【正文】 電復(fù)位序列來(lái)恢復(fù)該位。寄存器的位可通過(guò)寫(xiě)入特定的寄存器位來(lái)改變。FMPREn和FMPPEn寄存器的出廠設(shè)置中，所有已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器組所對(duì)應(yīng)的位的值為1。此類(lèi)訪問(wèn)所返回的數(shù)據(jù)將全部為0?？蛇x擇產(chǎn)生控制器中斷（通過(guò)置位FIM寄存器的AMASK位）來(lái)向軟件開(kāi)發(fā)者報(bào)警在開(kāi)發(fā)和調(diào)試階段中出現(xiàn)的錯(cuò)誤軟件操作。存儲(chǔ)器模塊的內(nèi)容禁止作為數(shù)據(jù)來(lái)訪問(wèn)，也不能通過(guò)DCode總線。Flash存儲(chǔ)器保護(hù)讀使能（FMPREn）：如果置位，則通過(guò)軟件或調(diào)試器執(zhí)行或讀模塊。 Flash存儲(chǔ)器保護(hù)編程使能（FMPPEn）：如果置位，則可以對(duì)模塊進(jìn)行編程(寫(xiě))或擦除。例如，如果器件正工作在20MHz的頻率下，那么必須向USECRL寄存器寫(xiě)入值0x13。復(fù)位時(shí)，用來(lái)配置flash時(shí)序的值將被加載到USECRL寄存器中，使flash能和器件的最大時(shí)鐘速率協(xié)同工作。為了完成這種計(jì)時(shí)，必須向Flash控制器提供每微秒的時(shí)鐘周期數(shù)。Flash存儲(chǔ)器時(shí)序Flash的時(shí)序是由Flash控制器自動(dòng)處理的。只讀區(qū)塊不能進(jìn)行擦除或者編程，以保護(hù)區(qū)塊的內(nèi)容免受更改。這些區(qū)塊配對(duì)后便組成了一組可分別進(jìn)行保護(hù)的2KB區(qū)塊。對(duì)一個(gè)區(qū)塊進(jìn)行擦除將使該區(qū)塊的全部?jī)?nèi)容復(fù)位為1。使用下面的公式來(lái)計(jì)算bitband別名：bitband別名 = bitband基址 + (字節(jié)偏移量 * 32) + (位編號(hào) * 4)例如，則bitband別名計(jì)算如下：+(0x1000*32)+(3*4)=通過(guò)計(jì)算得出的別名地址。為了減少讀－修改－寫(xiě)（RMW）操作的時(shí)間，ARM在CortexM3處理器中引入了bitbanding技術(shù)。在Flash存儲(chǔ)器中可應(yīng)用Flash保護(hù)，以2KB塊大小為單位。LM3S811微控制器帶有8 KB的bitbanded SRAM和64 KB的Flash存儲(chǔ)器。2. 內(nèi)部復(fù)位有效。 如果在第一次溢出中斷清除之前定時(shí)器再次遞減計(jì)數(shù)到零，并且復(fù)位信號(hào)已使能，則看門(mén)狗定時(shí)器將其復(fù)位信號(hào)發(fā)送到系統(tǒng)。 看門(mén)狗定時(shí)器可配置成在第一次溢出（timeout）時(shí)向控制器產(chǎn)生中斷，在第二次溢出（time out）時(shí)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。3. 內(nèi)部復(fù)位釋放，控制器從存儲(chǔ)器加載初始堆棧指針、初始程序計(jì)數(shù)器以及程序計(jì)數(shù)器指定的第1條指令，然后開(kāi)始執(zhí)行。 軟件啟動(dòng)的系統(tǒng)復(fù)位序列如下：1. 軟件系統(tǒng)復(fù)位通過(guò)寫(xiě)ARM CortexM3應(yīng)用中斷和復(fù)位控制寄存器的SYSRESETREQ位來(lái)啟動(dòng)。 注：用于指定單元所有時(shí)鐘的所有復(fù)位信號(hào)在軟件啟動(dòng)復(fù)位時(shí)有效。 如果寄存器中與外設(shè)對(duì)應(yīng)的位置位，則相應(yīng)的外設(shè)被復(fù)位。軟件復(fù)位軟件可復(fù)位特定的外設(shè)或產(chǎn)生整個(gè)系統(tǒng)的復(fù)位。5. 內(nèi)部BOR條件在500181。3. 如果BOR條件存在，內(nèi)部復(fù)位就有效。2. 