【正文】 寬，截止頻率易于調(diào)整，多用作測量信號(hào)噪聲比的音頻帶通濾波器。通過改變Rf、R1的值可以改變Q的大小。因此，AU0愈接近2，愈大，可使帶阻濾波電路的選頻特性愈好，即阻斷的頻率范圍愈窄。如果AU0=1，則Q=，增加AU0，Q將隨之升高。通常選取C1=C2=C，C3=2C，R1=R2=R，R3=R/2。實(shí)用的帶阻濾波器用由RC組成的雙T網(wǎng)絡(luò)和一個(gè)集成運(yùn)放實(shí)現(xiàn)。該電路可阻止fp1ffp2范圍內(nèi)的信號(hào)通過，使其余頻率的信號(hào)均能通過。將式帶入上式，得到，可得到如下結(jié)論，改變電阻Rf、R的阻值，可以改變通帶寬度，且中心頻率不受影響，但是為了避免時(shí)發(fā)生自激振蕩，一般取Rf 2R。 帶通濾波器根據(jù)截止頻率的定義，下限頻率和上限頻率是使增益下降3dB的頻率點(diǎn)，即，上限頻率和下限頻率之差稱為通帶寬度。s=jω帶入上式，并令， 則得到 上式中既是特征頻率，也是帶通濾波電路的中心頻率。圖中R、C組成低通網(wǎng)絡(luò)，CR3組成高通網(wǎng)絡(luò)，兩者串聯(lián)組成帶通濾波器。 二階高通濾波電路的幅頻響應(yīng)1．帶通濾波器，將低通濾波器和高通濾波器串聯(lián)，并使低通濾波器的通帶截止頻率fp2大于高通濾波器的通帶截止頻率fp1，則頻率在fp1和fp2之間的信號(hào)能夠通過，其余頻率的信號(hào)不能通過，因此構(gòu)成帶通濾波器。如以f=f0為對(duì)稱軸，二階高通濾波電路的，當(dāng)f f0時(shí)，隨f升高而增大，而二階低通濾波電路的當(dāng)f f0時(shí)，則是隨著f升高而減小。對(duì)二階壓控電壓源高通濾波電路來說，當(dāng)ω→∞時(shí)，電容C可視為短路，通帶電壓增益等于同相比例放大電路的電壓增益，圖 二階高通濾波電路考慮到高通濾波電路在電路結(jié)構(gòu)、傳遞函數(shù)和幅頻響應(yīng)與低通濾波電路的對(duì)偶關(guān)系，可得到高通電路的傳遞函數(shù)表達(dá)式為令，則 式中的、f0和Q分別表示二階高通濾波器的通帶電壓放大倍數(shù)、特征頻率和等效品質(zhì)因數(shù)。 一階高通濾波電路及幅頻響應(yīng)由于二階高通濾波電路與二階低通濾波電路存在對(duì)偶關(guān)系，他們的傳遞函數(shù)和幅頻響應(yīng)也存在對(duì)偶關(guān)系。 高通濾波器只要將上述討論過的低通濾波器電路中的R、C元件位置對(duì)調(diào)，則得到高通濾波器電路。這表明，二階濾波電路比一階低通濾波電路的濾波效果好得多。s=jω，則上式為令，則有 上式為二階低通濾波電路傳遞函數(shù)的典型表達(dá)式，其中f0為特征頻率，而Q則稱為等效品質(zhì)因數(shù)，是f=f0時(shí)電壓放大倍數(shù)的數(shù)值與通帶放大倍數(shù)之比。因此只要正反饋引入得當(dāng)，就既可能在f= f0時(shí)使電壓放大倍數(shù)數(shù)值增大，又不會(huì)因正反饋過強(qiáng)而產(chǎn)生自激振蕩。由于正反饋使電壓放大倍數(shù)在一定程度上受輸出電壓控制，且輸出電壓近似為恒壓源，所以稱為壓控電壓源二階低通濾波電路。壓控電壓源二階低通濾波電路將簡單二階低通濾波器電路中C1的接地端改接到集成運(yùn)放的輸出端，便可得到壓控電壓源二階低通濾波電路。它是由兩節(jié)RC濾波電路和同相比例放大電路組成。增加RC環(huán)節(jié)，可加大衰減斜率。 當(dāng)ffP時(shí)曲線按20dB/十倍頻下降。此電路的靜態(tài)計(jì)算可以從V3管入手，由負(fù)電源到它的基極回路計(jì)算出IE3即得兩差分管的集電極電流為：IC1=IC2=1/2 IE34 濾波電路類型及分析 一階低通濾波器電路，其傳遞函數(shù)為： 一階低通濾波器電路而對(duì)于RC電路，其拉氏變換為將上式帶入式，可以看到，式中分母為s的一次冪，所以稱為一階低通有源濾波電路。用如此大的電阻作為Re, 可大大提高其對(duì)共模信號(hào)的抑制能力。將三極管的CE代替Re作為共模反饋電阻，即可得到帶有恒流源的差分放大器。而直流電阻（工作點(diǎn)處的集電極電壓與集電極電流的比值）又不太大。 具有調(diào)零電路的差動(dòng)電路對(duì)射極上增加調(diào)零電阻RW后，前面的公式將修改為差模放大倍數(shù)Aud 差模輸入電阻rid 共模輸入電阻ric 問題的提出：為了進(jìn)一步提高共模抑制比，就必須增大Re，而增大Re，就必須要增加電源的值，所以必須設(shè)法使之Re上有較高的交流電阻，而又有不太高的直流電阻。（2）對(duì)雙端輸入，單端輸出：即：在單端輸出的情況下，靠共模反饋電阻Re抑制零點(diǎn)漂移。總之，差分放大器對(duì)差模信號(hào)（即有用信號(hào)）有較大的放大作用。