【正文】 siw 文件格式。 運行 File/Import Component File…命令,。運行Ansoft/Write Siwave Component File 命令，輸出元器件定義文件 .CMP 。運行Allegro后,在Allegro的菜單中會增加Ansoft一項。器件 電壓 電壓紋波 工作頻率 I/O 電流 目標阻抗(Ω)D40 +10% 330mV 33MHz = 3D41 +10% 330mV 33MHz = 3D42 +10% 330mV 100MHz = D55 +10% 330mV 25MHz = . . . . .學習參考 第四章　文件格式轉換通過 轉換器把Cadence Allegro的PCB（.BRD）文件轉換成Ansoft SIwave 的siw 文件格式。比如，一個 5 伏的電源，允許的電壓噪聲為 5%，最大瞬間電流為 1安培，那么設計的最大電源阻抗為： 從上面的計算公式可以看出，隨著電源電壓不斷減小，瞬間電流不斷增大，所允許的最大電源阻抗也大大降低。電源之所以波動，就是因為實際的電源平面總是存在著阻抗，這樣，在瞬間電流通過的時候，就會產(chǎn)生一定的電壓降和電壓擺動。所謂電源分配系統(tǒng)，其作用就是給系統(tǒng)內的所有器件提供足夠的電源，這些器件不但需要足夠的功率消耗，同時對電源的平穩(wěn)性也有一定的要求。5) 使用多端口網(wǎng)絡，可以得到轉移 Z 參數(shù)6) 通過 S 參數(shù)可以分析信號的傳輸與耦合特性4．輸出全波 SPICE 模型以及進行 SPICE 仿真用 SPICE 模型在時域進行電源波動、開關噪聲等仿真。3．S、Y、Z 參數(shù)1) 計算一個端口（IC 位置）的 Z 參數(shù)，從 Z 頻率響應曲線，我們可以得到所需的總的電容、寄生電感、寄生電阻，這決定了選用的去耦電容的物理尺寸。2． 頻率掃描（Frequency Sweep）1) 電壓探測（Probe Voltage）在放置 IC 位置附近，用一個電流源模擬 IC 的工作，將一個電壓探針放置在我們關心的位置，觀察改位置的電壓頻率響應，根據(jù)峰值，從而可以知道哪些諧振頻率得到激勵。 Vc 10PF CLKout POWER GND . . . . .學習參考第二章　電源完整性設計流程 電源完整性設計基本流程 導 入 關 鍵 信 號 、 電 源 /地 網(wǎng) 絡 IC器 件 是 否 處在 諧 振 位 置 電 源 /地 平 面 諧 振 仿 真 諧 振 Q值 滿 足 要 求 ,沒 有 較 大 的 諧 振 點 加 入 激 勵 電 流 源 在 熱 點 位 置 放 置 電 容 并 仿 真 Z阻 抗 是 否 在目 標 阻 抗 以 下 電 壓 頻 率 響 應 和 平 面 電 壓 分 布 是 否 滿 足 要 求 分 析 SYZ參 數(shù) 電 源 /地 平 面 諧 振 是 否 滿 足 要 求 導 入 檢 查 出 現(xiàn) 異 常 開 始 結 束 NO YES YES NO NO YES NO YES NO ES YES NO YES NO IC器 件 布 局 輸 出 全 波 SPIC 模 型 ， IE仿 真 疊 層 結 構 是 否 最 佳 使用ansoft公司的SIwave 完成典型的PI 分析的典型流程如上圖所示，它主要分為四大步，包括：1． 諧振模式（Resonant Mode）1) 預布局 PDS 的地電平面的結構，包括疊層、板材、以及地電分割等，使 PCB. . . . .學習參考光板在我們所關注的頻率范圍或更高的范圍內不發(fā)生諧振。