【正文】 本相同，但為了保證發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，外加電源的極性與 NPN 正好相反。　 　 U(BR)CBO：發(fā)射極開路時，集電極和基極之間的反向擊穿電壓。ICUCE PCM 為安全工作區(qū)ICUCE PCM 為過損耗區(qū)ICUCEOPCM = ICUCE安全工 作 區(qū)安全工 作 區(qū)過損耗區(qū)過損耗區(qū)圖 　三極管的安全工作區(qū)第一章 半導(dǎo)體器件3. 極間反向擊穿電壓外加在三極管各電極之間的最大允許反向電壓。在 IC = ICM 時， ? 值下降到額定值的三分之二。值愈大，則該管的 ICEO 也愈大。有以下幾個：第一章 半導(dǎo)體器件1. 共射電流放大系數(shù) ?2. 共射直流電流放大系數(shù)忽略穿透電流 ICEO 時，3. 共基電流放大系數(shù) ?4. 共基直流電流放大系數(shù)忽略反向飽和電流 ICBO 時，? 和 ? 這兩個參數(shù)不是獨立的，而是互相聯(lián)系，關(guān)系為：第一章 半導(dǎo)體器件二、反向飽和電流1. 集電極和基極之間的反向飽和電流 ICBO ICEO(a)ICBO測量電路(b)ICEO測量電路ICBO ceb?AICEO?Aceb 小功率鍺管 ICBO 約為幾微安；硅管的 ICBO 小，有的為納安數(shù)量級。 當(dāng) UCE = UBE，即 UCB = 0 時，稱 臨界飽和 ， UCE UBE時稱為 過飽和 。 特點 ： IC 基本上不隨 IB 而變化，在飽和區(qū)三極管失去放大作用。A20 181。A60 181。AIB =0O 5 10 154321放大區(qū)　 　 集電極電流和基極電流體現(xiàn)放大作用，即放大區(qū)放大區(qū)對 NPN 管 UBE 0， UBC 0圖 　 NPN 三極管的輸出特性曲線第一章 半導(dǎo)體器件3. 飽和區(qū)：條件 ：兩個結(jié)均正偏I(xiàn)C / mAUCE /V100 181。A40 181。A80181。截止區(qū)截止區(qū)第一章 半導(dǎo)體器件2. 放大區(qū)：條件： 發(fā)射結(jié)正偏　　　集電結(jié)反偏　 　 特點 ： 各條輸出特性曲線比較平坦，近似為水平線，且等間隔?！?　 IB= 0 時， IC = ICEO。截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)　 　 1. 截止區(qū)　 IB ≤ 0 的區(qū)域。A20 181。A60 181。圖 　三極管共射特性曲線測試電路圖 　三極管的輸入特性第一章 半導(dǎo)體器件二、輸出特性圖 　 NPN 三極管的輸出特性曲線IC / mAUCE /V100 181。 * 特性右移 (因集電結(jié)開始吸引電子 )OIB/?AUCE ≥ 1 時的輸入特性具有實用意義。圖 (上中圖 )　 圖 (下圖 )　第一章 半導(dǎo)體器件　　 (2) UCE 0 時的輸入特性曲線　 　 當(dāng) UCE 0 時，這個電壓有利于將發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子收集到集電極。IBUCE圖 　三極管共射特性曲線測試電路ICVCCRbVBBcebRcV?+ V?+?A ?++?mA 輸入特性：輸出特性：UBE第一章 半導(dǎo)體器件一、輸入特性 (1) UCE = 0 時的輸入特性曲線RbVBBcebIB+UBE_VBBIB+UBE_bceOIB/?A 當(dāng) UCE = 0 時，基極和發(fā)射極之間相當(dāng)于兩個 PN 結(jié)并聯(lián)。第一章 半導(dǎo)體器件　 　 根據(jù) ? 和 ? 的定義，以及三極管中三個電流的關(guān)系，可得故 ? 與 ? 兩個參數(shù)之間滿足以下關(guān)系：　 　 直流參數(shù) 與交流參數(shù) ?、 ? 的含義是不同的，但是，對于大多數(shù)三極管來說， ? 與 ， ? 與 的數(shù)值卻差別不大，計算中，可不將它們嚴(yán)格區(qū)分。 3. 共射電流放大系數(shù)共基電流放大系數(shù)第一章 半導(dǎo)體器件IB/mA ? 0 IC/mA IE/mA 0 4. 在表的第一列數(shù)據(jù)中， IE = 0 時， IC = mA = ICBO， ICBO 稱為 反向飽和電流 ?！?　 2. 當(dāng) IB 有微小變化時， ? IC 較大。 一般 值約為幾十 ~ 幾百。第一章 半導(dǎo)體器件上式中的后一項常用 ICEO 表示， ICEO 稱穿透電流。