【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題庫(kù)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)器,其
2025-06-28 17:27
【摘要】1《電力電子技術(shù)》期末標(biāo)準(zhǔn)試卷(A)(2022—2022學(xué)年第上學(xué)期)題號(hào)一二三四五總分得分一、填空題(每小空1分,共13分)1.正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)運(yùn)用于電壓型逆變電路中,當(dāng)改變__
2025-01-13 23:16
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一、填空題(20分)1、______電路和_______電路是兩種最基本的線性應(yīng)用電路。2、晶體二極管具有_______特性。3、放大電路的分析方法有______和小信號(hào)模型分析法。4、BJT的主要參數(shù)是__________。5、帶寬和________是放大電路的重要指標(biāo)之一。6、處理模擬信號(hào)的電子電路稱為_(kāi)______。7、把整個(gè)電路中的元器件制
2024-08-18 10:19
【摘要】一、選擇題1、圖示電路中的電流I為()。2、圖示電路中電流I為(B.-15A)。,電流表正負(fù)接線端用“+”、“-”號(hào)標(biāo)出。今電流表指針正向偏轉(zhuǎn),示數(shù)10A,有關(guān)電流、電壓方向也表示在圖中,則(C)正確。C.I1=10A,U=12V4、圖示電路中,電流I為()5、圖示電路中U為()。6、圖示電路中,判斷電阻R中流通的
2025-06-29 23:34
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成一
2025-01-13 21:40
【摘要】試題_2006_年~__2007__年第2學(xué)期課程名稱:數(shù)字電子技術(shù)專業(yè)年級(jí):自動(dòng)化05級(jí)考生學(xué)號(hào):考生姓名:試卷類型:A卷■B卷□考試方式:
2024-11-02 13:00
【摘要】系別專業(yè)(班級(jí))姓名學(xué)號(hào)………………………密……………………封…………………………裝…………………訂………………………線………………………數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)期末考試試卷課程名稱數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)
2025-06-28 15:04
【摘要】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級(jí)放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級(jí)。4、三極管的輸出特性
2024-11-13 05:29
【摘要】電力電子技術(shù)試題1、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率
2024-11-15 18:17
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時(shí),多子的()運(yùn)動(dòng)較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-29 19:42
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對(duì)應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個(gè)輸入為0時(shí),輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個(gè)最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時(shí),不考慮低位的進(jìn)位信號(hào)是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-06-28 14:53
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-04 20:13
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)
2025-06-30 06:56
2025-07-31 21:40
【摘要】1考試試卷(1)卷一、填空題(本題共8小題,每空1分,共20分)1、電子技術(shù)包括______________和電力電子技術(shù)兩大分支,通常所說(shuō)的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身?yè)p耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在_________狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí),_________損耗會(huì)成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中,載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻
2025-06-13 03:22