【正文】 602型LCD的主要技術(shù)參數(shù)如表22所示：表22 1602型LCD的主要技術(shù)參數(shù)顯示容量芯片上作電壓工作電流模塊最佳工作電壓 字符尺寸16X2個(gè)字符～ () mm基本操作程序讀狀態(tài)：輸入：RS=L，RW=L，E=H 輸出：DOD7=狀態(tài)字讀數(shù)據(jù)：輸入：RS=H，RW=H，E=H 輸出：無寫指令：輸入：RS=L，RW=L，D0D7=指令碼，E=高脈沖 輸出：D0D7=數(shù)據(jù)寫數(shù)據(jù)：輸入：RS=H，RW=L，D0D7=數(shù)據(jù)，E=高脈沖 輸出：無 晶振振蕩器晶體振蕩器，簡(jiǎn)稱晶振，其作用在于產(chǎn)生原始的時(shí)鐘頻率，這個(gè)頻率經(jīng)過頻率發(fā)生器的放大或縮小后就成了電腦中各種不同的總線頻率。1602型LCD顯示模塊具有體積小，功耗低，顯示內(nèi)容豐富等特點(diǎn)。當(dāng)WP 管腳連接到Vss 或懸空，允許器件進(jìn)行正常的讀/寫操作。當(dāng)使用24WC16 時(shí)最多只可連接1 個(gè)器件所有地址管腳A0 A1 A2 都未用管腳可以連接到Vss 或懸空。當(dāng)使用24WC04 時(shí)最多可連接4 個(gè)器件該器件僅使用A1 A2 地址管腳A0 管腳未用可以連接到Vss 或懸空，如果只有一個(gè)24WC04 被總線尋址，A1 和A2 地址管腳可懸空或連接到Vss。A0 A1 A2 器件地址輸入端：這些輸入腳用于多個(gè)器件級(jí)聯(lián)時(shí)設(shè)置器件地址，當(dāng)這些腳懸空時(shí)默認(rèn)值為0 ，24WC01 除外。. 性能與400KHz I2C 總線兼容 伏工作電壓范圍低功耗CMOS 技術(shù)寫保護(hù)功能當(dāng)WP 為高電平時(shí)進(jìn)入寫保護(hù)狀態(tài)頁寫緩沖器自定時(shí)擦寫周期1,000,000 編程/擦除周期可保存數(shù)據(jù)100 年8 腳DIP SOIC 或TSSOP 封裝溫度范圍商業(yè)級(jí)工業(yè)級(jí)和汽車級(jí). 引腳功能描述VCC + 工作電壓VSS 地SCL 串行時(shí)鐘：串行時(shí)鐘輸入管腳用于產(chǎn)生器件所有數(shù)據(jù)發(fā)送或接收的時(shí)鐘，這是一個(gè)輸入管腳。數(shù)據(jù)傳送是由產(chǎn)生串行時(shí)鐘和所有起始停止信號(hào)的主器件控制的，AT24C02作為從器件。數(shù)據(jù)校驗(yàn)：數(shù)據(jù)校驗(yàn)也可在串行模式下進(jìn)行，在這個(gè)模式，在一個(gè)寫周期中，通過輸出引腳MISO串行回讀一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的最高位將為最后寫入字節(jié)的反碼。外部系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)需接至XTAL1端或在XTALl 和XTAL2接上晶體振蕩器。將RST拉高后，在其它操作前必須發(fā)出編程使能指令，編程前需將芯片擦除。擦除期間，用串行方式讀任何地址數(shù)據(jù)，返回值均為00H。在串行編程模式，芯片擦除操作是利用擦除指令進(jìn)行。用于聲明該器件的廠商和型號(hào)等信息，讀簽名字節(jié)的過程和正常校驗(yàn)相仿。程序校驗(yàn)：如果加密位LBLB2沒有進(jìn)行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù)，各加密位也可通過直接回讀進(jìn)行校驗(yàn)。Ready／Busy：字節(jié)編程的進(jìn)度可通過“RDY／BSY”輸出信號(hào)監(jiān)測(cè)，編程期間，ALE變?yōu)楦唠娖健癏”，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。數(shù)據(jù)查詢：AT89S5l 單片機(jī)用數(shù)據(jù)查詢方式來檢測(cè)一個(gè)寫周期是否結(jié)束，在一個(gè)寫周期中，如需讀取最后寫入的那個(gè)字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（）是原來寫入字節(jié)最高位的反碼。編程方法可通過傳統(tǒng)的EPROM 編程器使用高電壓（+12V）和協(xié)調(diào)的控制信號(hào)進(jìn)行編程。復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變RAM 中的內(nèi)容，在Vcc恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn)定工作。掉電模式：在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi)RAM和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來終止空閑工作模式時(shí)，CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期（24個(gè)時(shí)鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止CPU 訪問片內(nèi)RAM，而允許訪問其它端口。此時(shí)，片內(nèi)RAM和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變。由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過一個(gè)2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的，所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒有特殊要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。用戶也可以采用外部時(shí)鐘。10pF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇40pF177。對(duì)外接電容Cl、C2 雖然沒有十分嚴(yán)格的要求，但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器。定時(shí)器0和定時(shí)器1 的中斷標(biāo)志TF0和TF1，它是定時(shí)器溢出時(shí)的S5P2時(shí)序周期被置位，該標(biāo)志保留至下個(gè)時(shí)序周期。這些中斷源各自的禁止和使能位參見特殊功能寄存器的IE。當(dāng)位WDIDLE被置位，在空閑模式中WDT將停止計(jì)數(shù)，直到從空閑（IDLE）模式中退出重新開始計(jì)數(shù)。在進(jìn)入空閑模式前，WDT 打開時(shí)，WDT 是否繼續(xù)計(jì)數(shù)由SFR 中的AUXR 的WDIDLE 位決定，在IDLE 期間（位WDIDLE=0）默認(rèn)狀態(tài)是繼續(xù)計(jì)數(shù)。這為在掉電模式下的中斷執(zhí)行中斷服務(wù)程序而設(shè)置。