【正文】 位寄存器是有串行時鐘SCLK的下降沿驅動。（1） 極限參數(shù)① 支流電源電壓范圍（Vcc～Vss）：～+② 輸入電壓范圍（所有引腳）：（）～（Vcc+）③ 輸入電壓范圍（所有引腳，輸入電流不超過177。1mF的電容也影響自動靜噪電路對信號幅度的響應速度。檢出的峰值電平與內部設定的閾值作比較,決定自動靜噪功能的翻轉點。自動靜噪(AMCAP)：當錄音信號電平下降到內部設定的某一閾值以下時,自動靜噪功能使信號衰弱,這樣有助于養(yǎng)活無信號(靜音)時的噪聲。輸入時鐘的占空比無關緊要,因內部首先進行了分頻。若要求更高精度,可從本端輸入外部時鐘(如前表所列)。商業(yè)級芯片在整個溫度和電壓范圍內, 頻率變化在+%內。外部時鐘(XCLK)：本端內部有下拉元件?？爝M模式下。每個RAC周期表示ISD存儲器的操作進行了一行(ISD4004系列中的存貯器共2400行)。EOM標志只在放音中檢測到內部的EOM標志時,此狀態(tài)位才置1。中斷狀態(tài)也可用RINT指令讀取。ISD在任何操作(包括快進)中檢測到EOM或OVF時,本端變低并保持。數(shù)據(jù)在SCLK上升沿鎖存到ISD,在下降沿移出ISD。ISD未選中時,本端呈高阻態(tài)。串行輸入(MOSI)：此端為串行輸入端，主控制器應在串行時鐘上升沿之前半個周期將數(shù)據(jù)放到本端,供ISD輸入。信號通過耦合電容輸入,最大幅度為峰峰值16mV音頻輸出(AUD OUT)：提供音頻輸出,可驅動5KΩ的負載。差分驅動時,信號最大幅度為峰峰值16mV，為ISD33000系列相同。輸入放大器可用單端或差分驅動。地線(VSSA,VSSD)：芯片內部的模擬和數(shù)字電路也使用不同的地線。錄音數(shù)據(jù)被存放方法是通過ISD的多級存儲專利技術實現(xiàn)的，用聲音和聲頻信號的自然形式直接存放在故態(tài)存儲器中，從而提供高質量回放語音的保真度。片內集成有振蕩器、抗混疊濾波器、平滑濾波器、自動靜音電路、音頻放大器和高密度多級Flash存儲陣列。 語音芯片ISD4004ISD4000系列單片聲音錄放器件是用CMOS工藝實現(xiàn)的高語音質量、3V工作電壓的集成電路芯片，特別適用于移動電話和各種便攜式產品。ISD5000系列中有4min、5min、6min和8min的單片聲音錄放器件ISD5008。ISD2500系列中有32s、40s、48s、64s和60s、75s、90s、120s的單片聲音錄放器件ISD253ISD25ISD254ISD2564和ISD2560、ISD257ISD2590、ISD120。ISD1400系列中有16s和20s的單片聲音錄放器件ISD1416和ISD1620。ISD1100系列中有10s和12s的單片聲音錄放器件ISD1110和ISD1112。該公司與1998年12月被臺灣華邦（Winbond）并購，1990年改名為WECA（Winbond Electronic Corpration American），但保留其ISD名稱和標識，這個合并將把ISD公司領先的信息存儲、語音錄放技術和強大的用戶群與Winbond公司的高效率的制造能力和分布于全時間的營銷能力結合起來。光電耦合器的電流傳輸比為10%～250%，響應時間小于10us，其電路如圖3－12所示。當發(fā)光二極管加上正向電壓時，發(fā)光二極管有電流通過發(fā)光，使光敏三極管內阻減小而導通；反之，當發(fā)光二極管不加正向電壓或所加正向電壓很小時，發(fā)光二極管中無電流或通過電流很小，發(fā)光強度減弱，光敏三極管的內阻增大而截止。光電耦合器可用于隔離電路、負載接口及各種家用電器等電路中。光電耦合器具有體積小、使用壽命長、工作溫度范圍寬、抗干擾性能強。光電耦合器以光電轉換原理傳輸信息，它不僅使信息發(fā)出端（一次側）與信息接收并輸出端（二次側）是絕緣的，從而對地電位差干擾有很強的抑制能力，而且有很強的抑制電磁干擾能力。以與發(fā)光二極管的接口如圖3－11所示，對負載電阻器的選擇作一估計。因此，必須外接一個電阻器（即負載電阻器）來限制流過管子的電流，使它不超過最大允許值（一般為20mA），以免損壞輸出管。