電力電子器件-文庫吧資料
2025-01-02 03:11本頁面
【正文】 流 iD↑ —— 電壓驅動方式 電力場效應晶體管 (PMOSFET)柵極漏極源極簡稱：電力 MOSFET（ Power4. 二次擊穿現象與安全工作區(qū)二次擊穿會立即導致器件的永久損壞，對 GTR危害極大。集電極最大耗散功率 PcM電力晶體管（ GTR）極限參數：43一次擊穿： 集電極電壓升高到擊穿電壓時，集電極電流迅速增大，首先出現的雪崩擊穿的現象。最高工作電壓?增大 Ib2的幅值和負偏壓。 電力晶體管（ GTR）1. GTR的結構和工作原理402. GTR的基本特性ib2ib1ib3ib1ib2ib3截止區(qū)Ic0 Uce飽和區(qū)放大區(qū)靜態(tài)特征 電力晶體管（ GTR）三個工作區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)41trtd tstontftoff90%Icsic10%IcsIb2t0 t1 t2 t3 t4 t5 t90%Ib110%Ib1Ib1t00ibGTR的開通和關斷過程電流波形GTR的開關時間在幾微秒以內，比晶閘管和 GTO都短。 電力晶體管（ GTR）1. GTR的結構和工作原理39 模塊型電力晶體管的內部結構既有單管型，也有達林頓復合型，其容量范圍從 30A／ 450V～ 800A／ 1400V不等。38 模塊型電力晶體管的內部結構既有單管型，也有達林頓復合型，其容量范圍從 30A／ 450V～ 800A／ 1400V不等。? 通常采用至少由兩個晶體管按達林頓接法組成的單元結構。37 電力晶體管（ GTR）1. GTR的結構和工作原理? 單管 GTR與普通晶體管相同。 開通時間 ton和關斷時間 toff 開關時間幾個微秒到幾十微秒，導通壓降 23V、比晶閘管稍高。最大可關斷陽極電流與門極負脈沖電流 最大值 IGM之比。工作原理 門極可關斷晶閘管（ GTO）363. GTO的主要參數最大可關斷陽極電流 IATO —— GTO 額定電流電流關斷增益 ?off門極可關斷晶閘管 GTO符號1. GTO的結構和工作原理35GTO導通條件與導通過程 ——與普通晶閘管一樣（飽和程度較淺）。PNPN四層半導體結構外部引出陽極、陰極和門極。電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，在兆瓦級以上的大功率場合仍有較多的應用。與普通晶閘管相比正向壓降小關斷時間短高溫特性好額定電流 晶閘管電流反并聯的二極管的電流 晶閘管的派生器件32KK快速晶閘管快速晶閘管KP普通晶閘管普通晶閘管KN逆導晶閘管逆導晶閘管晶閘管常見型號認識KS雙向晶閘管雙向晶閘管 晶閘管的派生器件33 門極可關斷晶閘管（ GTO）晶閘管的一種派生器件。常用 I+、 Ⅲ 兩種觸發(fā)方式31IU0I =0GAKG逆導晶閘管是將晶閘管反并聯一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。不用平均值而 用有效值來表示其額定電流值 ?？傻刃橐粚Ψ床⒙摰钠胀ㄐ途чl管。晶閘管的主要參數K P □ － □ □表示晶閘管普通反向阻斷型額定通態(tài)平均電流正反向重復峰值電壓等級通態(tài)平均電壓組別28晶閘管的派生器件常規(guī)快速 晶閘管高頻 晶閘管包括所有為快速應用而設計的晶閘管與普通晶閘管相比快速 晶閘管 關斷時間為數十微秒高頻 晶閘管 關斷時間為 10μs 左右電壓和電流定額不易做高應用于 400Hz和 10kHz以上的斬波或逆變電路中快速晶閘管29IG = 0IU0雙向晶閘管 有兩個主電極 T1和 T2，一個門極 G。通態(tài)電流臨界上升率 di/dt 在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。即 IT(AV)=（ ~2） IT(AV)≥ 電流定額26斷態(tài)電壓臨界上升率 du/dt 在額定結溫和門極開路的情況下，不導致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉換的外加電壓最大上升率。即 100A的晶閘管允許通過的電流有效值為 157A 電流定額25注意： 管子的發(fā)熱與有效值有關，要求實際電流有效值 IT一定不能大于額定電流有效值 ITn。 通態(tài)平均電流 IT(AV) 正弦半波電流的有效值 波形系數 Kf則 正弦半波 電 流 對同一晶閘管，通常 IL約為 IH的 2~4倍。 維持電流 IH 維持晶閘管繼續(xù)導通所必需的最小陽極電流。1．電壓定額額定電壓的選取要留有一定裕量，一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓的 2～ 3倍。 反向重復峰值電壓 URRM 在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的反向峰值電壓。晶閘管的開通時間約為幾微秒；晶閘管的關斷時間約幾百微秒。5） 當反向電壓足夠大時，晶閘管被反向擊穿。3）晶閘管一旦導通
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