ICBO圖 　三極管中載流子的運動第一章 半導(dǎo)體器件beceRcRb　　三極管的電流分配關(guān)系IEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC = ICn + ICBO (A) IE = ICn + IBn + IEp (B)　 　 一般要求 ICn 在 IE 中占的比例 盡量大?！?　 其能量來自外接電源 VCC ?！?　 多數(shù)電子在基區(qū)繼續(xù)擴(kuò)散，到達(dá)集電結(jié)的一側(cè)。第一章 半導(dǎo)體器件becRcRb三極管中載流子運動過程I EIB　 　 1. 發(fā)射　 發(fā)射區(qū)的電子越過發(fā)射結(jié)擴(kuò)散到基區(qū)，基區(qū)的空穴擴(kuò)散到發(fā)射區(qū) — 形成發(fā)射極電流 IE (基區(qū)多子數(shù)目較少，空穴電流可忽略 )?！?　 三極管放大的外部條件 ：外加電源的極性應(yīng)使 發(fā)射結(jié)處于正向偏置 狀態(tài)，而 集電結(jié)處于反向偏置 狀態(tài)?！?　 2. 基區(qū)做得很薄 。第一章 半導(dǎo)體器件圖 　三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號　　 (a)NPN 型ecb符號集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)集電極 c基極 b發(fā)射極 eNNP第一章 半導(dǎo)體器件集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)集電極 c發(fā)射極 e基極 b　　 cbe符號NNPPN圖 　三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號　　 (b)PNP 型第一章 半導(dǎo)體器件　三極管的放大作用　　　　和載流子的運動以 NPN 型三極管為例討論圖 　三極管中的兩個 PN 結(jié)cNNPeb bec表面看　　三極管若實現(xiàn)放大，必須從三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)和 外部所加電源的極性 來保證。引出三個電極即可。圖 　三極管的結(jié)構(gòu)(a)平面型 (NPN) (b)合金型 (PNP)NecNPb二氧化硅be cPNPe 發(fā)射極，b基極， c 集電極。 主要以 NPN 型為例進(jìn)行討論。(Bipolar Junction Transistor)三極管的外形如下圖所示。[解 ]第一章 半導(dǎo)體器件VDZR使用穩(wěn)壓管需要注意的幾個問題：圖 　穩(wěn)壓管電路UOIO +IZIRUI+ 　 　 1. 外加 電源的正極接管子的 N 區(qū) ，電源的 負(fù)極接 P 區(qū) ，保證管子工作在反向擊穿區(qū)；RL　 　 2. 穩(wěn)壓管 應(yīng) 與 負(fù)載電阻 RL 并聯(lián) ；　 　 3. 必須限制流過穩(wěn)壓管的電流 IZ，不能超過規(guī)定值 ，以免因過熱而燒毀管子。PZ = UZIZPZ 會轉(zhuǎn)化為熱能，使穩(wěn)壓管發(fā)熱?！?　 溫度變化時，一個二極管被反向偏置，溫度系數(shù)為正值；而另一個二極管被正向偏置，溫度系數(shù)為負(fù)值，二者互相補償， 使 2 兩端之間的電壓隨溫度的變化很小。 　 2CW17 ： UZ = 9 ~ V， ?U = %/ ℃ 　　 2CW11 ： UZ = ~ V， ?U = ?( ~ )%/ ℃　 　 (3) 2DW7 系列為溫度補償穩(wěn)壓管，用于電子設(shè)備的精密穩(wěn)壓源中。IZ = 5 mA rZ ? 16 ?IZ = 20 mA rZ ? 3 ?IZ/mA第一章 半導(dǎo)體器件4. 電壓溫度系數(shù) ?U　 　 穩(wěn)壓管電流不變時，環(huán)境溫度每變化 1 ℃ 引起穩(wěn)定電壓變化的百分比?！?　 rZ 愈小愈好。 正常工作的參考電流?！?　 穩(wěn)壓管 工作于反向擊穿區(qū) ?！?　 Cb 和 Cd 值都很小，通常為幾個皮法 ~ 幾十皮法，有些結(jié)面積大的二極管可達(dá)幾百皮法。圖 第一章 半導(dǎo)體器件綜上所述：　 　 PN 結(jié)總的結(jié)電容 Cj 包括勢壘電容 Cb 和擴(kuò)散電容 Cd 兩部分。O xnPQ 12　 　 當(dāng)加反向電壓時，擴(kuò)散運動被削弱，擴(kuò)散電容的作用可忽略。　 　 在某個正