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pmos功率管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)-文庫(kù)吧資料

2025-07-05 19:18本頁(yè)面
  

【正文】 2)電源上電有可能Vgs過(guò)大,在G、S極增加一個(gè)8V穩(wěn)壓二極管保護(hù)3)IRF9393的最大Vds約55V,更改為IRF6217,最大Vds變?yōu)?50V4)在D極增加24V TVS5)在輸出端口增加電阻等措施6)去掉輸出π型濾波電路上的并接反向二極管,如有可能,在輸出放置防反接二極管。2)MOS管損壞過(guò),現(xiàn)象是能夠正常開(kāi)啟MOS管,但不能完全關(guān)斷MOS管,懷疑是MOS管寄生二極管損壞導(dǎo)致。正向擊穿,可能因?yàn)镾極在關(guān)電時(shí),因?yàn)榫€上電感原因,造成U過(guò)大;或者線上串入能量較大干擾電壓,導(dǎo)致寄生二極管正向通道電流過(guò)大,燒毀寄生二極管,從而造成MOS管失效。 根據(jù)A圖,反向寄生二極管有可能被正向或反向擊穿。 PMOS開(kāi)關(guān)管電路設(shè)計(jì)指南2013/7/18
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