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輻射檢測技術(shù)-文庫吧資料

2024-08-18 17:18本頁面
  

【正文】 質(zhì)的原子序數(shù)的平方成正比。16. β射線與物質(zhì)相互作用的輻射損失率的大小與什么因素有關(guān)?與α射線相比有何特點(diǎn)。(2) β粒子的電離損失率與入射β粒子的速度平方成反比。15. β射線與物質(zhì)相互作用的電離損失率的大小與什么因素有關(guān)?與α射線相比有何特點(diǎn)。 (2)韌致輻射(與靶原子核非彈性碰撞),是高能輕帶電粒子損耗動能的重要形式之一。(3)與靶物質(zhì)的電子密度正比,即在原子序數(shù)高的靶物質(zhì)中電離損失率大。 13. α射線與物質(zhì)相互作用的電離損失率的大小與什么因素有關(guān)?答:與以下因素有關(guān):(1)與重帶電粒子的電荷Z2成正比,因?yàn)閆大,庫侖作用力大,轉(zhuǎn)移給電子的能量也更多。被擊出的電子稱為次級電子,一般仍具有足夠能量使其原子電離,這種次級電子又稱δ電子(或稱δ射線)。最外層電子受核束縛最弱,最易被擊出。 12. 何謂初級電離和次級電離?并簡要說明它們產(chǎn)生的過程。44. 輻射探測器58利用輻射在氣體、液體或固體中引起的電離、激發(fā)效應(yīng)及或其它物理、化學(xué)變化進(jìn)行核輻射探測的器件稱為輻射探測器。43. γ射線儀器譜46γ射線原始能譜是線狀譜,而γ譜儀測得的能譜曲線是連續(xù)的復(fù)雜譜。37. 線衰減系數(shù)單位注量的入射射線通過單位距離厚度的靶物質(zhì)時,因某種形式的相互作用衰減的幾率。37. 宏觀截面Σ 在給定的體積內(nèi),所有原子發(fā)生某種特定類型的反應(yīng)或過程的截面總和除以該體積。35. 截面靶體與特定類型和能量的入射粒子(光子)發(fā)生特定反應(yīng)或過程的幾率P除以入射粒子的注量率。33. β放射源的自吸收 放射源放出β射線在穿過自身源體時也會因各種相互作用損失動能,改變方向或被吸收,這種現(xiàn)象稱為β放射源的自吸收。31. 輻射損失率帶電粒子在物質(zhì)中通過單位路徑時因產(chǎn)生軔致輻射而損失的能量稱為輻射損失率。29. 比電離指帶電粒子在單位路徑上所產(chǎn)生的離子對總數(shù)。27. 電離能損失率帶電粒子通過介質(zhì)時在每單位長度路徑上因電離、激發(fā)而損失的平均動能。 25. 電離當(dāng)軌道電子獲得的動能足以克服原子核的束縛成為自由電子,該過程即為電離。、“反射”改成“散射”四. 名詞解釋23. 射線泛指核衰變、核反應(yīng)或核裂變放出的粒子、光子,以及加速器加速的各種粒子。√19. 射線粒子流實(shí)質(zhì)上是電磁輻射,電磁輻射的波長長者能量高,貫穿本領(lǐng)強(qiáng)。、“電離損失率大得多”改成“電離損失率小得多”17. 射線與物質(zhì)作用時,β粒子的散射作用比重帶電粒子的散射作用小得多。、 “最小值”改成“最大值”15. 因?yàn)橹貛щ娏W拥馁|(zhì)量大,軌跡基本上是直線,只是在末端稍有彎曲,所以重帶電粒子的平均射程與它的軌跡平均值是一致的?!?3. 重帶電粒子與物質(zhì)相互作用時的電離損失率與靶物質(zhì)的電子密度有關(guān),即在原子序數(shù)高的靶物質(zhì)中電離損失率小。電離效應(yīng)三. 判斷題11. 帶電粒子與核外電子的彈性碰撞導(dǎo)致原子的電離或激發(fā),是使帶電粒子損失動能的主要方式。非彈性散射,復(fù)合核不穩(wěn)定放出γ光子或ρ、α等帶電粒子的反應(yīng)稱為 。這種散射稱為: 。這種散射稱為: 。最大值15. 中子與電子間的相互作用在中子能量損失和慢化方面的貢獻(xiàn),比起中子與原子核之間的作用來可認(rèn)為 。156A. B. C. D. 二、填空13. 比電離描述了電離能力的強(qiáng)弱,它是指帶電粒子在單位路徑上所產(chǎn)生的 。通常采用“靶”作為微觀截面的單位,1靶=( B )cm2。( A )36A. 電離 B. 光電效應(yīng) C. 康普頓效應(yīng) D. 電子對效應(yīng)103. 微觀截面是表示中子與單個靶核發(fā)生相互作用的概率大小的一種度量。93. 下列哪一個過程不是帶電粒子與物質(zhì)相互作用的過程。散射包括( A )兩大類。50A. 穿透晶體的光子多,累計(jì)效應(yīng)大 B. 穿透晶體的光子多,累計(jì)效應(yīng)大C. 穿透晶體的光子少,累計(jì)效應(yīng)大 D. 穿透晶體的光子少,累計(jì)效應(yīng)少39. 儀器的工作狀態(tài)影響到γ射線儀器譜,其中道寬大小影響能量分辨率,即( A )。46A. 閃爍探測器、半導(dǎo)體探測器 B. 閃爍探測器、電離室探測器C. 電離室探測器、半導(dǎo)體探測器 D. 半導(dǎo)體探測器、計(jì)數(shù)管探測器37. 常用的NaI(Tl)晶體和Ge(Li)半導(dǎo)體探測器,對同一γ源的探測結(jié)果不同,主要是因?yàn)樗鼈兊模?B )不同。43A. 光子能量越高,且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越小,光電效應(yīng)發(fā)生幾率大B. 光子能量越高,且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越大,電子對效應(yīng)發(fā)生幾率大C. 光子能量較低,且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越大,光電效應(yīng)發(fā)生幾率大 D. 光子能量較低,且靶物質(zhì)的原子序數(shù)越小,光電效應(yīng)和電子對效應(yīng)發(fā)生幾率小34. 下列是一些有關(guān)X、γ射線束的敘述,其中錯誤的是:( D )45A. 所謂單色射線束,是指一束光子的能量單一B. 所謂
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