秋高電壓工程—絕緣診斷篇第六講-文庫吧資料
2024-09-05 17:15本頁面
【正文】 驗的直接校準回路 脈沖電流法的測量儀器及其校正 顯示器的視在放電量刻度系數(shù) k = △ Uc可以通過實驗求得 如果 每半周內(nèi)的放電次數(shù)為 n，則 N=2fn=100n 局部放電時氣隙中的電壓和電流的變化 48 局部放電的其它表示方法 為了表征局部放電在一定期間內(nèi)的平均綜合效應(yīng)，還提出了各種累積參數(shù)，如 平均放電電流 ， 放電功率 等。因為在加壓半周期內(nèi)能發(fā)生好幾個脈沖。Us(Ug Ur) /(2 Ug ) 如 Ur≈0 ，則 W≈ △ qCb/（ Cg+ Cb）式可見，△ q比真實放電量△ qr 小得多，它以 pC作為計量單位。Cb/（ Cg+ Cb） 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路 45 △ q＝△ qr外施電壓是作用在 Cm上的，當 Cg上的電壓變動 (UgUr)時，會造成外施電壓的變化量△ U應(yīng)為 △ U = Cb（ UgUr) /（ Cm+Cb) 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路 44 △ qr = (Ug－ Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] △ U = Cb（ UgUr) /（ Cm+Cb) 由此兩式得 △ U=Cb外加電壓仍在上升， Cg上的電壓也順勢而上升，當它再次升到 Ug時， Cg再次放電，電壓再次降到 Ur，放電再次熄滅 41 Cg上的電壓從 Ug突變?yōu)?Ur（均絕對值）的一瞬間，就是局部放電脈沖的形成的時刻，此時通過 Cg有一脈沖電流，局部放電時氣泡中的電壓和電流的變化如圖所示 局部放電時氣隙中的電壓和電流的變化 42 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路 當 Cg放電時， 放電總電容 Cg′ Cg′= Cg+[CmCb/(Cm+Cb)] Cg′ 上的電壓變化為 (Ug－ Ur)，故 一次脈沖放出的電荷△ qr △ qr = (Ug－ Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] 當 Cm Cb， Cg Cb， Ur = 0時，△ qr≈UgCg 43 △ qr = (Ug－ Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] 在實際試驗時，式中所表達的各個量，都是無法實測得到的。于是 Cg上的電壓一下子從 Ug 下降到 Ur，然后放電熄滅。有些屬于電的：如電脈沖的產(chǎn)生，介質(zhì)損耗的增大和電磁波放射；有些屬于非電的：如光、熱、噪音、氣體壓力的變化和化學(xué)變化。它的放電能量很小，所以它的存在并不影響電氣設(shè)備的短時絕緣強度。 三個繞組的互感器為防止雜散磁場的影響，是精心屏蔽的。調(diào)節(jié) R是為了實現(xiàn) I1與 I2達到同相位 電流比較式電橋原理接線 32 介損值 線圈 1及 2在電橋平衡時Cx=C0N2/N1 tgδ=ωR(C0+C) 平衡時線圈上基本無壓降，低壓臂的雜散電容基本上不起作用。環(huán)形鐵心上還繞有一個匝數(shù)為 N3的第 3線圈，在該線圈上接有指零儀表 G。如存在磁干擾時，調(diào)節(jié)電橋到平衡，兩個測量臂的數(shù)值分別為（ R3+△ R3）和（ C4+△ C4），此時電橋兩臂實際上是有電位差的，由于它克服了磁干擾電勢，才使檢流計指零。于是出現(xiàn)了 － δ ，要使電橋獲得平衡，必須使 C4與 R4脫開而改為與R3并聯(lián)。 ） IX″ ： IX與 Id的合成電流 δ ： IX與 In之夾角 第二次測量時 U轉(zhuǎn)了 180176。 ，然后再測得第二次的數(shù)值 tgδ 2和 Cx″ ，可用下式計算得準確的 tgδ 和Cx值 。這樣就產(chǎn)生了一種反接法的西林電橋 反接法西林電橋的接線 27 存在外界電磁場干擾時的測量 外界電場干擾下的測量 現(xiàn)場的試品： 難以實現(xiàn)屏蔽，故干擾較嚴重 兩次測量法： 消除或減小外界電場影響的測試方法，是采用兩次測量。前者以 Z3來代表，后者以 Z4來代表 保護： 放電管 P 電橋平衡： 檢流計 G檢零 屏蔽： 消除雜散電容的影響 西林電橋的基本回路 24 電橋的平衡條件：Z1/Z3 = Z2/Z4 串聯(lián)等值回路 tgδ=ωR4 C4 Cx = R4C0/R3 并聯(lián)等值回路 tgδ=ωR4 C4 Cx = R4C0/[R3 (1+tg2δ)] Cx： 因為 tg2δ 極小，故兩種等值電路的 Cx相等 西林電橋的基本回路 25 屏蔽： 雜散電容： 高壓引線與低壓臂之間會有電場的影響，可以看作其間有雜散電容 由于低壓臂的電位很低，Cx和 C0的電容量很小，如 C0一般只有 50～ 100pF。 例： 額定電壓 1kV及以下者使用 1000V兆歐表； 1kV以上者使用 2500V兆歐表 兆歐表的原理結(jié)構(gòu)圖 18 例： 用兆歐表測量電纜絕緣電阻 用兆歐表測電纜絕緣電阻的接線圖 1－鉛鎧外皮 2－絕緣 3－導(dǎo)芯 19 微安表直讀法（兩種接法） 測量電力變壓器主絕緣泄漏電流的接線 T1―― 調(diào)壓器； T2―― 高壓試驗變壓器； D―― 高壓硅堆 R―― 保護電阻； C―― 濾波電容； T―― 被試變壓器 泄漏電流的測量 20 光電法 光電法測泄漏電流的測量裝置的原理方塊圖 21 介質(zhì)損耗角正切的測量 西林電橋的基本原理 反接法的西林電橋 存在外界電磁場干擾時的測量 電流比較式電橋 22 測試無線電材料： 常采用高頻施壓法，所加的 電壓不高 在電工界： 測量 tgδ 的儀器和方法有多種，西 林電橋測法和電流比較式電橋測法 在線監(jiān)測： 采用微計算機對 tgδ 的測量 23 西林電橋的基本原理 西林電橋 電橋： 高壓臂： 一個是代表試品的 Z1；另一個是無損耗的標準電容 C0，它以阻抗 Z2作為代表。 不同絕緣狀態(tài)下的絕緣電阻的變化曲線 17 測量絕緣電阻與吸收比的方法 測量儀表： 一般用兆歐表進行絕緣電阻與吸收比的測量 搖表： 為了測準吸收比，需用靈敏度足夠高的兆歐表。即使絕緣部分受潮，只要 R1與 R2中的一個數(shù)值降低， τ 值也會大為減小，吸收電流仍會迅速衰減，仍可造成吸收比 K（及極化指數(shù) P，下同）的下降。利用這些規(guī)律進行絕緣診斷 (a) 絕緣完好和損壞時 (b)兩者重疊圖 概率密度曲線不重疊 某特征參
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