系數(shù)， hG氣相質(zhì)量轉(zhuǎn)移（傳輸）系數(shù) NT為分子總濃度， Y為反應(yīng)劑摩爾數(shù) v為外延層的生長速率 () – 1）生長速率和反應(yīng)劑濃度的關(guān)系 ——正比 （ a） ?。?b）、（ c）？ SiCl4（氣） +Si（固） ?2SiCl2（氣） – 2）生長速率與外延溫度的關(guān)系 – 對于 SiCl4， Ea~ SiH4， Ea~ DG0： ~1cm2s1 a： ~2 NGGaGGaSSDhTTDDkTEkk?/)/()/exp(000???? – 在較高溫度下： kShG 質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制
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