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2024-08-18 16:34本頁面
【正文】 GaN射頻器件需求同樣巨大。目前，美國海軍新一代干擾機吊艙及空中和導(dǎo)彈防御雷達(AMDR)已采用GaN射頻功放器件替代GaAs器件。日本松下公司已推出業(yè)界最小的增強型600V一GaN功率晶體管。在民用市場，GaN射頻器件在5G通信領(lǐng)域需求顯著。依托我國巨大的潛在應(yīng)用市場，通過需求牽引，有望帶領(lǐng)我國第3代半導(dǎo)體在新時期實現(xiàn)“彎道超車”，搶占第3代半導(dǎo)體戰(zhàn)略制高點。與此同時成本和價格不斷下降，推動了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級發(fā)展。第3代半導(dǎo)體材料科學(xué)的基礎(chǔ)性研究和產(chǎn)業(yè)化技術(shù)已經(jīng)在美國、日本、歐盟3大區(qū)域初步發(fā)展成熟。但我國在電力電子、通訊等領(lǐng)域的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化與國外差距較大，需要加大研發(fā)投人，建立體制機制創(chuàng)新的研發(fā)創(chuàng)新和科技服務(wù)平臺，構(gòu)建立足地方、帶動全國、引領(lǐng)世界的跨學(xué)科、跨行業(yè)、跨區(qū)域的第3代半導(dǎo)體創(chuàng)新價值鏈，重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。它具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源、下一代射頻和電力電子器件的“核心”，在半導(dǎo)體照明、消費類電子、5G移動通信、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，有望突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸，與第1代、第2代半導(dǎo)體技術(shù)互補，對節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、催生新的經(jīng)濟增長點發(fā)揮重要作用，正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。第3代半導(dǎo)體材料主要有3大應(yīng)用領(lǐng)域:電力電子、微波射頻和光電子。第3代半導(dǎo)體材料是指帶隙寬度明顯大于Si()和GaAs()的寬禁帶半導(dǎo)體材料()，包括III族氮化物〔如氮化稼(GaN)、氮化鋁(A1N)等〕，碳化硅(SiC)，寬禁帶氧化物〔(如氧化鋅(ZnO)、氧化稼
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