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基于單片機(jī)的電子琴論文-文庫吧資料

2025-07-03 20:01本頁面
  

【正文】 TL2中。T2EX上的一個(gè)邏輯1使得定時(shí)器2向上計(jì)數(shù)。置位DCEN,允許定時(shí)器2向上或向下計(jì)數(shù)。如果EXEN2=1,計(jì)數(shù)溢出或在外部T2EX()引腳上的1到0的下跳變都會(huì)觸發(fā)16位重載。計(jì)數(shù)溢出也使得定時(shí)器寄存器重新從RCAP2H 和RCAP2L 中加載16 位值。通過T2CON 中的EXEN2 位可以選擇兩種方式。DCEN 設(shè)置后,定時(shí)器2就可以取決于T2EX向上、向下計(jì)數(shù)。這一功能可以通過特殊寄存器T2MOD(見表4)中的DCEN(向下計(jì)數(shù)允許位)來實(shí)現(xiàn)。像TF2 一樣,T2EX 也會(huì)引起中斷。除上述功能外,外部輸入T2EX引腳()1至0的下跳變也會(huì)使得TH2和TL2中的值分別捕捉到RCAP2H和RCAP2L中。如果EXEN2=0,定時(shí)器2時(shí)一個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器,溢出時(shí),對(duì)T2CON 的TF2標(biāo)志置位,TF2引起中斷。為了確保給定的電平在改變前采樣到一次,電平應(yīng)該至少在一個(gè)完整的機(jī)器周期內(nèi)保持不變。在檢測(cè)到跳變的這個(gè)周期的S3P1 期間,新的計(jì)數(shù)值出現(xiàn)在寄存器中。在這種方式下,每個(gè)機(jī)器周期的S5P2期間采樣外部輸入。由于一個(gè)機(jī)器周期由12 個(gè)晶振周期構(gòu)成,因此,計(jì)數(shù)頻率就是晶振頻率的1/12。定時(shí)器2 有2 個(gè)8位寄存器:TH2和TL2。定時(shí)器2有三種工作模式:捕捉方式、自動(dòng)重載(向下或向上計(jì)數(shù))和波特率發(fā)生器。7. 定時(shí)器2定時(shí)器2是一個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器,它既可以做定時(shí)器,又可以做事件計(jì)數(shù)器。為了獲得更深入的關(guān)于UART 的信息,可參考ATMEL 網(wǎng)站()。從這個(gè)主頁,選擇“Products”,然后選擇“8051Architech Flash Microcontroller”,再選擇“ProductOverview”即可。5. UART在AT89S52 中,UART 的操作與AT89C51 和AT89C52 一樣。默認(rèn)狀態(tài)下,在待機(jī)模式下,WDIDLE=0,WDT繼續(xù)計(jì)數(shù)。為了確保在離開掉電模式最初的幾個(gè)狀態(tài)WDT不被溢出,最好在進(jìn)入掉電模式前就復(fù)WDT。為了防止WDT在中斷保持低電平的時(shí)候復(fù)位器件,WDT 直到中斷拉低后才開始工作。中斷應(yīng)持續(xù)拉低很長一段時(shí)間,使得晶振穩(wěn)定。通過硬件復(fù)位退出掉電模式后,用戶就應(yīng)該給WDT 喂狗,就如同通常AT89S52 復(fù)位一樣。在這種方式下,用戶不必喂狗。為了很好地使用WDT,應(yīng)該在一定時(shí)間內(nèi)周期性寫入那部分代碼,以避免WDT復(fù)位。WDT 計(jì)數(shù)器不能讀或?qū)?。晶振正常工作、WDT激活后,每一個(gè)機(jī)器周期WDT 都會(huì)增加。當(dāng)WDT激活后,用戶必須向WDTRST寫入01EH和0E1H喂狗來避免WDT溢出。當(dāng)WDT溢出,它將驅(qū)動(dòng)RSR引腳一個(gè)高個(gè)電平輸出。WDT計(jì)時(shí)周期依賴于外部時(shí)鐘頻率。WDT 在默認(rèn)情況下無法工作;為了激活WDT,戶用必須往WDTRST 寄存器(地址:0A6H)中依次寫入01EH 和0E1H。4. 看門狗定時(shí)器WDT是一種需要軟件控制的復(fù)位方式。MOV R0 , data堆棧操作也是簡介尋址方式。例如,下面的直接尋址指令訪問0A0H(P2口)存儲(chǔ)單元MOV 0A0H , data使用間接尋址方式訪問高128 字節(jié)RAM。當(dāng)一條指令訪問高于7FH 的地址時(shí),尋址方式?jīng)Q定CPU 訪問高128 字節(jié)RAM 還是特殊功能寄存器空間。高128 字節(jié)與特殊功能寄存器重疊。對(duì)于89S52,如果 接VCC,程序讀寫先從內(nèi)部存儲(chǔ)器(地址為0000H~1FFFH)開始,接著從外部尋址,尋址地址為:2000H~FFFFH。外部程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器都可以64K尋址。 XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。在flash編程期間,也接收12伏VPP電壓。為使能從0000H 到FFFFH的外部程序存儲(chǔ)器讀取指令,必須接GND。當(dāng)AT89S52從外部程序存儲(chǔ)器執(zhí)行外部代碼時(shí),在每個(gè)機(jī)器周期被激活兩次,而在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),將不被激活。這個(gè)ALE 使能標(biāo)志位(地址為8EH的SFR的第0位)的設(shè)置對(duì)微控制器處于外部執(zhí)行模式下無效。這一位置 “1”,ALE 僅在執(zhí)行MOVX 或MOVC指令時(shí)有效。然而,特別強(qiáng)調(diào),在每次訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),ALE脈沖將會(huì)跳過。在flash編程時(shí),此引腳()也用作編程輸入脈沖。DISRTO默認(rèn)狀態(tài)下,復(fù)位高電平有效??撮T狗計(jì)時(shí)完成后,RST 腳輸出96 個(gè)晶振周期的高電平。引腳號(hào)第二功能RXD(串行輸入)TXD(串行輸出) (外部中斷0) (外部中斷1)T0(定時(shí)器0外部輸入)T1定時(shí)器1外部輸入) (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通) (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通) RST:復(fù)位輸入。P3口亦作為AT89S52特殊功能(第二功能)使用,如下表所示。對(duì)P3 端口寫“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P2口也接收高8位地址字節(jié)和一些控制信號(hào)。在這種應(yīng)用中,P2 口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送1。作為輸入使用時(shí),被外
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