輸出管截止時，輸漏電流很小，一般只有幾nA，可以忽略，輸出電壓和其電源電壓相近，但電源電壓最高不得超過輸出管的擊穿電壓（即規(guī)范表中規(guī)定的極限電壓）。 工作磁體和霍爾器件間的運動方式有：(a)對移；(b)側移；(c)旋轉；(d)遮斷。例如，用一個54（）的釹鐵硼Ⅱ號磁鋼，就可在它的磁極表面上得到約2300高斯的磁感應強度。前者是直接檢測出受檢測對象本身的磁場或磁特性，后者是檢測受檢對象上人為設置的磁場，用這個磁場來作被檢測的信息的載體，通過它，將許多非電、非磁的物理量例如力、力矩、壓力、應力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、轉數(shù)、轉速以及工作狀態(tài)發(fā)生變化的時間等，轉變成電量來進行檢測和控制。前者輸出模擬量，后者輸出數(shù)字量。取用了各種補償和保護措施的霍爾器件的工作溫度范圍寬，可達55℃～150℃?；魻柶骷哂性S多優(yōu)點，她們的結構牢固，體積小，重量輕，壽命長，安裝方便，功耗小，頻率高（可達1MHZ），耐震動，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。用它們可以檢測磁場及其變化，可在各種與磁場有關的場合中使用。根據(jù)輸出電流值的不同，選用不同系列的芯片，當電流小于100mA時，可以選用78L00系列；，可選用78M00系列；，應選用7800系列的芯片。78xx系列集成穩(wěn)壓器是常用的固定正輸出電壓的集成穩(wěn)壓器，輸出電壓有5V、6V、9V、12V、15V、18V、24V等規(guī)格。在電子制用中應用較多的是三端固定輸出穩(wěn)壓器。由于集成穩(wěn)壓器具有穩(wěn)壓精度高、工作穩(wěn)定可靠、外圍電路簡單、體積小、重量輕等顯箸優(yōu)點，在各種電源電路中得到了普遍的應用。設計中采用了三端固定正電壓集成穩(wěn)壓器7805，來得到+5V穩(wěn)定電壓。表3－1 各特殊功能寄存器的復位值專用寄存器復位值專用寄存器復位值PC0000HTCON00HACC00HB00HPSW00HSP07HDPTR0000HP0P3FFHIP00000BIE000000BTMOD00HTH000HTL000HTH100HTL100HSCON00HSBUF不定PCON（CHMOS）00000B在本設計中復位電路采用的是上電復位，即如圖3－9所示。VccAT89C51RST10uF+VccGND圖3－9 上電復位電路 復位后寄存器的狀態(tài)當系統(tǒng)復位時，內部寄存器的狀態(tài)如表3－1所列，即在SFRS中，除了端口鎖存器、堆棧指針SP和串行口的SBUF外，其余的寄存器全部清0，端口鎖存器的復位值為0FFH，堆棧指針值為07H，SBUF內為不定值。另外，在復位期間，端口引腳處于隨機狀態(tài)，復位后，系統(tǒng)將端口置為全“1”態(tài)。上電時，Vcc的上升時間約為10ms，而振蕩器的起振時間取決于振蕩頻率，如晶振頻率為10MHz，起振時間為1ms；晶振頻率為1MHz，起振時間則為10ms。對于CMOS型單片機，由于在RST端內部有一個下拉電阻，故可將外部電阻去掉，而將外接電容減至1uF。手動復位的電路如圖3－8所示。當人為按下按鈕時，則VCC的+5V電平就會直接加到RST端。| S5 | S6 | S1 | S2 | S3 | S4 | S5 | S6 | S1 | S2 | S3 | S4 | S5 | S6 | S1 | S2 | S3 |RST：INST ADDR INST ADDR INST ADDR INST ADDR INST ADDR INSTALE：/PSEN：P0：11振蕩周期19振蕩周期圖3－7 內部復位定時時序 手動復位手動復位需要人為在復位輸入端RST上加入高電平。當在RST端采樣到“1”信號且該信號維持19個振蕩周期以后，將ALE和/PSEN接成高電平 ，使器件復位。 復位電路的設計89系列單片機與其他微處理器一樣，在啟動的時候都需要復位，使CPU及系統(tǒng)各部件處于確定的初始狀態(tài)，并從初始狀態(tài)開始工作。CL（負載電容）：30pF+3pF。