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正文內(nèi)容

最新單片機(jī)電子稱課程設(shè)計(jì)-文庫吧資料

2025-07-05 02:40本頁面
  

【正文】 法和步驟,選用適當(dāng)?shù)闹噶钆帕衅饋?,?gòu)成一個(gè)有機(jī)的整體,即程序。這是能否編制出高質(zhì)量程序的關(guān)鍵。程序設(shè)計(jì)是一件復(fù)雜的工作,為了把復(fù)雜的工作條理化,就要有相應(yīng)的步驟和方法。如果是機(jī)電一體化的設(shè)計(jì)人員,往往需要同時(shí)考慮單片機(jī)的軟硬件資源分配。我們使用的為動(dòng)態(tài)顯示 LED動(dòng)態(tài)顯示方式。段選線控制字符選擇,位選線控制顯示位的亮、暗。N位LED顯示器有N根位選線和8*N根段選線。 LED顯示器與顯示方式系統(tǒng)采用動(dòng)態(tài)掃描顯示方式顯示電壓,動(dòng)態(tài)顯示方式所需元件數(shù)量和元件種類較靜態(tài)顯示方式要少的多,并且利用人眼的視覺暫留效應(yīng)和發(fā)光二極管熄滅時(shí)的余輝,動(dòng)態(tài)顯示方式可以較好地“同時(shí)”顯示多個(gè)字符,只要掃描頻率足夠高就不會(huì)使人產(chǎn)生閃爍的感覺。共陰極LED顯示塊的發(fā)光二極管陰極共地。在單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中通常使用的是七段LED。在掉電模式下,保存RAM的內(nèi)容并且凍結(jié)振蕩器,禁止所用其他芯片功能,直到下一個(gè)硬件復(fù)位為止。在芯片擦操作中,代碼陣列全被寫“1”且在任何非空存儲(chǔ)字節(jié)被重復(fù)編程以前,該操作必須被執(zhí)行。 XTAL1:反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。 RST:復(fù)位輸入。當(dāng)P3口寫入“1”后,它們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。在給出地址“1”時(shí),它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢,當(dāng)對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫時(shí),P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2口:P2口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P2口緩沖器可接收,輸出4個(gè)TTL門電流,當(dāng)P2口被寫“1”時(shí),其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高,且作為輸入。P1口管腳寫入1后,被內(nèi)部上拉為高,可用作輸入,P1口被外部下拉為低電平時(shí),將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在FIASH編程時(shí),P0 口作為原碼輸入口,當(dāng)FIASH進(jìn)行校驗(yàn)時(shí),P0輸出原碼,此時(shí)P0外部必須被拉高[3]。當(dāng)P1口的管腳第一次寫1時(shí),被定義為高阻輸入。 GND:接地。AT89C51單片機(jī)特點(diǎn)能與MCS51 兼容,有 4K字節(jié)可編程閃爍存儲(chǔ)器,壽命能夠達(dá)到1000寫/擦循環(huán),數(shù)據(jù)可以保留時(shí)間長達(dá)10年,全靜態(tài)工作:0Hz24MHz,三級程序存儲(chǔ)器鎖定,1288位內(nèi)部RAM,32可編程I/O線,兩個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器,5個(gè)中斷源,可編程串行通道,低功耗的閑置和掉電模式,片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路。該器件采用ATMEL高密度非易失存儲(chǔ)器制造技術(shù)制造,與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的MCS51指令集和輸出管腳相兼容。隨后輸出8位數(shù)據(jù)。直到第11個(gè)脈沖時(shí)發(fā)出最低位數(shù)據(jù)D0,一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)輸出完成。到第3個(gè)時(shí)鐘脈沖到來之后DI端的輸入電平就失去輸入作用,此后DO/DI端則開始利用數(shù)據(jù)輸出DO進(jìn)行轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的讀取。