光電探測器芯片-文庫吧資料
2024-08-18 04:07本頁面
【正文】 在 Vr反偏電壓較低的時候，暗電流主要是以上兩種因素。 ? 暗電流根據(jù)形成機(jī)理主要分： ? 擴(kuò)散電流，產(chǎn)生復(fù)合電流，隧穿電流，表面漏電流 ? Idiff：耗盡區(qū)周圍的非耗盡區(qū) P區(qū)和 n區(qū)內(nèi)的少數(shù)載流子向耗盡區(qū)擴(kuò)散形成的電流。因而考慮在 PN結(jié)中間增加 I（近乎本征）層的區(qū)域 。在入射光的作用下產(chǎn)生電子空穴對，這些電子空穴對在耗盡層內(nèi)的以較高的速度漂移，在耗盡層外則以擴(kuò)散速度向兩個電極運動，因此總的速度較慢，要增加響應(yīng)速度就不得不增加反壓來增加耗盡層寬度。如，異質(zhì)結(jié)晶體管中用寬帶的一側(cè)做發(fā)射極會得到較高的注入比等，在激光器的應(yīng)用中的載流子及光子的限制作用， PD中的透明窗口作用等。另外還有同型同質(zhì)結(jié)，異型異質(zhì)結(jié)。 B： hvEg時，不會發(fā)生電子躍遷。由不同的原子能級所形成的允許帶之間的間隔為禁止能帶。由于原子數(shù) N很大，所以分裂出來的能級將是 十分密集的。原于的間距愈小，電子波函數(shù)的交疊就越厲害，則分裂出來的能級之間的能量差距就放大。首先是最外層的波函數(shù)發(fā)生交疊，這時相應(yīng)于孤立原子的電子能級，內(nèi)于原子之間的相互作用就要解除簡并。如果將這些原子逐漸靠近。當(dāng)每個原子都處于孤立狀態(tài)時，電子都有相同的能級結(jié)構(gòu)。 Ev valence 。 *注，紅外光根據(jù)應(yīng)用分類方法略微不同。 光伏效應(yīng)： 在有 PN結(jié)的半導(dǎo)體材料中，外界光入射后產(chǎn)生的載流子在 P區(qū)及 N區(qū)堆積產(chǎn)生電勢。光電探測器 ? 光電探測器的基本原理及一般分類 ? 光纖通信用光電二級管分類 ? InGaAs PIN－ PD光電二極管原理工藝及相關(guān)參數(shù) ? APD 光電二極管原理及相關(guān)參數(shù) ? 小結(jié) 光電探測器的基本原理及一般分類 ? 電磁波 ?? *f?光電探測器的基本原理及一般分類 光電效應(yīng)： 當(dāng)光束投射到固體表面時，進(jìn)入體內(nèi)的光子如 直接 與電子作用（吸收、動量傳遞等），引起電子狀態(tài)的轉(zhuǎn)變，則固體的電學(xué)性質(zhì)隨之改變，這類現(xiàn)象統(tǒng)稱為固體的光電效應(yīng)。 光電效應(yīng)分類：光電導(dǎo)效應(yīng) 、光伏效應(yīng) … 光電探測器的基本原理及一般分類 ? 光電導(dǎo)效應(yīng)： 半導(dǎo)體材料吸收光輻射而產(chǎn)生載流子（光生載流子），從而使半導(dǎo)體的導(dǎo)電率發(fā)生變化的現(xiàn)象。 光電探測器的基本原理及一般分類 ? 1 常用光電探測器分類： 按可探測的波長范圍 紫外光探測器（ 200～ 400nm）： GaN，金剛石膜， SiC ,ZnO,TiO2… 可見光探測器（ 400～ 780nm） :Si CdS、 CdSe、 CdTe 近紅外光探測器（ ～ 3um） 中紅外光探測器（ 3～ 30um）： InGaAs、 AsGa、 PbSe、 InSb、 HgCdTe、 PbS…. 遠(yuǎn)紅外光探測器（ 30～ 1000um）“熱探測器” TGS /SBN /LiNaO3etc. 很多探測器的探測范圍是相互疊加的，因此可以實現(xiàn)較大波長范圍的光測試。
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