差模電壓放大倍數(shù)：對(duì)差模信號(hào)： 因此在兩管中產(chǎn)生的信號(hào)電流方向正好相反，在Re上產(chǎn)生的電流方向相反，即在Re上總的信號(hào)電流為零，即沒有壓降，因此可由如下電路進(jìn)行分析：（1）對(duì)雙端輸入，雙端輸出：RL’為RC和RL/2的并聯(lián) 差模交流電路即：差分放大器的電壓放大倍數(shù)與單管共射放大器的電壓放大倍數(shù)一樣。 知：共模電壓放大倍數(shù)Auc 差模電壓放大倍數(shù)Aud 其中： 對(duì)差模信號(hào)的放大作用 在單端輸出的情況下：對(duì)稱性得不到利用。電路中的干擾信號(hào)、零點(diǎn)漂移等都可視為共模信號(hào)。電路中所加的有用信號(hào)就是差模信號(hào)。 基本差分放大器： 差分放大電路的基本形式有差分放大電路的基本形式我們可以得出：：對(duì)稱性。差分放大電路也稱為差動(dòng)放大電路，簡稱差放，它是集成運(yùn)算放大器中非常重要的單元電路。2 設(shè)計(jì)原理本設(shè)計(jì)是要求制作一個(gè)由集成電路組成的具有語音信號(hào)放大作用的語音放大電路，它首先通過小信號(hào)輸入，前置放大器，經(jīng)過有源帶通濾波器之后再經(jīng)過功率放大器后經(jīng)喇叭輸出。例如，型號(hào)為LMV851的運(yùn)算放大器內(nèi)置射頻抑制電路，因此抗電磁干擾的能力高，以8MHz的單位增益帶寬操作時(shí)。照目前的發(fā)展趨勢看，無論是哪一個(gè)國家/地區(qū)、哪一個(gè)市場/板塊，高能效產(chǎn)品都會(huì)大受客戶歡迎。可以節(jié)省大約 20% 的外部材料清單成本。SE2587L采用3x3 QFN封裝，是SiGe半導(dǎo)體最小的分立式功率放大器。SiGe半導(dǎo)體最近推出的SE2587L功率放大器，是基于SiGe半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)證的高性能架構(gòu)，在+19dBm ( 模式)和 +24dBm () 發(fā)射功率級(jí)下，能夠提供高線性度。傳感器應(yīng)用常常是由電池供電，因此還必須注意電源電壓和電流要求。例如，就基于傳感器的應(yīng)用而言，設(shè)計(jì)師常常需要放大和緩沖傳感器產(chǎn)生的信號(hào)。視特定設(shè)計(jì)目標(biāo)的不同，工程師們面臨著很多難題，其中常常包括同時(shí)要求提高性能、降低功耗和讓產(chǎn)品快速上市。通過在芯片上納入靈敏的反饋網(wǎng)絡(luò)，設(shè)計(jì)師無需花費(fèi)大量時(shí)間考慮雜散電容可能引起的不穩(wěn)定性，該電容與 PCB 上增益設(shè)置電阻的布線有關(guān)。其次，它使用較少的組件，占用電路板空間較少。LTC642020 與這種傳統(tǒng)方法相比有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。在這些應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)高速 ADC 的傳統(tǒng)方法是使用高壓、大電流消耗的 RF 放大器。LTC642020 是一種雙路高速全差分 ADC 驅(qū)動(dòng)器，具有很好的匹配性能規(guī)格。這些新產(chǎn)品很多將以改進(jìn)基本功能的形式出現(xiàn)，如提高運(yùn)算放大器的速度、精確度、噪聲和功率性能等，但是更多將以提高集成度的形式出現(xiàn)。這些器件主要分為 3 類：傳統(tǒng)的高性能放大器產(chǎn)品 (包括運(yùn)算放大器、儀表放大器和可編程增益放大器)；高速 ADC 驅(qū)動(dòng)器；專用精確高壓側(cè)電流檢測放大器。在高速視頻放大器方面，TI推出了一系列具有靈活可編程及高集成度的放大器類產(chǎn)品，例如針對(duì)視頻應(yīng)用的THS73xx系列產(chǎn)品，針對(duì)不同的視頻標(biāo)準(zhǔn)要求，其集成了低通濾波器，部分產(chǎn)品具有內(nèi)部固定增益放大，濾波器帶寬數(shù)字可編程選擇，以及輸入耦合方式選擇等性能。TI近期推出了一款高精度的運(yùn)OPA211，是以BiCom3HV為主要工藝開發(fā)的產(chǎn)品。工藝方面， BiCom3是TI針對(duì)高速度模擬產(chǎn)品而開創(chuàng)的工藝，其高電壓版本BiCom3HV為36V Bipolar SiGe工藝，兼顧速度的同時(shí)也可實(shí)現(xiàn)高電壓的應(yīng)用；HPA07工藝主要應(yīng)用于高精度模擬類產(chǎn)品，應(yīng)用這一工藝的器件具有高精度，小封裝，高SNR等特點(diǎn)，相似的HPA07HV可兼容36V應(yīng)用；除了以上具有代