當(dāng)由中斷退出掉電模式則有所不同，中斷低電平狀態(tài)持續(xù)到晶體振蕩穩(wěn)定，當(dāng)中斷電平變?yōu)楦呒错憫?yīng)中斷服務(wù)。有兩種方法可退出掉電模式：硬件復(fù)位或通過激活外部中斷。掉電和空閑狀態(tài)時(shí)的WDT：掉電時(shí)期，晶體振蕩停止，WDT也停止。復(fù)位脈沖持續(xù)時(shí)間為98Tosc，而Tosc=1／Fosc（晶體振蕩頻率）。WDT 打開時(shí)，它會(huì)隨晶體振蕩器在每個(gè)機(jī)器周期計(jì)數(shù)，這意味著用戶必須在小于每個(gè)16383 機(jī)器周期內(nèi)復(fù)位WDT，也即寫01EH和0E1H到WDTRST寄存器，WDTRST為只寫寄存器。使用看門狗（WDT）：打開WDT需按次序?qū)?1EH和0E1H到WDTRST寄存器（SFR的地址為0A6H），當(dāng)WDT打開后，需在一定的時(shí)候01EH 和0E1H 到WDTRST 寄存器以避免WDT 計(jì)數(shù)溢出?？撮T狗定時(shí)器（WDT）：WDT是為了解決CPU程序運(yùn)行時(shí)可能進(jìn)入混亂或死循環(huán)而設(shè)置，它由一個(gè)14bit計(jì)數(shù)器和看門狗復(fù)位SFR（WDTRST）構(gòu)成。在AT89S51，假如EA接至Vcc（電源+），程序首先執(zhí)行地址從0000H－0FFFH（4KB）內(nèi)部程序存儲(chǔ)器，再執(zhí)行地址為1000H－FFFFH（60KB）的外部程序存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)：MCS51單片機(jī)內(nèi)核采用程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間分開的結(jié)構(gòu)，均具有64KB外部程序和數(shù)據(jù)的尋址空間。用戶應(yīng)在訪問相應(yīng)的數(shù)據(jù)指針寄存器前初始化DPS位。中斷寄存器：各中斷允許控制位于IE寄存器，5個(gè)中斷源的中斷優(yōu)先級(jí)控制位于IP寄存器。而寫這些地址單元將不能得到預(yù)期的結(jié)果。XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出端。F1ash存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上+12V的編程電壓Vpp。需注意的是：如果加密位LB1被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。EA／VPP：外部訪問允許。PSEN：程序儲(chǔ)存允許（PSEN）輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng)AT89S51 由外部程序存儲(chǔ)器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN有效，即輸出兩個(gè)脈沖。該位置位后，只有一條M0VX和M0VC指令A(yù)LE才會(huì)被激活。對(duì)F1ash存儲(chǔ)器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（PROG）。即使不訪問外部存儲(chǔ)器，ALE 仍以時(shí)鐘振蕩頻率的 1／6 輸出固定的正脈沖信號(hào)，因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。DISRT0位缺省為RESET輸出高電平打開狀態(tài)。當(dāng)振蕩器工作時(shí)，RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。P3口除了作為一般的I／0口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示：P3口還接收一些用于Flash閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。對(duì)P3口寫入“l(fā)”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。P3 口：P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I／0 口。在訪問8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，P2 口線上的內(nèi)容（也即特殊功能寄存器（SFR）區(qū)中P2寄存器的內(nèi)容），在整個(gè)訪問期間不改變。對(duì)端口寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。Flash編程和程序校驗(yàn)期間，Pl接收低8位地址。對(duì)端口寫“l(fā)”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。在F1ash編程時(shí)，P0口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。作為輸出口用時(shí)，每位能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯門電路，對(duì)端口寫“l(fā)”可作為高阻抗輸入端用。掉電方式保存RAM 中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。同時(shí)，AT89S51可降至0Hz的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。它集Flash程序存儲(chǔ)器既可在線編程（ISP）也可用傳統(tǒng)方法進(jìn)行編程及通用8位微處理器于單片芯片中，ATMEL公司的功能強(qiáng)大，低價(jià)位AT89S51單片機(jī)可為您提供許多高性價(jià)比的應(yīng)用場(chǎng)合，可靈活應(yīng)用于各種控制領(lǐng)域。修改密碼之前必須再次輸入密碼，在輸入新密碼時(shí)候需要二次確認(rèn)，以防止誤操作。 本設(shè)計(jì)所要實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)本設(shè)計(jì)采用單片機(jī)為主控芯片，結(jié)合外圍電路，組成電子密碼控制系統(tǒng)，用戶想要打開鎖，必先通過提供的鍵盤輸入正確的密碼才可以，密碼輸入錯(cuò)誤有提示，為了提高安全性，當(dāng)密碼輸入錯(cuò)誤三次將報(bào)警。我國(guó)于90年代初開始對(duì)密碼鎖進(jìn)行初步的探索。這類電路安全性差，容易破解。 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)早在80年代，日本產(chǎn)生了最早的電子密碼鎖。5)使用靈活性好，不像機(jī)械鎖必須佩帶鑰匙才能開鎖。3)誤碼輸入保護(hù)，當(dāng)輸入密碼多次錯(cuò)誤時(shí)，報(bào)警系統(tǒng)自動(dòng)啟動(dòng)。隨機(jī)開鎖成功率幾乎為零。電子密碼控制不論性能還是安全性