在3G平臺項目MNIC單板中，在通過SI分析計算后將總線讀寫之類的時序設計的余量加大，然后就可以將時鐘進行一些處理使得時鐘變得緩慢上升和下降。當數(shù)字信號的頻譜（輻射源）與共模遠端輻射的頻率特性結合，我們得到圖 117 的數(shù)字信號的共模輻射特性。如果 Lλ/2，取實際的環(huán)路面積。圖 116以下是理想的電偶極子的關于共模輻射的 MAXWELL 方程：當距離 rλ/2π 時屬于遠場（當距離 rλ/2π 時屬于近場） 。圖 116 為電偶極子的示意圖。 共模遠場輻射共模電流是指在回路中電流流向一致的電流。圖 115 差模輻射遠場與頻譜的關系由于輻射場與電流環(huán)路面積成正比，環(huán)路面積越小輻射越小。此后則以 40dB/Dec 下降（與頻率的平方成反比） 。圖 114 是時鐘信號的Fourier 頻譜及包絡線。圖 113 顯示了對于給定回路的輻射與頻率的關系。抵消。當（式 ）中面積中的λ178。當頻率足夠高時，環(huán)路長度大于 λ/2 時，有效的環(huán)路面積為 λ178。這種“天線萎縮”的物理解析是，如果天線相對頻率足夠長時，天線上存在波峰和波谷，波峰和波谷間會相互抵消一些輻射。的倍數(shù)。＝π（λ/4π）178。即：A =πr178。對于差模遠場輻射以上等式（ 和 ）可以簡化為：上述公式中，如果環(huán)路的長度大于 λ/2 時,即：L≧λ/2， L 應按 L=λ/2 計算，輸入公式中的環(huán)路的面積 A 應該調整至長度最大為 λ/2 時的面積。當距離 rλ/2π 時屬于遠場（當距離 rλ/2π 時屬于近場。如圖 112 當 L =2πa λ 時，回路為磁偶極子。差模輻射的模型通?；诖排紭O子。2/10inpF在3G平臺項目MNIC單板中，就多次采用這種人工制作電容方式來處理48V入口處、CPU等處的去耦問題，起到非常好的作用，也就是在PCB板走線層和平面層分別加上接電源地的大塊銅皮。電源、地平面的電容粗略計算為：　　　 )( ?????其中， 平面之間介質的介電常數(shù)（FR4材料， ）， 平面的面積（?r? ?rS）， 平板間距（mm）。利用電源地平面的平板電容器特性來進行高頻濾波，也是一個非常好的方法。Less ESR. . . . .學習參考圖 1－8 ? 不相同電容組合的阻抗頻率特性由圖 1－9，不相同電容并聯(lián)組合，使相應頻段內的阻抗都能得到控制。 分布參數(shù)對電容阻抗頻率特性的影響? ESL、ESR 一定，電容量變化的電容阻抗頻率特性圖 1－5 ? 電容值、ESR 一定，ESL 變化的電容阻抗頻率特性. . . . .學習參考圖 1－6 ? 電容、ESL 一定，ESR 變化的電容阻抗頻率特性 圖 1－7 ? 相同電容組合的阻抗頻率特性由圖 1－8，相同電容并聯(lián)組合，一方面電容量增大，但同時 ESL 減小，所以 SRF 不變。X7R 為二類陶瓷電容，電壓特性與溫度特性較好，容量通常在幾 nF～幾 uF。陶瓷電容高頻特性非常好，性能穩(wěn)定，ESR 很小。對于高頻去耦更合適的選擇應該是單片陶瓷電容器，因為它們具有很低的等效串聯(lián)電感。鋁電解電容主要用在電源模塊部分，它的容值可以作的很大。這些電容器基本上是由多層塑料或紙介質把兩張金屬箔隔開然后卷成一個卷筒制成的。圖 1－3 電容等效電路由串聯(lián)諧振回路的諧振頻率計算公式可知：自諧振頻率 ，CLSRF???2 去耦、濾波電容的選擇在電源完整性設計中，我們要解決的主要是高頻噪聲，要求去耦電容具有良好的高頻濾波特性和非常小的等效電感、等效電阻。其曲線如圖 1－4。. . . .