【正文】 C gC d C dC t放 電 空 間介 質(zhì) 層Ua四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 像 素 的 透 光 面 積像 素 開 口 率 ＝像 素 面 積上基板放電單元的設(shè)計(jì)原則 : (1)在確定的像素面積內(nèi)，盡可能提高像素的光輸出開口率，以提高 PDP的發(fā)光效率，同時(shí)又要避免引起鄰線電極間的放電。 放電間隙增大，亮度和光效提高原因： 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 顯示電極寬度對(duì) Uf、 Ue 、 ?Us和 的影響 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 160 180 200 220 240242628303234 W 1= 200 u m W 1= 300 u m W 1= 400 u mIav (m A)U s (V)顯示電極寬度對(duì) Uf、 Ue 、 ?Us和 的影響 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 隨著 w1的增加，放電單元的 Uf和 Ue略有降低，而 ?Us則基本保持不變，而放電電流 I增加。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 放電間隙增大，放電路徑變長(zhǎng)，一方面電子在到達(dá)陽(yáng)極前與氣體原子的碰撞次數(shù)增多，產(chǎn)生更多的激發(fā)和電離； 另一方面由于 PDP放電單元的空間很小，放電時(shí)只出現(xiàn)陰極位降區(qū)和負(fù)輝區(qū)，而 VUV主要產(chǎn)生于負(fù)輝區(qū)。 隨放電間隙增大，亮度和發(fā)光效率都得到 提高。 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 著火電壓 Uf隨充氣壓強(qiáng) p電極間隙 g1乘積變化的關(guān)系 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 放電間隙對(duì) Uf、 Ue和 ?Us的影響 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 在一定的 w1的條件下，隨 g1增大， Uf、 Ue和?Us均近乎線性增加。 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 柵格單元結(jié)構(gòu) 傳統(tǒng)單元結(jié)構(gòu) 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 黑條 低電流，低電壓 顯示屏電容減小 無(wú)功功率減小 降低功耗 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 Waffle障壁結(jié)構(gòu) 傳統(tǒng)結(jié)構(gòu) 存在行間串?dāng)_限制分辨率 Waffle結(jié)構(gòu) 消除行間串?dāng)_適合高分辨率 四川虹歐顯示器件有限公司 松下公司 PDP技術(shù)發(fā)展 （ 1）非對(duì)稱放電單元結(jié)構(gòu)（改善色溫） （ 2） Plasma AI驅(qū)動(dòng)方法（自適應(yīng)亮度增強(qiáng)） （ 3）利用感光障壁形成工藝（精細(xì)結(jié)構(gòu)） （ 4）純黑驅(qū)動(dòng)方法（ Real Black） （ 5）自適應(yīng) ?變換（ Real Gamma， 1024灰度級(jí)） 獨(dú)自開發(fā)的技術(shù) 四川虹歐顯示器件有限公司 松下公司 PDP技術(shù)發(fā)展 非對(duì)稱單元結(jié)構(gòu)改善色溫 四川虹歐顯示器件有限公司 松下公司 PDP技術(shù)發(fā)展 AI提高圖像質(zhì)量 四川虹歐顯示器件有限公司 松下公司 PDP技術(shù)發(fā)展 光 照感光性障壁材料印刷曝 光顯影、燒結(jié)感 光 性 障壁 材 料玻璃基板掩 模障 壁感光障壁形成工藝 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 四川虹歐顯示器件有限公司 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 W a障壁熒 光 粉尋 址 電 極th 介 質(zhì) 層 MgO層顯 示 電 極( I T O 薄 膜 電 極 + 金 屬 電 極 ）W 1 g 1 g 2 W 2W 1bW sP vP h四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理 需確定的尺寸： 前板： 顯示電極間隙 g1 ， 顯示電極寬度 (ITO電極 : w1，匯流電極 : w2) ， 相鄰單元間隙 g1 ， 黑條寬度 ws ， 前板介質(zhì)層厚度 t1 。 