如果PBORCTL寄存器中的BORWT位置位且BORIOR沒(méi)有被置位，則BOR條件再次重新采樣，在BORTIM特定的延時(shí)后，確定原來(lái)的條件是否由噪聲產(chǎn)生。 PBORCTL寄存器的BORIOR位必須置位，以便出現(xiàn)掉電條件時(shí)觸發(fā)一次復(fù)位。 這個(gè)特性可以選擇性地使能。 如果檢測(cè)到掉電條件，系統(tǒng)可產(chǎn)生控制器中斷或系統(tǒng)復(fù)位。系統(tǒng)提供的掉電檢測(cè)電路在電源（VDD）降至低于掉電閾值電壓（VBTH）時(shí)觸發(fā)。 外部復(fù)位不能復(fù)位JTAG控制器掉電復(fù)位（BOR）當(dāng)輸入電壓下降導(dǎo)致內(nèi)部掉電檢測(cè)器有效時(shí)，能將控制器復(fù)位。內(nèi)部POR只在控制器最初上電時(shí)有效。 在此期間，控制器其余部分的內(nèi)部復(fù)位保持有效。上電復(fù)位序列如下：1. 控制器等待后來(lái)的外部復(fù)位（RST）或內(nèi)部POR變?yōu)闊o(wú)效。 R2電阻緩解RST輸入的任何泄漏。 RST輸入可以和下圖所示電路一起使用?？刂破鞑荒苷_工作。 指定的工作參數(shù)包括電源電壓、頻率、溫度等等。為使用片內(nèi)電路， RST輸入需要通過(guò)一個(gè)上拉電阻（1K～10K ?）連接到電源（VDD）。主振蕩器供外部復(fù)位和上電復(fù)位使用；內(nèi)部振蕩器供內(nèi)部復(fù)位和時(shí)鐘驗(yàn)證電路等內(nèi)部處理使用。 該寄存器中的位具有“粘著特性（sticky）”，在經(jīng)過(guò)多個(gè)復(fù)位序列之后仍能保持其狀態(tài)，外部復(fù)位除外。5. 違反看門(mén)狗定時(shí)器復(fù)位條件，見(jiàn)“看門(mén)狗定時(shí)器復(fù)位” 在 52頁(yè)。3. 內(nèi)部掉電（BOR）檢測(cè)器，見(jiàn)“掉電復(fù)位（BOR）” 在 51頁(yè)。 它提供有關(guān)器件的信息，控制器件和各個(gè)外設(shè)的時(shí)鐘，并處理復(fù)位檢測(cè)和報(bào)告.復(fù)位源控制器有6個(gè)復(fù)位源：1. 外部復(fù)位輸入管腳（RST）有效，見(jiàn)“RST管腳有效” 在 50頁(yè)。例如，如果GPIO端口A和GPIO端口B都為優(yōu)先級(jí)1，那么GPIO端口A的優(yōu)先級(jí)更高。注意：0是所有可調(diào)整優(yōu)先級(jí)的默認(rèn)優(yōu)先級(jí)。你還可以把優(yōu)先級(jí)劃分為占先優(yōu)先級(jí)和次要優(yōu)先級(jí)兩組。系統(tǒng)處理程序的優(yōu)先級(jí)是通過(guò)NVIC系統(tǒng)處理程序優(yōu)先級(jí)寄存器來(lái)設(shè)置的。處理器還支持末尾連鎖（tailchaining），這使處理器無(wú)需保存和恢復(fù)狀態(tài)便可執(zhí)行連續(xù)的(backtoback)中斷。在出現(xiàn)異常時(shí)，處理器的狀態(tài)將被自動(dòng)存儲(chǔ)到堆棧中，并在中斷服務(wù)程序(ISR)結(jié)束時(shí)自動(dòng)從堆棧中恢復(fù)。LM3S811的結(jié)構(gòu)框圖如下：圖21 中斷 ARM CortexM3 處理器和嵌套向量中斷控制器(NVIC)將區(qū)分所有異常的優(yōu)先等級(jí)并對(duì)其進(jìn)行處理。? 從 ARM7? 處理器系列中移植過(guò)來(lái)，以獲得更好的性能和電源效率。? 優(yōu)越的中斷處理能力，通過(guò)執(zhí)行寄存器操作來(lái)實(shí)現(xiàn)，這些寄存器操作在處理硬件中斷時(shí)使用。特性包括：? 緊湊的內(nèi)核? Thumb2指令集，在通常與8位和16位設(shè)備相關(guān)的存儲(chǔ)容量中，特別是在微控制器級(jí)應(yīng)用的幾千字節(jié)存儲(chǔ)量中，提供ARM內(nèi)核所期望的高性能。?ADC事件觸發(fā)器16位定時(shí)器模式? 通用定時(shí)器功能，并帶一個(gè)8位的預(yù)分頻器? 可編程單次觸發(fā)定時(shí)器? 可編程周期定時(shí)器? 