當(dāng)配置2位數(shù)據(jù)為0、0時(shí),將CH0作為正輸入端IN+,CH1作為負(fù)輸入端IN進(jìn)行輸入。 表1輸入形式 配置位選擇通道CH0CH1CHOCH1差分輸入00+01+單端輸入10+11+如表所示,當(dāng)配置位2位數(shù)據(jù)為0時(shí),只對CH0 進(jìn)行單通道轉(zhuǎn)換。在第1個(gè)時(shí)鐘脈沖到來之前DI端必須是高電平,表示啟動(dòng)位。當(dāng)要進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換時(shí),須先將CS端置于低電平并且保持低電平直到轉(zhuǎn)換完全結(jié)束。但由于DO端與DI端在通信時(shí)并未同時(shí)有效并與單片機(jī)的接口是雙向的,所以電路設(shè)計(jì)時(shí)可以將DO和DI 并聯(lián)在一根數(shù)據(jù)線上使用?!?GND——電源地。 ● CLK——串行時(shí)鐘輸入端?!?DI——兩路模擬輸入選擇輸入端。各引腳說明如下:● CS——片選端,低電平有效。其主要特點(diǎn)如下:● 8位分辨率,逐次逼近型,基準(zhǔn)電壓為5V;● 5V單電源供電;● 輸入模擬信號電壓范圍為0~5V;● 輸入和輸出電平與TTL和CMOS兼容;● 在250KHZ時(shí)鐘頻率時(shí),轉(zhuǎn)換時(shí)間為32us;● 具有兩個(gè)可供選擇的模擬輸入通道;● 功耗低,15mW。獨(dú)立的芯片使能輸入,使多器件連接和處理器控制變得更加方便。ADC0832 為8位分辨率A/D轉(zhuǎn)換芯片,其最高分辨可達(dá)256級,可以適應(yīng)一般的模擬量轉(zhuǎn)換要求。 6:共地信號輸出 3:同向輸入端如放大器增益的外接電阻調(diào)整、方便準(zhǔn)確的量程切換、極性自動(dòng)變換等. 為AD620放大器 AD620引腳說明: 8:外接增益電阻 從而保證放大器輸出性能穩(wěn)定??构材k妷焊蓴_能力強(qiáng)。因此,一般對放大器有如下一些要求:輸入阻抗應(yīng)遠(yuǎn)大于信號源內(nèi)阻。放大器的輸入信號一般是由傳感器輸出的。為此,測量電路中常設(shè)有模擬放大環(huán)節(jié)。在許多需要用A/D轉(zhuǎn)換和數(shù)字采集的單片機(jī)系統(tǒng)中,多數(shù)情況下,傳感器輸出的模擬信號都很微弱,必須通過一個(gè)模擬放大器對其進(jìn)行一定倍數(shù)的放大,才能滿足A/D轉(zhuǎn)換器對輸入信號電平的要求,在此情況下,就必須選擇一種符合要求的放大器。 它由電阻應(yīng)變片電阻RRRR4組成測量電橋,R1=R2=R3=R4=350Ω,加熱絲阻值為50Ω左右,測量電橋的電源由穩(wěn)壓電源Uin供給。其特點(diǎn)是:當(dāng)四個(gè)橋臂電阻達(dá)到相應(yīng)的關(guān)系時(shí),電橋輸出為零,或則就有電壓輸出,可利用靈敏檢流計(jì)來測量,所以電橋能夠精確地測量微小的電阻變化。所以測量電路應(yīng)當(dāng)能精確測量出很小的電阻變化,在電阻應(yīng)變傳感器中做常用的是橋式測量電路。其輸出靈敏度比半橋又提高了一倍,非線性誤差和溫度誤差均得到改善。由于粘合劑為高分子材料,其特性隨溫度變化較大,所以稱重傳感器必須在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用。非線性誤差是傳感器特性中最重要的一點(diǎn)。B. 電阻絲與被測元件材料的線膨脹系數(shù)的不同引起的。本設(shè)計(jì)中采用的是電阻絲應(yīng)變片,為獲得高電阻值,電阻絲排成網(wǎng)狀,并貼在絕緣的基片上,電阻絲兩端引出導(dǎo)線,線柵上面粘有覆蓋層,起保護(hù)作用。 5V直流電源設(shè)計(jì)原理 傳感器數(shù)據(jù)采集模塊電阻應(yīng)變式傳感器是將被測量的力,通過它產(chǎn)生的金屬彈性變形轉(zhuǎn)換成電阻變化的元件。本穩(wěn)壓電源可作為TTL電路或單片機(jī)電路的電源。220V交流市電通過電源變壓器變換成交流低壓,再經(jīng)過橋式整流電路D1~D4和濾波電容C1的整流和濾波,在固定式三端穩(wěn)壓器LM7805的Vin和GND兩端形成一個(gè)并不十分穩(wěn)定的直流電壓(該電壓常常會(huì)因?yàn)槭须婋妷旱牟▌?dòng)或負(fù)載的變化等原因而發(fā)生變化)。+5V、。5V,傳感器需要+5V以上的線性電源。單片機(jī)控制適合于功能比較簡單的控制系統(tǒng),而且其具有成本低,功耗低,體積小算術(shù)運(yùn)算功能強(qiáng),技
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