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正文內(nèi)容

其它新型電力電子器件-文庫吧資料

2025-01-05 02:39本頁面
  

【正文】 電容 二、單極型器件 MOSFET、 SIT 靜電感應晶體管 SIT 二、單極型器件 MOSFET、 SIT 靜電感應晶體管 SIT ?輸入阻抗高、輸出功率大、失真小、開關特性好、熱穩(wěn)定性好。(與普通晶閘管同) ? 內(nèi)部包含了數(shù)十至數(shù)百個共陽極的 GTO元。 一、雙極型器件 GTO、 GTR、 SITH 電力晶體管 GTR(巨型晶體管) GTR的安全工作區(qū) 最高工作電壓 集電極最大允許電流 最大耗散功率 二次擊穿功耗 一、雙極型器件 GTO、 GTR、 SITH 可關斷晶閘管 GTO A K G ? 耐壓高、電流大 ? 有自關斷能力 ? 頻率高 ? 可用門極正向觸發(fā)信號使管子導通,又可向門極加負向觸發(fā)信號使晶閘管關斷。結面積大、電流分布均勻,易散熱;但電流增益低。第五節(jié) 其它新型電力電子器件 ? 電力晶體管 GTR ? 可關斷晶閘管 GTO ? 功率場效應晶體管 MOSFET ? 絕緣柵雙極晶體管 IGBT ? 靜電感應晶體管 SIT ? 靜電感應晶閘管 SITH ? MOS晶閘管 MCT ? MOS晶體管 MGT 一、雙極型器件 GTO、 GTR、 SITH 電力晶體管 GTR(巨型晶體
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