在調(diào)試的時(shí)候，當(dāng)控制器發(fā)出CPU暫停標(biāo)志時(shí)，用戶可設(shè)定暫停周期或者單次模式下的計(jì)數(shù)? ADC事件觸發(fā)器16位輸入捕獲模式? 提供輸入邊沿計(jì)數(shù)捕獲功能? 提供輸入邊沿時(shí)間捕獲功能16位PWM模式? 簡(jiǎn)單的PWM模式，對(duì)PWM信號(hào)輸出的取反可由軟件編程決定? 兼容ARM FiRM的看門(mén)狗定時(shí)器32位向下計(jì)數(shù)器，帶可編程的裝載寄存器? 帶使能功能的獨(dú)立看門(mén)狗時(shí)鐘? 帶中斷屏蔽功能的可編程中斷產(chǎn)生邏輯? 軟件跑飛時(shí)可鎖定寄存器以提供保護(hù)? 帶使能/禁能的復(fù)位產(chǎn)生邏輯? 在調(diào)試的時(shí)候，當(dāng)控制器發(fā)出CPU暫停標(biāo)志時(shí)，用戶可以設(shè)定暫停定時(shí)器的周期D. 同步串行接口（SSI）? 主機(jī)或者從機(jī)方式運(yùn)作? 可編程控制的時(shí)鐘位速率和預(yù)分頻? 獨(dú)立的發(fā)送和接收FIFO，8X16位寬的深度? 可編程控制的接口，可與Freescale的SPI接口，MICROWIRE或者TI器件的同步串行接口相連? 可編程決定數(shù)據(jù)幀大小，范圍為4到16位? 內(nèi)部循環(huán)自檢模式可用于診斷/調(diào)試E. UART? 2個(gè)完全可編程的16C550type UART，? 帶有獨(dú)立的16x8發(fā)送（TX）以及16x12接收（RX）FIFO，可減輕CPU中斷服務(wù)的負(fù)擔(dān)? 可編程的波特率產(chǎn)生器，并帶有分頻器? 可編程設(shè)置FIFO長(zhǎng)度，包括1字節(jié)深度的操作，以提供傳統(tǒng)的雙緩沖接口。兼容的Thumb2指令集以獲取更高的代碼密度?工作頻率為50MHz?硬件除法和單周期乘法?集成嵌套向量中斷控制器（NVIC），使中斷的處理更為簡(jiǎn)捷?26 中斷具有8個(gè)優(yōu)先等級(jí)?帶存儲(chǔ)器保護(hù)單元（MPU），提供特權(quán)模式來(lái)保護(hù)操作系統(tǒng)的功能?非對(duì)齊式數(shù)據(jù)訪問(wèn)，使數(shù)據(jù)能夠更為有效的安置到存儲(chǔ)器中?精確的位操作（bitbanding），不僅最大限度的利用了存儲(chǔ)器空間而且還改良了對(duì)外設(shè)的控制B． 內(nèi)部存儲(chǔ)器?64 KB單周期Flash?可由用戶管理 對(duì)flash塊的保護(hù)，以2KB為單位?可由用戶管理對(duì)flash的編程?可由用戶定義和管理的flash保護(hù)塊?8 KB單周期訪問(wèn)的SRAMC． 通用定時(shí)器3個(gè)通用定時(shí)器模塊(GPTM)，每個(gè)提供2個(gè)16位定時(shí)器。 Cortex?M3 v7M架構(gòu)。 該Stellaris174。該 Stellaris174。 Cortex?M3的控制器，它們?yōu)閷?duì)成本尤其敏感的嵌入式微控制器應(yīng)用方案帶來(lái)了高性能的32位運(yùn)算能力。產(chǎn)品的成熟度,以及投入廠商之多,應(yīng)用范圍之廣,真可謂之空前。MASKROM的MCU價(jià)格便宜，但程序在出廠時(shí)已經(jīng)固化，適合程序固定不變的應(yīng)用場(chǎng)合；FALSHROM的MCU程序可以反復(fù)擦寫(xiě)，靈活性很強(qiáng)，但價(jià)格較高，適合對(duì)價(jià)格不敏感的應(yīng)用場(chǎng)合或做開(kāi)發(fā)用途；OTPROM的MCU價(jià)格介于前兩者之間，同時(shí)又擁有一次性可編程能力，適合既要求一定靈活性，又要求低成本的應(yīng)用場(chǎng)合，尤其是功能不斷翻新、需要迅速量產(chǎn)的電子產(chǎn)品。對(duì)于無(wú)片內(nèi)ROM型的芯片，必須外接EPROM才能應(yīng)用（典型芯片為8031）?！　〉侥壳盀橹?，中國(guó)的單片機(jī)應(yīng)用和嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)走過(guò)了二十余年的歷程，隨著嵌入式系統(tǒng)逐漸深入社會(huì)生活各個(gè)方面，單片機(jī)課程的教學(xué)也有從傳統(tǒng)的8位處理器平臺(tái)向32位高級(jí)RISC處理器平臺(tái)轉(zhuǎn)變的趨勢(shì)，但8位機(jī)依然難以被取代。