在一場(chǎng)中 ， 準(zhǔn)備期 、 尋址期和維持期的時(shí)間根據(jù)每場(chǎng)圖像的平均亮度動(dòng)態(tài)調(diào)整 。 eALiS 技術(shù)的特點(diǎn) 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 DelTA單元結(jié)構(gòu) 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 DelTA結(jié)構(gòu)尋址放電 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 黑底條技術(shù) 高對(duì)比度驅(qū)動(dòng)方法 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 （ 1） CCF濾光膜（改善色純，提高對(duì)比度） （ 2） PLE峰值亮度增強(qiáng)技術(shù)（提高亮度和對(duì)比 度，降低功耗） （ 3）柵格狀障壁結(jié)構(gòu)（提高熒光粉發(fā)光面積） （ 4）梳狀 ITO電極（降低放電電壓和電流，提高 發(fā)光效率） （ 5） Waffle障壁結(jié)構(gòu)消除行間串?dāng)_適合高分辨率 獨(dú)自開發(fā)的技術(shù) 四川虹歐顯示器件有限公司 先鋒公司 PDP技術(shù)發(fā)展 CCF: Capsulated Color Filter CCF彩色濾光膜 透過(guò)需要的光 阻斷不需要的光 減少環(huán)境光反射 四川虹歐顯示器件有限公司 峰值亮度增強(qiáng)技術(shù)（ PLE） PLE: Peak Luminance Enhancement 在亮度 、 對(duì)比度和功耗之間獲得最佳平衡 。 eALiS驅(qū)動(dòng)時(shí) ， 奇行和偶行交替尋址 ， 然后所有行同時(shí)進(jìn)行維持放電 。 四川虹歐顯示器件有限公司 彩色 PDP發(fā)展與特點(diǎn) 1. FHP公司 PDP技術(shù) 與特點(diǎn) PDP技術(shù) 與特點(diǎn) PDP技術(shù) 與特點(diǎn) 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 （ 1） ALiS驅(qū)動(dòng)方法（高亮度和高分辨率，已用于產(chǎn)品） （ 2） TERES驅(qū)動(dòng)方法（低功耗，已用于產(chǎn)品） （ 3） DelTA像素結(jié)構(gòu)（高亮度和高發(fā)光效率，正在產(chǎn)業(yè)化） （ 4）等離子體管技術(shù)（高亮度和高發(fā)光效率，超級(jí)大屏幕顯示） 獨(dú)自開發(fā)的技術(shù) 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 ALiS: Alternate Lighting of Surfaces ALiS驅(qū)動(dòng)方法 四川虹歐顯示器件有限公司 FHP公司 PDP技術(shù)發(fā)展 （ 1） 上基板電極結(jié)構(gòu)與原來(lái)的 ALiS相同 ， 下基板障壁為柵格狀 。 ADPC的任務(wù)是開發(fā)提高發(fā)光效率、降低功耗和降低生產(chǎn)成本的新技術(shù)。 四川虹歐顯示器件有限公司 彩色 PDP發(fā)展與特點(diǎn) 2023年 7月 24日，日本最大的 5家 PDP生產(chǎn)廠家松下、富士通、日立、先鋒、 NEC聯(lián)合成立下一代 PDP研發(fā)中心（ APDC），注冊(cè)資本 5000萬(wàn)日元。 同時(shí) PDP也感受到了 LCDTV的壓力 。 因此日本將 2023年稱為“ PDPTV元年 ” 。 四川虹歐顯示器件有限公司 彩色 PDP發(fā)展與特點(diǎn) 2023 量產(chǎn)合格率不佳延續(xù)到一直到 1999年底 ， 各廠商不論在設(shè)備 、材料與驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上都有重大改善與突破 ， 在 2023年紛紛建立新的量產(chǎn)線 。 同時(shí) PDP也感受到了 LCDTV的壓力 。 因此日本將 2023年稱為“ PDPTV元年 ” 。 四川虹歐顯示器件有限公司 彩色 PDP發(fā)展與特點(diǎn) 2023 量產(chǎn)合格率不佳延續(xù)到一直到 1999年底 ， 各廠商不論在設(shè)備 、材料與驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上都有重大改善與突破 ， 在 2023年紛紛建立新的量產(chǎn)線 。 1998 事實(shí)上