XTAL2XTAL1內部定時/PD400D1D2Q1RfQ2VCCQ3Q4圖3－3 AT89C51單片機內部振蕩器電路XTAL2XTAL1GNDNCCMOS門外部振蕩信號圖3－4 外部時鐘接法XTAL1XTAL289系列單片機GND內部定時VCC/PDRf石英晶體或陶瓷振蕩器C1C2圖3－5 片內振蕩器等效電路通常，在單片機中對所使用的振蕩晶體的參數(shù)要求如下：ESR（等效串聯(lián)電阻）：根據(jù)所需頻率按圖3－6選取。在電路中，對電容C1和C2的值要求不是很嚴格，如果用高質的晶振，則不管頻率為多少，C1，C2通常都選擇30pF。在組成一個單片機應用系統(tǒng)時，多數(shù)采用圖3－5所示的方法，這種方式的結構緊湊，成本低廉，可靠性高?？梢岳盟鼉炔康恼袷幤鳟a生時鐘，只要在XTAL1和XTAL2引腳上外接一個晶體及電容組成的并聯(lián)諧振電路，便構成一個完整的振蕩信號發(fā)生器，如圖3－5示，此方法稱為內部方式。XTAL2：來自反向振蕩器的輸出。在FLASH編程期間，此引腳也用于施加12V編程電源（VPP）。 /EA/VPP：當/EA保持低電平時，則在此期間外部程序存儲器（0000HFFFFH），不管是否有內部程序存儲器。在由外部程序存儲器取指期間，每個機器周期兩次/PSEN有效。 另外，該引腳被略微拉高。如想禁止ALE的輸出可在SFR8EH地址上置0。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。在FLASH編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。當振蕩器復位器件時，要保持RST腳兩個機器周期的高電平時間。P3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口，如下所示： RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷0） /INT1（外部中斷1） T0（記時器0外部輸入） T1（記時器1外部輸入） /WR（外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） /RD（外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通）P3口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號。當P3口寫入“1”后，它們被內部上拉為高電平，并用作輸入。在給出地址“1”時，它利用內部上拉優(yōu)勢，當對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進行讀寫時，P2口輸出其特殊功能寄存器的內容。這是由于內部上拉的緣故。P2口：P2口為一個內部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2口緩沖器可接收，輸出4個TTL門電流，當P2口被寫“1”時，其管腳被內部上拉電阻拉高，且作為輸入。P1口：P1口是一個內部提供上拉電阻的8位雙向I/O口，P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器，它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的低八位。P0口：P0口為一個8位漏級開路雙向I/O口，每腳可吸收8個TTL門電流。CPU中斷控制振蕩器片內Flash存儲器總線控制片內RAM4I/O端口ETC定時器1定時器0串行端口外部中斷P0 P2 P1 P3地址/數(shù)據(jù)TXD RXD計數(shù)器輸入圖3－1 AT89C單片機的結構框圖 主要性能（1） 與MCS51 兼容（2） 4K字節(jié)可編程閃爍存儲器 壽命：1000次寫/擦循環(huán) 數(shù)據(jù)保留時間：10年（3） 全靜態(tài)工作：0Hz24Hz（4） 三級程序存儲器鎖定（5） 128*8位內部RAM（6） 32可編程I/O線（7） 兩個16位定時器/計數(shù)器（8） 6個中斷源 （9） 可編程串行通道（10） 片內振蕩器和時鐘電路 引腳功能說明VCC：供電電壓。它主要由