專(zhuān)用型是針對(duì)某種特定產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的，例如用于體溫計(jì)的單片機(jī)、用于洗衣機(jī)的單片機(jī)等等?！　?3) 局部網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)?！　?2) 并行多機(jī)控制系統(tǒng)?！　?1) 功能集散系統(tǒng)。 如在家用電器、玩具、游戲機(jī)、聲像設(shè)備、電子秤、收銀機(jī)、辦公設(shè)備、廚房設(shè)備等許多產(chǎn)品中, 單片機(jī)控制器的引入, 不僅使產(chǎn)品的功能大大增強(qiáng), 性能得到提高, 而且獲得了良好的使用效果。 在計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng), 特別是在較大型的工業(yè)測(cè)、控系統(tǒng)中, 用單片機(jī)進(jìn)行接口的控制與管理, 加之單片機(jī)與主機(jī)的并行工作, 大大提高了系統(tǒng)的運(yùn)行速度。單片機(jī)與傳統(tǒng)的機(jī)械產(chǎn)品相結(jié)合, 使傳統(tǒng)機(jī)械產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化, 控制智能化。 用單片機(jī)改造原有的測(cè)量、控制儀表, 促進(jìn)儀表向數(shù)字化、智能化、多功能化、綜合化、柔性化方向發(fā)展。 用單片機(jī)可以構(gòu)成各種不太復(fù)雜的工業(yè)控制系統(tǒng)、自適應(yīng)控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等, 達(dá)到測(cè)量與控制的目的。在一個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)中，只使用一片單片機(jī)稱(chēng)為單機(jī)應(yīng)用。1990年代～至今　　單片機(jī)在集成度、功能、速度、可靠性、應(yīng)用領(lǐng)域等全方位向更高水平發(fā)展。1983～80年代末　　16位單片機(jī)階段。 這一階段推出的高性能8位單片機(jī)普遍帶有串行口, 有多級(jí)中斷處理系統(tǒng), 多個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器。 以1976年Intel公司推出的MCS—48系列為代表, 采用將8位CPU、 8位并行I/O接口、8位定時(shí)/計(jì)數(shù)器、RAM和ROM等集成于一塊半導(dǎo)體芯片上的單片結(jié)構(gòu), 雖然其尋址范圍有限（不大于4 KB）, 也沒(méi)有串行I/O, RAM、 ROM容量小, 中斷系統(tǒng)也較簡(jiǎn)單, 但功能可滿足一般工業(yè)控制和智能化儀器、儀表等的需要。 1971年11月Intel公司首先設(shè)計(jì)出集成度為2000只晶體管/片的4位微處理器Intel 4004, 并配有RAM、 ROM和移位寄存器, 構(gòu)成了第一臺(tái)MCS—4微處理器, 而后又推出了8位微處理器Intel 8008, 以及其它各公司相繼推出的8位微處理器。 它的產(chǎn)生與發(fā)展和微處理器的產(chǎn)生與發(fā)展大體同步，自1971年美國(guó)Intel公司首先推出4位微處理器以來(lái)，它的發(fā)展到目前為止大致可分為5個(gè)階段。方便操作人員的工作。 本文要研究的主要內(nèi)容1). 全面了解太陽(yáng)能供熱系統(tǒng)的基本工作原理和組成結(jié)構(gòu)，并了解其國(guó)內(nèi)外發(fā)展的現(xiàn)狀、掌握系統(tǒng)總體的原理和設(shè)計(jì)；2). 主要設(shè)計(jì)太陽(yáng)能供熱的控制系統(tǒng)的控制方法，力求簡(jiǎn)單實(shí)用，通過(guò)TI公司的LM3S811低功耗芯片解決控制方案的各種要求。