pmos功率管開關電路設計-資料下載頁
2025-06-29 19:18本頁面
【正文】 2） 增加C1，上電時U1的G極高電平3） 可以在R7之后再增加一個R（10K）和C（1u），起到外部24V給電之后的防沖擊保護。4） 這里的24V推薦是輸入濾波完成之后24V圖6 PMOS管導通波形分析：1） 電流Id 160us從0上升到89mA，di/dt =，假設線路L=1uH，沒有影響。2） Vd上升和Id幾乎同步3） ，下降時間600us，期間Vd*Id=48mA*()V=約1W，MOS管瞬時功耗較大，按照1ms，能量為1mJ。，Eas=15mJ。4） 可以按照零極點分析方法，分析MOS管G、D極穩(wěn)定性。在G極和S極之間增加穩(wěn)壓管，在S、D之間增加RC電路明顯增加系統(tǒng)的穩(wěn)定性。5） 零點不影響系統(tǒng)穩(wěn)定性；極點如果在s平面的左平面部分，系統(tǒng)穩(wěn)定。如果極點非常靠近虛軸j，則系統(tǒng)有可能不穩(wěn)定，建議調整，使極點遠離j軸。7
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