因此采用太陽(yáng)能熱泵技術(shù)不僅會(huì)極大的減少我國(guó)石化能源的消費(fèi)量，使我國(guó)的能源結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃。由于太陽(yáng)能資源豐富、清潔無(wú)污染，既屬于一次能源又屬于可再生能源，雖然其能源密度低、能量供應(yīng)具隨機(jī)性和間歇性，使太陽(yáng)能的利用受到一定的限制，但隨著技術(shù)條件的不斷進(jìn)步，將逐漸解決目前太陽(yáng)能熱泵系統(tǒng)所存在的一些問(wèn)題，使其理論不斷得到完善，從而太陽(yáng)能將作為輔助熱源應(yīng)用在空調(diào)、制冷、供暖等各方面，具有廣闊的發(fā)展前景。但是，這些地區(qū)大多比較貧困，缺乏工程示范的經(jīng)濟(jì)支撐能力。中國(guó)可再生能源學(xué)會(huì)太陽(yáng)能熱利用委員會(huì)主任、國(guó)家太陽(yáng)能熱水器質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心總工程師鄭瑞澄認(rèn)為太陽(yáng)能供暖是非常具發(fā)展?jié)摿Φ奶?yáng)能熱利用技術(shù)，是今后應(yīng)大力推廣的技術(shù)。近幾年來(lái)，建筑供暖能耗不斷下降，太陽(yáng)能熱利用產(chǎn)品性能日益提高，太陽(yáng)能供暖逐漸受到人們的重視。70年代以來(lái)，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國(guó)家掀起了開(kāi)發(fā)利用太陽(yáng)能的熱潮。二十世紀(jì)50年代，太陽(yáng)能利用領(lǐng)域出現(xiàn)了兩項(xiàng)重大的突破：一是1954年美國(guó)諾貝爾實(shí)驗(yàn)室研制出6%的實(shí)用型單晶硅電池，二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽(yáng)吸收涂層。丹麥Marstal太陽(yáng)能供熱采暖工程是世界上最大的太陽(yáng)能供熱采暖系統(tǒng)，太陽(yáng)能集熱器設(shè)置在大面積空地上，與社區(qū)熱力網(wǎng)連接，1996年建成運(yùn)行，年熱負(fù)荷28GWh/年，同時(shí)使用2100m3水箱、4000m3水容量砂礫層及10000m3地下水池蓄熱。 在國(guó)外歐洲、北美對(duì)太陽(yáng)能供熱系統(tǒng)的工程應(yīng)用已有幾十年歷史，過(guò)去主要用于單體建筑內(nèi)的小型系統(tǒng)，近十余年來(lái)，包括區(qū)域供熱在內(nèi)的大型太陽(yáng)能供熱采暖綜合系統(tǒng)的工程應(yīng)用有較快發(fā)展。如在德國(guó)的Hannover,1350㎡太陽(yáng)能集熱器與2750㎡熱水蓄熱相結(jié)合，可以滿足7365㎡供熱面積約39%的年供熱需求；在Steinfurt，510㎡太陽(yáng)能集熱器與1500㎡礫石水蓄熱相結(jié)合，可以滿足3800㎡供熱面積月34%的年供熱需求。運(yùn)用短期蓄熱來(lái)滿足生活熱水需求已經(jīng)開(kāi)始普及。由于太陽(yáng)輻射的不連續(xù)，在太陽(yáng)能應(yīng)用中蓄熱是必不可少的。青島建筑工程學(xué)院對(duì)串聯(lián)式太陽(yáng)能供暖系統(tǒng)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，該系統(tǒng)具有多功能調(diào)節(jié)能力，冬季熱泵供暖時(shí)熱泵機(jī)組工作穩(wěn)定，具有明顯的節(jié)能效果。國(guó)內(nèi)部分高校也先后對(duì)太陽(yáng)能供熱系統(tǒng)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)及理論研究，取得了一定的成果。在我國(guó)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展很快，太陽(yáng)能熱水器年生產(chǎn)能力達(dá)到1500萬(wàn)平方米，在用太陽(yáng)能熱水器總集熱面積達(dá)1億平方米，生產(chǎn)量和使用量居世界第一。近年來(lái)，